雷擊浪涌防護設計技術-wenkub
2023-01-22 01:56:11 本頁面
【正文】 ufr Δ u Δτ ufr： 實際放電電壓 氣體放電管 雷擊浪涌防護設計技術 優(yōu)點 缺點 ? 極間絕緣電阻大 ? 極間電容小 ? 泄放暫態(tài)過電流能力強 ? 時延 ? 續(xù)流 ? 老化 半導體放電管 雷擊浪涌防護設計技術 ? 伏安特性 IBO IH IT IPP IDM VBO VDM V I VBR VT IBO IH IT IPP IDM VBO VDM V I VBR VT 單向半導體放電管 雙向半導體放電管 半導體放電管 雷擊浪涌防護設計技術 優(yōu)點 缺點 ? 通態(tài)電壓低 ? 動作響應快 ? 無老化 ? 通流容量較小 ? 有續(xù)流 ? 轉折電壓較高 壓敏電阻 雷擊浪涌防護設計技術 ? 伏安特性 108 106 104 102 100 102 電流 /A 104 10 20 50 100 200 500 1000 電壓( V ) 泄漏區(qū) 箝位工作區(qū) 過載區(qū) 壓敏電阻 雷擊浪涌防護設計技術 優(yōu)點 缺點 ? 通流容量大 ? 動作響應快 ? 無續(xù)流 ? 極間電容大 ? 老化 瞬態(tài)電壓抑制器 雷擊浪涌防護設計技術 TVS— Transient Voltage Suppressor ? 伏安特性 + + 正向 反向 正向電壓 反向電壓 VRM Vbr Vc IPP IRM 正向電流 反向電流 TVS 雷擊浪涌防護設計技術 優(yōu)點 缺點 ? 箝位電壓低 ? 動作響應快 ? 無續(xù)流 ? 無老化 ? 通流容量較小 幾種保護器件的比較 雷擊浪涌防護設計技術 氣體放電管 壓敏電阻 TVS 泄漏電流 無 小 小 續(xù)流 有 無 無 極間電容 小 大 中 響應時間 慢 (us) 較快 (ns) 快 (ps) 通流容量 大 (1kA~100kA) 大 (~100kA) 較小 (~1kA) 老化現象 有 有 無 箝位電壓 放電電壓高 中等 低 防雷電路設計 雷擊浪涌防護設計技術 三級保護電路 雷擊浪涌防護設計技術 輸出端 輸入端 V V V t t t 典型電路分析 雷擊浪涌防護設計技術 ? 單相交流電源的單級保護電路 L M1 M2 M3 PE N M M2的型號和參數應一樣 典型電路分析 雷擊浪涌防護設計技術 ? 單相交流電源的單級保護電路 PE L N M1 M2 M3 min ( Ufdc ) ≥
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