微機(jī)原理與接口技術(shù)課程設(shè)計(jì)-wenkub
2023-01-31 15:31:15 本頁(yè)面
【正文】 故MOS半導(dǎo)體存儲(chǔ)器被廣泛應(yīng)用。 按存儲(chǔ)介質(zhì)分類 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器存儲(chǔ)元件由半導(dǎo)體器件組成的叫半導(dǎo)體存儲(chǔ)器?！ 〈鎯?chǔ)器的帶寬決定了以存儲(chǔ)器為中心的機(jī)器可以獲得的信息傳輸速度，它是改善機(jī)器瓶頸的一個(gè)關(guān)鍵因素。存取周期：(Memory Cycle Time)是指存儲(chǔ)器進(jìn)行連續(xù)兩次獨(dú)立的存儲(chǔ)器操作(如連續(xù)兩次讀操作)所需的最小間隔時(shí)間，通常存取周期大于存取時(shí)間。存取時(shí)間：又叫存儲(chǔ)器的訪問(wèn)時(shí)間(Memory Access Time)，它是指啟動(dòng)一次存儲(chǔ)器操作(讀或?qū)?到完成該操作所需的全部時(shí)間。 如上圖(a)所示，對(duì)24位地址線的主存而言，按字節(jié)尋址的范圍是16MB，按字尋址的范圍為4MB。通常計(jì)算機(jī)系統(tǒng)既可按字尋址，也可按字節(jié)尋址。主存接到讀命令后，得知需將該地址單元的內(nèi)容讀出，便完成讀操作，將該單元的內(nèi)容讀至數(shù)據(jù)總線上，至于該信息由MDR送至什么地方，遠(yuǎn)已不是主存的任務(wù)，而是由CPU決定的。寫入時(shí)，MDR中的數(shù)據(jù)也必須經(jīng)過(guò)寫入電路才能真正寫入到被選中的單元中。對(duì)于存儲(chǔ)系統(tǒng)，存儲(chǔ)器與外界一次傳送的二進(jìn)制位數(shù)稱為粒度。 目錄1. 存儲(chǔ)器概述 1 主儲(chǔ)存器結(jié)構(gòu) 1 主存中存儲(chǔ)單元地址的分配 2 主存的技術(shù)指標(biāo) 32. 存儲(chǔ)器的分類 4 按存儲(chǔ)介質(zhì)分類 4 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 4 磁表面存儲(chǔ)器 4 光盤存儲(chǔ)器 4 按存取方式分類 4 隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM(Random Access Memory) 4 只讀存儲(chǔ)器ROM(Read only Memory) 5 順序存取存儲(chǔ)器 5 直接存取存儲(chǔ)器 5 按應(yīng)用可分類 63. 各種存儲(chǔ)器的特點(diǎn) 7 存儲(chǔ)器基本單元 7 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM） 7 只讀存儲(chǔ)器（ROM） 8 EPROM 8 EEPROM 9 高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache) 9 硬盤 10 光盤 11 U盤 114. 各種存儲(chǔ)器與計(jì)算機(jī)的連接及其作用 12 存儲(chǔ)器與CPU的連接 12 存儲(chǔ)器的作用 135. 設(shè)計(jì)體會(huì) 146. 參考文獻(xiàn) 14 1. 存儲(chǔ)器概述，而現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)則以存儲(chǔ)器為中心。計(jì)算機(jī)中全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。尤其是大學(xué)生和企業(yè)及公司工作人員都經(jīng)常使用到電腦和U盤等來(lái)存儲(chǔ)文件，然而我們對(duì)存儲(chǔ)器的真正了解又有多少呢。大學(xué)四年的學(xué)習(xí)時(shí)光轉(zhuǎn)眼即逝，面對(duì)所學(xué)專業(yè)，對(duì)微機(jī)原理課程設(shè)計(jì)不得不重視之。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。在程序執(zhí)行的過(guò)程中，CPU調(diào)入的指令、運(yùn)算器需要的數(shù)據(jù)，以及需要存回運(yùn)算結(jié)果，都要對(duì)存儲(chǔ)器運(yùn)行操作；各種輸入輸出設(shè)備也常直接與存儲(chǔ)器交換數(shù)據(jù)；多處理器系統(tǒng)中，各處理器共享的數(shù)據(jù)通過(guò)共享存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)；因此，存儲(chǔ)器是各種信息存儲(chǔ)和交換的中心。依據(jù)計(jì)算機(jī)計(jì)算的需要，不同的存儲(chǔ)器與同一存儲(chǔ)器在不同場(chǎng)合，與外界傳送的粒度是不同的，通常有字節(jié)、字、雙字、頁(yè)、塊、段、和扇區(qū)等?，F(xiàn)代計(jì)算機(jī)的主存都由半導(dǎo)體集成電路構(gòu)成，圖中的驅(qū)動(dòng)器、譯碼器和讀寫電路均制作在存儲(chǔ)芯片中，而MAR和MDR制作在CPU芯片內(nèi)。若要向主存存入—個(gè)信息字時(shí)，首先CPU將該字所在主存單元的地址經(jīng)MAR送到地址總線，并將信息字送入MDR，然后向主存發(fā)寫命令，主存按到寫命令后，便將數(shù)據(jù)線上的信息寫入到對(duì)應(yīng)地址線指出的主存單元中。例如IBM370機(jī)其字長(zhǎng)為32位，它可按字節(jié)尋址，即它的每一個(gè)存儲(chǔ)字包含4個(gè)可獨(dú)立尋址的字節(jié)，其地址分配如下圖 (a)所示。如上圖(b)所示，對(duì)24位地址線而言，按字節(jié)尋址的范圍仍為16MB，但按字尋址的范圍為8MB。存取時(shí)間分讀出時(shí)間和寫入時(shí)間兩種?！ ‖F(xiàn)代MOS型存儲(chǔ)器的存取周期可達(dá)100ns；雙極型TTL存儲(chǔ)器的存取周期接近10ns。為了提高存儲(chǔ)器的帶寬，可以采用以下措施：縮短存取周期；增加存儲(chǔ)字長(zhǎng)，使每個(gè)周期訪問(wèn)更多的二進(jìn)制位；增加存儲(chǔ)體。其優(yōu)點(diǎn)是體積小、功耗低、存取時(shí)間短。 磁表面存儲(chǔ)器磁表面存儲(chǔ)器是在金屬或塑料基體的表面上涂一層磁性材料作為記錄介質(zhì)，工作時(shí)磁層隨載磁體高速運(yùn)轉(zhuǎn)，用磁頭在磁層上進(jìn)行讀寫操作，故稱為磁表面存儲(chǔ)器。 按存取方式分類 按存取方式可把存儲(chǔ)器分為隨機(jī)存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器、順序存儲(chǔ)器和直接存取存儲(chǔ)器四類。DDR RAM（DateRate RAM）也稱作DDR SDRAM，這種改進(jìn)型的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這種存儲(chǔ)器一旦存入了原始信息后，在程序執(zhí)行過(guò)程中，只能將內(nèi)部信息讀出，而不能隨意重新寫入新的信息去改變?cè)夹畔ⅰ＠?，磁帶存?chǔ)器就是順序存取存儲(chǔ)器，其信息的記錄格式以記錄塊(或數(shù)據(jù)塊)為單位再加上一些間隔和標(biāo)志區(qū)，順序地排列成若干個(gè)記錄塊并組成一個(gè)記錄文件。 直接存取存儲(chǔ)器
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