補(bǔ)償密度測(cè)井儀器講課-文庫(kù)吧資料
2024-10-24 20:07本頁(yè)面
【正文】 推靠器放開(kāi)過(guò)程中 ， 電流不超過(guò) 100mA。 2個(gè) 。 儀器常規(guī)檢查 1. 給井下儀器供電 AC180V(電流約為 50mA)， 觀察本底計(jì)數(shù) ， 長(zhǎng)源距每分鐘為 80177。 儀器在井下所反映的井徑的變化 ， 直接從井徑電位器的可變端上的電壓的變化所獲得 。井徑電源由單獨(dú)的電源提供 ， 它通過(guò)整流 、 穩(wěn)壓和濾波獲得 10V的直流電壓 。此信號(hào)直接傳輸?shù)?DTB接口 。 儀器出廠時(shí)為 8分頻 ， 如果需要 16分頻 ， 把 LH117068的 22腳的引出端與 LH117068的 2腳的引出端短路即可 。 為防止電纜漏計(jì)和消除整形電路可能產(chǎn)生的阻塞現(xiàn)象 ， 所以采取了分頻措施 。 LH117068采用 DC+12V單電源供電 ， 工作電流為 10mA。 從光電倍增管輸出的光電峰 （ 觀察點(diǎn) TP1） 一般為 12V的負(fù)脈沖 ， 脈沖寬度在 5μS左右 ， 經(jīng)放大電路放大后 ， 輸出幅度 （ 觀察點(diǎn) TP3） 為 78V的負(fù)脈沖 ， 脈寬在 3μS左右 。 電阻 R R5和 HA2510對(duì)信號(hào)進(jìn)行放大 ， 一般調(diào)整電阻 R5來(lái)實(shí)現(xiàn)所需要的放大倍數(shù) 。 12V， 電阻 R R7，電容 C C5分別構(gòu)成濾波網(wǎng)絡(luò)對(duì)電源進(jìn)行濾波 。 高壓模塊的輸出電壓由 2個(gè)電阻來(lái)調(diào)節(jié)，如圖，R21調(diào)節(jié)長(zhǎng)源距的輸出高壓，此電壓一般調(diào)節(jié)在1550V~1700V之間，再由 R23調(diào)節(jié)短源距高壓，此電壓一般選在 +1100V~1250V，實(shí)際工作電壓由探測(cè)器的坪曲線決定 高壓電路 儀器電路簡(jiǎn)介 前放電路 3267 1 54 8U1H A 2 5 105 10 RR21 0KR33 3KR51 00 RR61 00 RR70 .0 1uC11 0pC30 .1 uC55 .1 pC20 .1 uC40 .1 uC65 1KR1G D B L1 0KR41 2 VT P 3T P 1+ 12 VT P 1 2L H 11 7 06 8 1 2由碘化納晶體和光電倍增管組成的探測(cè)器將接收到的伽馬射線轉(zhuǎn)換成電脈沖 ， 經(jīng)電容 C1耦合到 HA2510運(yùn)算放大器 。 12V， 輸出電壓最高為+2021V， 工作電流小于 30mA。負(fù)載電阻越大，高壓輸出的紋波就越小，中子儀器高壓輸出紋波 ≤ 30mV。 密度儀器電路簡(jiǎn)介 電路簡(jiǎn)介 密度探測(cè)器 1 密度探測(cè)器 2 密度源室 密度電子線路艙 高壓電路 123412345656R?R 2 1R?R 2 3H V LH V SU5U6R?R 2 2R?R 2 4 H C T E D 0 1 J 1H C T E D 0 1 J 1H C T E D O 1 J 1H C T E D O 1 J 11 00 0 0 p C 1 91 00 0 0 p C 2 0 高壓部分采用的是 HVC175PB1202超小型電源模塊。 光電倍增管的坪寬在 150V左右。 對(duì)比三條坪曲線，選一段重合較好，也就是高溫計(jì)數(shù)相對(duì)常溫計(jì)數(shù)變化較小的，確定出合適的工作高壓。 在常溫下，從 1000V開(kāi)始，高壓每升高 50V，記錄一組計(jì)數(shù)率，以電壓為橫坐標(biāo)，計(jì)數(shù)率為縱坐標(biāo)，畫(huà)出一條坪曲線，烘箱升溫到 175℃ 時(shí)，再測(cè)一條坪曲線。 晶體的高溫老化必須做兩次 。 C， 并且恒溫二個(gè)小時(shí) 。 另外 ， 晶體上不能有破裂或氣泡 。 密度儀器對(duì)探測(cè)器的要求 探測(cè)器晶體 （ NaI） 尺寸篩選 ： 密度儀器使用的晶體尺寸為 Φ22Χ50，Φ17Χ22。 C，并且恒溫二個(gè)小時(shí)。 密度測(cè)井儀采用的貼片電容和其它電容，須進(jìn)行高溫老化。 要求175176。 C時(shí)電容的容量下降幅度不超過(guò) 30％ 。 密度儀器對(duì)電子元器件的要求 密度儀器對(duì)電子元器件的要求 電容 對(duì)膽電容要檢查其耐壓值是否適合電路要求 ， 并經(jīng)過(guò)溫度試驗(yàn)檢查其溫漂 。 C，并且恒溫二個(gè)小時(shí)。 電阻抽樣檢查合格后，須進(jìn)行高溫老化。 密度儀器調(diào)試注意事項(xiàng) 電阻： 補(bǔ)償密度測(cè)井儀采用的電阻和高溫精密電阻 ， 要求電阻的精度在 5％ 以下 。 往密度滑板里放入線路骨架時(shí)，手指千萬(wàn)不能伸入滑板上的圓孔。 探測(cè)器是精密部件 ， 制造過(guò)程過(guò)程中安裝 、 拆卸的時(shí)候要輕拿輕放 ，不能碰撞 ， 以免損壞 。 需要注意安全 。 儀器通電后 ， 即使關(guān)掉電源 ， 在高壓隔直電容和濾波電容上在短時(shí)間內(nèi)仍然殘留高壓電位 。 密度儀器調(diào)試注意事項(xiàng) 補(bǔ)償密度儀器中有高壓電源 ， 高壓接近2KV。 儀器特點(diǎn) 儀器特點(diǎn) 本儀器由探測(cè)器、前臵放大電路、信號(hào)處理電路以及高壓電路組成。密度測(cè)井均采用正源距。相應(yīng)的源距叫零源距。 密度測(cè)井的核物理基礎(chǔ) 密度測(cè)井的核物理基礎(chǔ)
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