[工學(xué)]微機原理及接口20xx年度第15次課-wenkub
2022-12-22 23:34:05 本頁面
【正文】 儲器 第一節(jié) 概述 一、存儲器的分類 二、半導(dǎo)體存儲器的分類 三、半導(dǎo)體存儲器的指標 (一 ) 容量 (二 ) 存取速度 存取速度由存取時間衡量。集成度高，反應(yīng)快，功耗低，但需要刷新電路。 控制邏輯 接收來自 CPU的啟動、片選、讀 /寫及清楚控制信號，經(jīng)綜合處理后，發(fā)出一組時序信號來控制讀 /寫操作。 譯碼驅(qū)動電路 將地址總線輸入的地址碼轉(zhuǎn)換成與它對應(yīng)的譯碼輸出線上的高電平或低電平，以表示選中了某一單元。 存取速度 超高速存儲器 20ns 中速存儲器 100 ~ 200ns 低速存儲器 300ns 第四章 半導(dǎo)體存儲器 第一節(jié) 概述 第二節(jié) 隨機讀寫存儲器（ RAM） 靜態(tài) RAM(SRAM)：存儲單元使用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器，可帶電信息可長期保存。 第四章 半導(dǎo)體存儲器 第一節(jié) 概述 微型計算機系統(tǒng)中的存儲器分級組成 第四章 半導(dǎo)體存儲器 第一節(jié) 概述 一、存儲器的分類 二、半導(dǎo)體存儲器的分類 三、半導(dǎo)體存儲器的指標 半導(dǎo)體存儲器的指標：可靠性、功耗、價格、電源種類、芯片的容量和存取速度等等。 ④ 可電改寫的只讀存儲器 EEPROM ③ 可擦除只讀存儲器 EPROM ② 可編程只讀存儲器 PROM （ 2） ROM的分類及特點 ① 掩膜只讀存儲器 第一節(jié) 概述 一、存儲器的分類 二、半導(dǎo)體存儲器的分類 呈現(xiàn)金字塔形結(jié)構(gòu)，越往上存儲器件的速度越快，CPU的訪問頻度越高；同時價格也越高，系統(tǒng)擁有量越小。用紫外光照射 15分鐘左右，芯片中信息被擦除。 第四章 半導(dǎo)體存儲器 第一節(jié) 概述 一、存儲器的分類 二、半導(dǎo)體存儲器的分類 （ 2） ROM的分類及特點 ① 掩膜只讀存儲器 掩膜只讀存儲器是芯片廠家用用光刻工藝掩膜對存儲器進行編程，一旦制造完畢，其內(nèi)容就不可更改。 特點：容量大、速度較低、CPU不能直接讀寫。 ? 偽指令 數(shù)據(jù)定義偽指令 ， 符號定義偽指令 ， 段 定義偽指令 小結(jié) ！ ！ ? 匯編語言程序格式： 匯編語言 ， 匯編語言語句的分類 ，匯編語言語句的格式 ? 匯編語言程序設(shè)計： 順序結(jié)構(gòu) ， 選擇結(jié)構(gòu) ， 循環(huán)結(jié)構(gòu) 第 4章 半導(dǎo)體存儲器 概述 CPU與存儲器的連接 隨機 讀寫存儲器 第四章 半導(dǎo)體存儲器 第一節(jié) 概述 一、存儲器的分類 按存取速度和用途 內(nèi)存 外存 ：通過系統(tǒng)總線直接與 CPU相連 ：通過 I/O接口與 CPU相連 二、半導(dǎo)體存儲器的分類 按制造工藝 雙極型 CMOS型 HMO
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