【總結】模擬電子技術基礎第四版清華大學電子學教研組編童詩白華成英主編自測題與習題解答2第1章常用半導體器件自測題一、判斷下列說法是否正確,用“×”和“√”表示判斷結果填入空內(nèi)。(1)在N型半導體中如果摻
2024-11-06 01:14
【總結】·110·第2章半導體二極管及直流穩(wěn)壓電源習題2,,測得,試問二極管VD是否良好(設外電路無虛焊)?解:內(nèi)部PN結或電極已開路,D已損壞。,,試分別估算開關斷開和閉合時輸出電壓的數(shù)值。解:S斷開:斷開VD,。所以VD
2025-07-25 12:13
【總結】第5章基本放大電路習題解答【5-1】填空、選擇正確答案1.對于阻容耦合放大電路,耦合電容器的作用是A.將輸入交流信號耦合到晶體管的輸入端;√B.將輸入交流信號耦合到晶體管的輸入端,同時防止偏置電流被信號源旁路;C.將輸入交流信號加到晶體管的基極。2.在基本放大電路中,如果集電極的負載電阻是Rc,那么Rc中:
2025-03-25 06:25
【總結】第4章場效應管放大電路與功率放大電路,請分別說明場效應管各屬于何種類型。說明它的開啟電壓(或夾斷電壓)約是多少。解:(a)N溝道耗盡型FETUP=-3V;(b)P溝道增強型FETUT=-4V;(c)P溝道耗盡型FETUP=2V。某MOSFET的IDSS=10mA且UP=-8V。(1)此元件是P溝道還是N溝道?(2)計算
【總結】2021/6/151現(xiàn)代電子測量技術趙志斌電力系電信教研室習題III2021/6/15現(xiàn)代電子測量技術21.如果被測正弦信號的周期為T,掃描鋸齒波的正程時間為T/4,回程時間可以忽略,被測信號加在Y輸入端,掃描信號加在X輸入端,試用作圖法說明信號的顯示過程。2.連續(xù)掃描電壓的掃描正程是掃描逆程的4倍(不考慮掃
2025-05-10 00:46
【總結】《電子測量技術基礎》實驗指導書電子信息工程系2012-09目錄實驗一電壓表的使用及交流電壓的測量 1實驗二通用計數(shù)器的實驗 5實驗三示波器測試技術與示波器的使用 1427/29實驗一電壓表的使用及交流電壓的測量一、實驗目的1、掌握低頻電壓的測量原理及測
2025-06-16 14:16
【總結】《電子測量技術基礎》實驗指導書電子信息工程系2012-09目錄實驗一電壓表的使用及交流電壓的測量 1實驗二通用計數(shù)器的實驗 5實驗三示波器測試技術與示波器的使用 14實驗一電壓表的使用及交流電壓的測量一、實驗目的1、掌握低頻電壓的測量原理及測量方法
2025-06-07 08:18
【總結】第三章題解-1第三章多級放大電路自測題一、判斷下列說法是否正確,凡對的在括號內(nèi)打“√”,否則打“×”。(1)現(xiàn)測得兩個共射放大電路空載時的電壓放大倍數(shù)均為-100,將它們連成兩級放大電路,其電壓放大倍數(shù)應為10000。()(2)阻容耦合多級放大電路各級的Q點相互獨立,()它只能放
2024-11-17 10:09
【總結】《模擬電子技術》考試題型一、判斷/思考題二、填空/改錯題三、分析與選擇題四、計算題五、設計題模擬電子技術習題(部分)一、填空題1)根據(jù)導電能力來衡量,自然界的物質可以分為(絕緣體)、(導體)和(半導體)三類。2)P型半導體的多數(shù)載流子是(空穴),少數(shù)載流子是(電子);
2025-08-05 08:50
【總結】....第1章檢測題(共100分,120分鐘)一、填空題:(,共25分)1、N型半導體是在本征半導體中摻入極微量的五價元素組成的。這種半導體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子,少數(shù)載流子為空穴,不能移動的雜質離子帶正電。P型半導體是在本征半導體中摻入極微量的三價元素組
2025-06-23 15:22
【總結】第1章檢測題()一、填空題:()1、N型半導體是在本征半導體中摻入極微量的五價元素組成的。這種半導體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子.少數(shù)載流子為空穴.不能移動的雜質離子帶正電。P型半導體是在本征半導體中摻入極微量的三價元素組成的。這種半導體內(nèi)的多數(shù)載流子為空穴.少數(shù)載流子為自由電子.不能移動的雜質離子帶負電。2、三極管的內(nèi)部結構是由發(fā)射區(qū)、基區(qū)
2025-08-05 09:36
【總結】《電力電子技術》習題解答第2章思考題與習題?導通后流過晶閘管的電流和負載上的電壓由什么決定?答:晶閘管的導通條件是:晶閘管陽極和陽極間施加正向電壓,并在門極和陽極間施加正向觸發(fā)電壓和電流(或脈沖)。導通后流過晶閘管的電流由負載阻抗決定,負載上電壓由輸入陽極電壓UA決定。? 如何實現(xiàn)? 晶閘管處于阻斷狀態(tài)時其兩端的電壓大小由什么決定?答:晶閘管的關斷條件是:要使
2025-03-25 06:06
【總結】E-mail:西南科技大學電子測量技術基礎電子測量技術基礎第一章1E-mail:西南科技大學電子測量技術基礎教學目的?通過本課程的學習,使學生掌握測量誤差的基本理論和數(shù)據(jù)處理方法;?掌握主要物理量(電壓、頻率、時間等)、
2025-04-30 01:47
【總結】第三部分習題與解答習題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質半導體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關系。2、當PN結外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當外加反向電壓時,擴散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3
2025-10-16 19:21
【總結】1習題解答第一章234567891011121314151617【題1-9】18192021222324252627282930
2025-10-10 19:40