納米材料導論納米粒子制備方法-wenkub
2022-11-02 18:58:26 本頁面
【正文】 例如用連續(xù)輸出的 CO2激光輻照硅烷氣體分子(SiH4)時，硅烷分子很容易熱解 : ? 激光制備納米粒子裝置一般有兩種類型：正交裝置和平行裝置 ． 其中 正交裝置 使用方便 ， 易于控制 ， 工程實用價值大 ． 激光加熱速率為 106108 ℃ ／ S 加熱到反應最高溫度的時間小于 104S 被加熱的反應氣流將在反應區(qū)域內形成穩(wěn)定分布的火焰，火焰中心處的溫度一般遠高于相應化學反應所需要的溫度，因此反應在 103s內即可完成。 對某些有機硅化合物和羰基鐵一類的物質，它們對 C02激光無明顯的吸收。 為了保證化學反應所需要的能量，需要選擇對入射激光具有強吸收的反應氣體 為了保證反應生成的核粒子快速冷凝，獲得超細的粒子，需要采用 冷壁反應室 ?種類： 水冷式反應器壁，透明輻射式反應器壁。這樣可以保證反應能在清潔的環(huán)境中進行。 如 NH3屬于堿性氣體，應考慮使用堿性脫水劑除去其中的水分，否則純化過程中會 引發(fā)某些化學反應 ，大大降低 NH3原料的利用率。 反應氣進行 預熱 處理 ? 為了提高反應 氣體的利用率 ，從而提高反應收率。 ? 反應氣配比 是一個關鍵性因素。反應氣體分子吸收激光光子后將通過兩種物理圖像得到加熱： ①氣體分子吸收單光子或多光子而得到加熱； ②氣體分子吸收光子能量后平均平動動能提高，與其他氣體分子碰撞發(fā)生能量交換或轉移，即通過 碰撞加熱反應體系。 等離子體法制備納米粒子的基本原理： 等離子體法制備納米粒子的主要過程： ? 實驗裝置 :主要包括等離子體發(fā)生裝置、反應裝置、冷卻裝置、收集裝置和尾氣處理裝置 ? 相應的制備過程主要有： 等離子體產生、原料蒸發(fā)、化學反應、冷卻凝聚、粒子捕集和尾氣處理等過程 γ射線輻照法 常溫下采用
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