【總結(jié)】第三講半控型電力電子器件—晶閘管概述晶閘管(Thyristor):晶體閘流管,可控硅整流器(SiliconControlledRectifier——SCR)。1956年美國貝爾實驗室(BellLab)發(fā)明了晶閘管;1957年美國通用電氣公司(GE)開發(fā)出第一只晶閘管產(chǎn)品;1958年商業(yè)化,開辟了電力電子技術(shù)迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用的嶄新時代;20世紀(jì)80年代以來,開
2025-06-24 08:14
【總結(jié)】通訊IQC電子器件培訓(xùn)修訂日期修訂單號修訂內(nèi)容摘要頁次版次修訂審核批準(zhǔn)2011/03/30/系統(tǒng)文件新制定4A/0///
2025-04-02 00:19
【總結(jié)】目錄第一章電力電子元器件行業(yè)概述........................3電力電子元器件產(chǎn)品概述................................3電力電子器件的今后發(fā)展動向............................3第二章、電力電子元器件應(yīng)用領(lǐng)域分析預(yù)測.................4變頻器-
2024-12-15 21:21
【總結(jié)】第9章電力電子器件應(yīng)用的共性問題電力電子器件的驅(qū)動電力電子器件的保護(hù)電力電子器件的串聯(lián)使用和并聯(lián)使用2/75電力電子器件的驅(qū)動電力電子器件驅(qū)動電路概述典型全控型器件的驅(qū)動電路IGBT器件的驅(qū)動電路3/75電
2025-02-14 17:36
【總結(jié)】遼寧工業(yè)大學(xué)電力電子技術(shù)課程設(shè)計(論文)題目:50kw感應(yīng)加熱電源初步設(shè)計院(系):電氣工程學(xué)院專業(yè)班級:電氣000學(xué)號:000303026學(xué)生姓名:
2025-02-04 14:32
【總結(jié)】1.光電導(dǎo)長度對光電流的影響()ppnpAAIUgUUqnLL?????????out2()npqUNL?????ininNN=:outoutVnpgNNV????????????????,:入射的光子數(shù),:量子效率,產(chǎn)
2024-12-31 22:44
【總結(jié)】短溝道效應(yīng)當(dāng)MOSFET的溝道長度L↓時,分立器件:集成電路:??????MmaxpgmonmD,,,,,fKRgI?但是隨著L的縮短,將有一系列在普通MOSFET中不明顯的現(xiàn)象在短溝道MOSFET中變得嚴(yán)重起來,這一系
2025-04-29 00:54
【總結(jié)】第二章、電力電子器件、電力電子器件的基本模型、電力二極管?、晶閘管、可關(guān)斷晶閘管?、電力晶體管?、電力場效應(yīng)晶體管?、絕緣柵雙極型晶體管?、其它新型電力電子器件、電力電子器件的驅(qū)動與保護(hù)、電力電子器件的基本模型電力半導(dǎo)體器件是電
2025-02-06 20:00
【總結(jié)】-光電轉(zhuǎn)換的橋梁徐徐征征北京交通大學(xué)理學(xué)院光電子技術(shù)研究所v徐征博士教授博士生導(dǎo)師北京交通大學(xué)光電子技術(shù)研究所光學(xué)學(xué)會光電專業(yè)委員會委員中國儀器儀表學(xué)會光機電技術(shù)與系統(tǒng)集成分會理事《液晶與顯示》雜志編委《光電子·激光》雜志編委《光譜學(xué)與光譜分析》
【總結(jié)】報告人:高大永熱電材料的發(fā)展現(xiàn)狀及應(yīng)用前言在當(dāng)今時代,環(huán)保和節(jié)能已經(jīng)成為時代的主題。如何開發(fā)新的綠色能源,如何更好的做到低功耗,如何更好的保護(hù)環(huán)境又不影響人類的發(fā)展,成為研究的重點。熱電轉(zhuǎn)化器件,因為具有環(huán)保、能源回收等多種優(yōu)點
【總結(jié)】幾種重要的微電子器件幾種重要的微電子器件主要內(nèi)容?薄膜晶體管TFT?光電器件?電荷耦合器件薄膜晶體管?薄膜晶體管(ThinFilmTransistor,TFT)通常是指利用半導(dǎo)體薄膜材料制成的絕緣柵場效應(yīng)晶體管?非晶硅薄膜晶體管(a-SiTFT)?多晶硅薄膜晶體管(poly-SiTFT)?碳化硅薄膜晶體管
2025-01-01 04:14
【總結(jié)】18/18
2024-08-12 05:35
【總結(jié)】MOSFET的直流參數(shù)與溫度特性MOSFET的直流參數(shù)1、閾電壓VT2、飽和漏極電流IDSS只適用于耗盡型MOSFET,表示當(dāng)VGS=0,VDSVDsat且恒定時的IDsat,即??22DSSGSTT22IVVV????
2024-08-14 19:44
【總結(jié)】高頻小信號電流電壓方程與等效電路高頻小信號電流電壓方程與等效電路推導(dǎo)步驟首先利用電荷控制方程得到“i~q”關(guān)系,然后再推導(dǎo)出“q~v”關(guān)系,兩者結(jié)合即可得到“i~v”方程。本節(jié)以均勻基區(qū)NPN管為例。(并推廣到高頻小信號)先列出一些推導(dǎo)中要用到的關(guān)系式:
2025-01-01 04:40
【總結(jié)】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對高頻信號進(jìn)行放大時,首先用被稱為“偏置”或“工作點”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號疊加在輸入端的直流偏置上。當(dāng)信號電壓的振幅遠(yuǎn)小于(kT/q)時,稱為小信號。這時晶體管內(nèi)與信號有關(guān)的各電壓、電流和電荷量,