補(bǔ)償密度測井儀器講課-wenkub
2022-11-02 20:07:53 本頁面
【正文】 A 25 10 的 3 腳 H A 25 10 的 6 腳信號模塊的輸出波形15V4 8V1 2V37 u S5u S 5u S井徑電路 T1GND462 .2 K100u 100u50R1K2 C W 5 8D2C4C5R1R5D4RW井徑測量電路原理 井徑測量電路由井徑電源和井徑電位器組成 。 為方便起見 ， 在電路印制板上的分頻部分引出了兩個端子 ， 分別為 8分頻和 16分頻 。 前放電路 信號處理電路 1 242 233 224 215 206 197 188 179 1610 1511 1412 13U23 9 KR9R?R81 0 0 RR 1 00 .1 uC60 .1 uC70 .1 uC8+ 1 2 VJ 1 8T P 5T P 78 16T P 1 0H A 2 5 1 0 6信號處理電路 密度儀器的信號處理電路只有一塊高溫混合電路 LH117068， 它集跟隨 、 鑒別 、 分頻 、 整形為一體 ， 外圍元件只有兩個調(diào)鑒別門檻的電阻 ， 以 L道電路為例 。 電阻 R1負(fù)責(zé)收集光電倍增管來的脈沖信號 ，并且產(chǎn)生壓降輸出 。 輸出電流為 250μA。它可帶 7M以上負(fù)載，且可開路（相當(dāng)負(fù)載為無窮大）使用。然后再看在該高壓情況下，恒溫一小時后的計數(shù)與常溫時的計數(shù)相對變化范圍是否小于 5%，若滿足則可確定其高壓。 探測器 高溫篩選閃爍探測器的方法和步驟： 高溫坪區(qū)篩選 將光電倍增管和晶體耦合好，臵于黑暗的烘箱內(nèi)，晶體附近放一顆高溫檢查源 (伽馬源 )，接好高壓線，信號線及相應(yīng)的測試設(shè)備。 高溫老化： 將 NaI晶體放入烘箱中加溫至 175176。反復(fù)兩次后方可使用。 C時電容的容量下降幅度不超過 30％ 。 要求 175176。把電阻放入烘箱內(nèi)加溫至 175176。 在維修液壓推靠器時，要防止由于推靠器的自鎖故障而造成的推靠器付臂突然崩開。 電烙鐵使用完后及時放回原位 ， 以免在維修中造成燙傷 。 調(diào)試過程中要注意避免被高壓擊傷 。因此，密度儀器記錄的脈沖信號計數(shù)率與地層密度值之間成反比關(guān)系。很明顯，在不同的地層中，計數(shù)率隨源距的衰減的曲線會有一個交點(diǎn)。當(dāng)源強(qiáng)和源距選定后，探測器接收到的散射伽馬射線的強(qiáng)度決定于兩個作用過程：（ 1）由源發(fā)射出的伽馬光子經(jīng)地層一次或多次散射使部分伽馬光子射向探測器；（ 2）射向探測器的伽馬光子，有一部分被再散射而改變方向或者被吸收。 密度測井選用 Cs137為伽馬源 ，它發(fā)射能量為 ， 這就排除了形成電子對的可能性 。距離源近的探測器叫短源距探測器，距離源遠(yuǎn)的叫長源距探測器。 儀器技術(shù)指標(biāo) 儀器最大外壓： 100Mpa 儀器最大測速： 560m/h 測速與源強(qiáng)有關(guān) 。補(bǔ)償密度測井儀 講課提綱 儀器簡介 測井原理 探測器 電路簡介 儀器刻度 儀器構(gòu)成 儀器簡介 微球密度組合探頭 液壓推靠器 微球電子線路艙 儀器簡介 雙源距補(bǔ)償密度測井儀是測量地層體積密度的理想儀器，儀器滑板借助推靠器緊貼井壁，裝在滑板下端的放射源放射出中等能量的伽馬射線射向地層，并與地層物質(zhì)的電子發(fā)生康普頓散射。 儀器使用電纜長度 ?7000m 儀器測量范圍 : g/cm3 儀器耐溫： 1550 補(bǔ)償密度測井的核物理基礎(chǔ) 儀器的放射源和探測器裝在壓向井壁的滑板上，測井時伽馬源向地層發(fā)射伽馬光子，經(jīng)地層散射吸收后，有部分經(jīng)過散射的光子由密度測井儀器的兩個探測器接收。地層的密度不同，對伽馬光子的散射和吸收能力不同，探測器記錄到的讀數(shù)也不同。 密度測井核物理基礎(chǔ) 如果將記錄伽馬射線的閥值定為 － ，也就是說只記錄那些能量較高的一次散射或多次散射伽馬射線，那就很大程度上避免了光電吸收的影響。當(dāng)源距很小時，上述第一個過程是主要的，因而地層密度越大，計數(shù)率也越高。相應(yīng)的源距叫零源距。 儀器特點(diǎn) 儀器特點(diǎn) 本儀器由探測器、前臵放大電路、信號處理電路以及高壓電路組成。 儀器通電后 ， 即使關(guān)掉電源 ， 在高壓隔直電容和濾波電容上在短時間內(nèi)仍然殘留高壓電位 。 探測器是精密部件 ， 制造過程過程中安裝 、 拆卸的時候要輕拿輕放 ，不能碰撞 ， 以免損壞 。 密度儀器調(diào)試注意事項 電阻： 補(bǔ)償密度測井儀采用的電阻和高溫精密電阻 ， 要求電阻的精度在 5％ 以下 。 C，并且恒溫二個小時。 C時電容的容量下降幅度不超過 30％ 。 密度測井儀采用的貼片電容和其它電容，須進(jìn)行高溫老化。 密度儀器對探測器的要求 探測器晶體 （ NaI） 尺寸篩選 ： 密度儀器使用的晶體尺寸為 Φ22Χ50，Φ17Χ22。 C， 并且恒溫二個小時 。 在常溫下，從
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1