【正文】 1KR1G D B L1 0KR41 2 VT P 3T P 1+ 12 VT P 1 2L H 11 7 06 8 1 2由碘化納晶體和光電倍增管組成的探測器將接收到的伽馬射線轉(zhuǎn)換成電脈沖 ， 經(jīng)電容 C1耦合到 HA2510運(yùn)算放大器 。 C， 并且恒溫二個小時(shí) 。 C，并且恒溫二個小時(shí)。 儀器特點(diǎn) 儀器特點(diǎn) 本儀器由探測器、前臵放大電路、信號處理電路以及高壓電路組成。地層的密度不同，對伽馬光子的散射和吸收能力不同，探測器記錄到的讀數(shù)也不同。距離源近的探測器叫短源距探測器，距離源遠(yuǎn)的叫長源距探測器。因此，密度儀器記錄的脈沖信號計(jì)數(shù)率與地層密度值之間成反比關(guān)系。把電阻放入烘箱內(nèi)加溫至 175176。 高溫老化： 將 NaI晶體放入烘箱中加溫至 175176。 輸出電流為 250μA。 信號處理電路的主要波形圖 輸入信號， H A 25 10 的 3 腳 H A 25 10 的 6 腳信號模塊的輸出波形15V4 8V1 2V37 u S5u S 5u S井徑電路 T1GND462 .2 K100u 100u50R1K2 C W 5 8D2C4C5R1R5D4RW井徑測量電路原理 井徑測量電路由井徑電源和井徑電位器組成 。 儀器常見故障檢查 密度儀器的探測器和電路部分卸出后，若要通電檢查，則需對探測器 (光電倍增管和碘化納晶體 )進(jìn)行避光，一般是用黑布將探測器部分罩起來。并且密度探頭的源倉要與刻度模塊的垂直端面保持至少 15cm 。AL/AS=1/(K+1) 這條直線叫輕肋線 ， 與水平線夾角應(yīng)為 51176。 2. 填寫刻度報(bào)告 。 b) 用公式驗(yàn)證脊角： α＝ [Ln（ － ） ]/[Ln( )] c) 儀器脊角正確后才進(jìn)行下一步。 如圖所示： 使用現(xiàn)場刻度器的注意事項(xiàng) 2 0 03 0 04 0 05 0 06 0 07 0 04 0 0 5 0 0 6 0 0 7 0 0 8 0 0 9 0 0 1 0 0 0ABCNLNScps/秒c p s /秒（ 2 .6 9 9 ）（ 2 .3 7 4 ）（ 2 .1 8 5 ）輕 0 .5輕 0 .5輕 1 .0輕 1 .0輕 1 .5輕 1 .5輕 2 .0重 2 .0重 1 .5重 1 .5重 1 .0重 1 .0重 0 .5重 0 .5重 0 .5α補(bǔ)償密度測井儀刻度原理 眾所周知，在無泥餅條件下，用不同源距的兩個探測器進(jìn)行測量，它們的計(jì)數(shù)率與地層密度關(guān)系： ρ=1/A(lnN－ B) 現(xiàn)分別用角碼 S及 L表示短源距和長源距則有： ρL=1/AL(lnNL－ BL) ρS=1/AS(lnNS－ BS) 因無泥餅影響 ρL=ρS=ρb 兩式和并有 (lnNL－ BL)= AL/AS(lnNS－ BS) 即 lnNL 與 lnNS關(guān)系為一直線 ， 其斜率為 AL/AS， 我們把這條線稱為脊線 ， α=arctg(AL/AS)稱為脊角 ， A=dlnN/?ρb=－ ， 與源距成正比 ， 因此 ， 脊角與長 、 短探測器的源距有很大的關(guān)系 。 把模塊表面擦拭干凈 ， 尤其是模塊與儀器滑板的接觸面要保持絕對干凈 ， 不能有細(xì)沙子和泥土 。 儀器常見故障檢查 觀察本底時(shí)，計(jì)數(shù)不穩(wěn)，有跳動現(xiàn)象 ,此時(shí)可檢查探測器避光是否良好，管座是否干凈，高壓是否穩(wěn)定，在排除了上述諸方面原因外，可檢查電路板，更換相應(yīng)元件，當(dāng)然認(rèn)真檢查引入引出的信號線是否破壞也是十分必要的。 為方便起見 ， 在電路印制板上的分頻部分引出了兩個端子 ， 分別為 8分頻和 16分頻 。它可帶 7M以上負(fù)載，且可開路（相當(dāng)負(fù)載為無窮大）使用。反復(fù)兩次后方可使用。 在維修液壓推靠器時(shí)，要防止由于推靠器的自鎖故障而造成的推靠器付臂突然崩開。很明顯，在不同的地層中，計(jì)數(shù)率隨源距的衰減的曲線會有一個交點(diǎn)。 儀器技術(shù)指標(biāo) 儀器最大外壓： 100Mpa 儀器最大測速： 560m/h 測速與源強(qiáng)有關(guān) 。 密度測井核物理基礎(chǔ) 如果將記錄伽馬射線的閥值定為 － ，也就是說只記錄那些能量較高的一次散射或多次散射伽馬射線，那就很大程度上避免了光電吸收的影響。 儀器通電后 ， 即使關(guān)掉電源 ， 在高壓隔直電容和濾波電容上在短時(shí)間內(nèi)仍然殘留高壓電位 。 C時(shí)電容的容量下降幅度不超過 30％ 。 在常溫下，從 1000V開始，高壓每升高 50V，記錄一組計(jì)數(shù)率，以電壓為橫坐標(biāo)，計(jì)數(shù)率為縱坐標(biāo)，畫出一條坪曲線，烘箱升溫到 175℃ 時(shí)，再測一條坪曲線。 電阻 R R5和 HA2510對信號進(jìn)行放大 ， 一般調(diào)整電阻 R5來實(shí)現(xiàn)所需要的