微機(jī)原理與接口技術(shù)課程設(shè)計-wenkub
2023-01-31 15:31:15 本頁面
【正文】 故MOS半導(dǎo)體存儲器被廣泛應(yīng)用。 按存儲介質(zhì)分類 半導(dǎo)體存儲器存儲元件由半導(dǎo)體器件組成的叫半導(dǎo)體存儲器?！ 〈鎯ζ鞯膸挍Q定了以存儲器為中心的機(jī)器可以獲得的信息傳輸速度，它是改善機(jī)器瓶頸的一個關(guān)鍵因素。存取周期：(Memory Cycle Time)是指存儲器進(jìn)行連續(xù)兩次獨立的存儲器操作(如連續(xù)兩次讀操作)所需的最小間隔時間，通常存取周期大于存取時間。存取時間：又叫存儲器的訪問時間(Memory Access Time)，它是指啟動一次存儲器操作(讀或?qū)?到完成該操作所需的全部時間?！ ∪缟蠄D(a)所示，對24位地址線的主存而言，按字節(jié)尋址的范圍是16MB，按字尋址的范圍為4MB。通常計算機(jī)系統(tǒng)既可按字尋址，也可按字節(jié)尋址。主存接到讀命令后，得知需將該地址單元的內(nèi)容讀出，便完成讀操作，將該單元的內(nèi)容讀至數(shù)據(jù)總線上，至于該信息由MDR送至什么地方，遠(yuǎn)已不是主存的任務(wù)，而是由CPU決定的。寫入時，MDR中的數(shù)據(jù)也必須經(jīng)過寫入電路才能真正寫入到被選中的單元中。對于存儲系統(tǒng)，存儲器與外界一次傳送的二進(jìn)制位數(shù)稱為粒度。 目錄1. 存儲器概述 1 主儲存器結(jié)構(gòu) 1 主存中存儲單元地址的分配 2 主存的技術(shù)指標(biāo) 32. 存儲器的分類 4 按存儲介質(zhì)分類 4 半導(dǎo)體存儲器 4 磁表面存儲器 4 光盤存儲器 4 按存取方式分類 4 隨機(jī)存儲器RAM(Random Access Memory) 4 只讀存儲器ROM(Read only Memory) 5 順序存取存儲器 5 直接存取存儲器 5 按應(yīng)用可分類 63. 各種存儲器的特點 7 存儲器基本單元 7 隨機(jī)存取存儲器（RAM） 7 只讀存儲器（ROM） 8 EPROM 8 EEPROM 9 高速緩沖存儲器（Cache) 9 硬盤 10 光盤 11 U盤 114. 各種存儲器與計算機(jī)的連接及其作用 12 存儲器與CPU的連接 12 存儲器的作用 135. 設(shè)計體會 146. 參考文獻(xiàn) 14 1. 存儲器概述，而現(xiàn)代計算機(jī)系統(tǒng)則以存儲器為中心。計算機(jī)中全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機(jī)程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。尤其是大學(xué)生和企業(yè)及公司工作人員都經(jīng)常使用到電腦和U盤等來存儲文件，然而我們對存儲器的真正了解又有多少呢。大學(xué)四年的學(xué)習(xí)時光轉(zhuǎn)眼即逝，面對所學(xué)專業(yè)，對微機(jī)原理課程設(shè)計不得不重視之。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。在程序執(zhí)行的過程中，CPU調(diào)入的指令、運算器需要的數(shù)據(jù)，以及需要存回運算結(jié)果，都要對存儲器運行操作；各種輸入輸出設(shè)備也常直接與存儲器交換數(shù)據(jù)；多處理器系統(tǒng)中，各處理器共享的數(shù)據(jù)通過共享存儲器實現(xiàn)；因此，存儲器是各種信息存儲和交換的中心。依據(jù)計算機(jī)計算的需要，不同的存儲器與同一存儲器在不同場合，與外界傳送的粒度是不同的，通常有字節(jié)、字、雙字、頁、塊、段、和扇區(qū)等。現(xiàn)代計算機(jī)的主存都由半導(dǎo)體集成電路構(gòu)成，圖中的驅(qū)動器、譯碼器和讀寫電路均制作在存儲芯片中，而MAR和MDR制作在CPU芯片內(nèi)。若要向主存存入—個信息字時，首先CPU將該字所在主存單元的地址經(jīng)MAR送到地址總線，并將信息字送入MDR，然后向主存發(fā)寫命令，主存按到寫命令后，便將數(shù)據(jù)線上的信息寫入到對應(yīng)地址線指出的主存單元中。例如IBM370機(jī)其字長為32位，它可按字節(jié)尋址，即它的每一個存儲字包含4個可獨立尋址的字節(jié)，其地址分配如下圖 (a)所示。如上圖(b)所示，對24位地址線而言，按字節(jié)尋址的范圍仍為16MB，但按字尋址的范圍為8MB。存取時間分讀出時間和寫入時間兩種?！ ‖F(xiàn)代MOS型存儲器的存取周期可達(dá)100ns；雙極型TTL存儲器的存取周期接近10ns。為了提高存儲器的帶寬，可以采用以下措施：縮短存取周期；增加存儲字長，使每個周期訪問更多的二進(jìn)制位；增加存儲體。其優(yōu)點是體積小、功耗低、存取時間短。 磁表面存儲器磁表面存儲器是在金屬或塑料基體的表面上涂一層磁性材料作為記錄介質(zhì)，工作時磁層隨載磁體高速運轉(zhuǎn)，用磁頭在磁層上進(jìn)行讀寫操作，故稱為磁表面存儲器。 按存取方式分類 按存取方式可把存儲器分為隨機(jī)存儲器、只讀存儲器、順序存儲器和直接存取存儲器四類。DDR RAM（DateRate RAM）也稱作DDR SDRAM，這種改進(jìn)型的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這種存儲器一旦存入了原始信息后，在程序執(zhí)行過程中，只能將內(nèi)部信息讀出，而不能隨意重新寫入新的信息去改變原始信息。例如，磁帶存儲器就是順序存取存儲器，其信息的記錄格式以記錄塊(或數(shù)據(jù)塊)為單位再加上一些間隔和標(biāo)志區(qū)，順序地排列成若干個記錄塊并組成一個記錄文件。 直接存取存儲器
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