電磁屏蔽技術(shù)探討-wenkub
2022-11-03 21:24:02 本頁(yè)面
【正文】 眼屏蔽。 表 3 幾種噴涂工藝達(dá)到的屏蔽效能 噴涂工藝 厚度 /μm 電阻 /(Ω/mm2) 屏蔽效能 /dB 鋅熱噴涂 25 50～ 60 鎳基涂層 50 ～ 30～ 75 銀基涂層 25 ～ 60～ 70 銅基涂層 25 60～ 70 石墨基涂 層 25 ～ 20 20～ 40 電 鍍 85 化 學(xué)鍍 60～ 70 真空沉 積 5～ 10 50～ 70 電離鍍 50 不同厚度的銅薄膜的屏蔽效能見(jiàn)表 4。但工程塑料無(wú)電磁防護(hù)性能。 金屬平板 電子設(shè)備采用金屬平板做機(jī)箱，既堅(jiān)固耐用，又具有電磁屏蔽作用。特別是電磁場(chǎng)屏蔽，它利用屏蔽體在高頻磁場(chǎng)的作用下產(chǎn)生反方向的渦流磁場(chǎng)與原磁場(chǎng)抵消而削弱高頻磁場(chǎng)干擾。 當(dāng) A10dB 時(shí)，一般可以不計(jì)多次反射損耗。 磁場(chǎng)源近場(chǎng)中的反射損耗 R(dB)為 式中：μ r 為相對(duì)磁導(dǎo)率； σr 為相對(duì)電導(dǎo)率； f 為電磁波頻率（ Hz）； D 為輻射源到屏蔽體的距離（ cm）。常用分貝數(shù) (dB)表示。 交變電磁場(chǎng)屏蔽 一般采用電導(dǎo)率高的材料作屏蔽體，并將屏蔽體接地。低頻磁場(chǎng)屏蔽是利用高磁導(dǎo)率的材料構(gòu)成低磁阻通路，使大部分磁場(chǎng)被集中在屏蔽體內(nèi)。交變電場(chǎng)對(duì)敏感電路的耦合干擾電壓大小取決于交變電場(chǎng)電壓、耦合電容和金屬屏蔽體接地電阻之積。 1 電磁屏蔽的技術(shù)原理 電磁屏蔽是電磁兼容技術(shù)的主要措施之一。電磁屏蔽技術(shù)探討 摘要： 討論了電磁屏蔽技術(shù)，包括電磁屏蔽的技術(shù)原理、屏蔽材料的性能和應(yīng)用場(chǎng)合、屏蔽技術(shù)的注意事項(xiàng)、屏蔽效能的檢測(cè)以及特殊部位的屏蔽措施。即 用金屬屏蔽材料將電磁干擾源封閉起來(lái)，使其外部電磁場(chǎng)強(qiáng)度低于允許值的一種措施；或用金屬屏蔽材料將電磁敏感電路封閉起來(lái)，使其內(nèi)部電磁場(chǎng)強(qiáng)度低于允許值的一種措施。只要設(shè)法使金屬屏蔽體良好接地，就能使交變電場(chǎng)對(duì)敏感電路的耦合干擾電壓變得很小。屏蔽體的磁導(dǎo)率越高，厚度越大，磁阻越小，磁場(chǎng)屏蔽的效果越好。它是利用屏蔽體在高頻磁場(chǎng)的作用下產(chǎn)生反方向的渦流磁場(chǎng)與原磁場(chǎng)抵消而削弱高頻磁場(chǎng)的干擾，又因屏蔽體接地而實(shí)現(xiàn)電場(chǎng)屏蔽。 SE=A＋ R＋ B （ 1） 式中： A 為吸收損耗； R 為反射損耗； B 為多次反射損耗。 電場(chǎng)源近場(chǎng)中 的反射損耗 R(dB)為 電磁場(chǎng)源遠(yuǎn)場(chǎng)中的反射損耗 R(dB)為 R=168－ 10log10(μ rf/σ r) （ 4） 電磁波吸收損耗 當(dāng)進(jìn)入金屬屏蔽內(nèi)的電磁波在屏蔽金屬內(nèi)傳播時(shí)，由于衰減而產(chǎn)生吸收作用。 屏蔽效能計(jì)算實(shí)例 場(chǎng)源 距離不同材料的屏蔽體（厚度 ） 30cm 遠(yuǎn)的屏蔽效能（ dB）計(jì)算結(jié)果見(jiàn)表 1。如果屏蔽體不完整，渦流的效果降低，即屏蔽的效果大打折扣。其電磁屏蔽效能與金屬平板 材料性質(zhì)、電磁場(chǎng)源性質(zhì)、電磁場(chǎng)源與金屬平板的距離、屏蔽體接地狀況等參數(shù)有關(guān)。屏蔽薄膜是采用噴涂、真空沉積、電鍍和粘貼等工藝技術(shù)，在工程塑料和有機(jī)介質(zhì)的表面覆蓋一層導(dǎo)電膜，從而起到平板屏蔽的作用。 表 4 銅薄膜的屏蔽效能 厚度 /μm 頻率 /Hz A R B 屏蔽效能 /dB 1M 109 － 47 62 1G 79 － 17 62 1M 109 － 26 83 1G 79 － 84 1M 109 110 1G 79 90 1M 109 － 108 1G 92 79 0 171 表頭或顯示器的屏蔽，可在 表頭或顯示器的正面設(shè)置透光導(dǎo)電材料來(lái)實(shí)現(xiàn)。或用于電子設(shè)備殼體的接縫處，提供有效的電磁屏蔽。 全金屬絲網(wǎng)襯墊 全金屬絲網(wǎng)襯墊是一種 彈性的、導(dǎo)電的編織型金屬
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