光電子器件報(bào)告-wenkub
2023-01-19 22:44:49 本頁(yè)面
【正文】 電材料， 以 SiGe為代表。 Bi2Te3晶體結(jié)構(gòu)（ ● ： Te； ● ： Bi） 中溫?zé)犭?,PbTe材料已經(jīng)比較成熟。 如何確定材料熱電性能的好壞 ? 熱電材料的熱電轉(zhuǎn)換效率可用無(wú)量綱熱電優(yōu)值ZT來(lái)表征， ZT越大 , 材料的熱電性能越好。若存在回路，在回路中將出現(xiàn)電流。 二、熱電轉(zhuǎn)化的理論基礎(chǔ) ? 1821年塞貝克通過(guò)研究不同導(dǎo)體組成的回路發(fā)現(xiàn)了塞貝克效應(yīng)。 報(bào)告內(nèi)容 ? 熱電材料的發(fā)展 ? 熱電轉(zhuǎn)化的理論基礎(chǔ) ? 熱電材料的分類 ? 提高材料性能的主要方法 ? 熱電材料的應(yīng)用范圍 ? 總結(jié) 一、熱電材料的發(fā)展 熱電材料起源于 19世紀(jì) 30年代，由于當(dāng)時(shí)主要是金屬材料，所以研究進(jìn)展相當(dāng)緩慢。 報(bào)告人：高大永 熱電材料的發(fā)展現(xiàn)狀及應(yīng)用 前 言 在當(dāng)今時(shí)代，環(huán)保和節(jié)能已經(jīng)成為時(shí)代的主題。到了 20世紀(jì) 30年代，半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)，熱電材料的研究再次引起人們的關(guān)注。 ? 1834年帕爾貼在塞貝克效應(yīng)的基礎(chǔ)上發(fā)現(xiàn)了帕爾貼效應(yīng)。 ? 帕爾帖效應(yīng)，又稱第二熱電效應(yīng)，是指當(dāng)電流通過(guò) A 、 B兩種導(dǎo)體組成的接觸點(diǎn)時(shí)，除了因?yàn)殡娏髁鹘?jīng)電路而產(chǎn)生的焦耳熱外，還會(huì)在接觸點(diǎn)產(chǎn)生吸熱或放熱的現(xiàn)象。 式中 S為材料的熱電系數(shù)，即塞貝克系數(shù)， σ為材料的電導(dǎo)率， 為材料的熱導(dǎo)率。 N型 PbTe的熱電性能較好，但是 P型 PbTe的性能并不理想。 ? 適當(dāng)提高 Si含量可以有三方面的優(yōu)勢(shì)：降低了材料的熱導(dǎo)率，且合金具有較大的塞貝克系數(shù)；提高的載流子濃度；提高了 SiGe合金的禁帶寬度和熔點(diǎn)，使其更適合高溫下的工作。 ? 方鈷礦 (Skutterudite)熱電材料 方鈷礦是一類通式為 AB3的化合物（其中 A是金屬元素，如 Ir、 Co、 Rh、 Fe等； B是 V族元素，如 As、 Sb、 P等）。由于這類材料的熔點(diǎn)很高 ,因此很適合于溫差發(fā)電應(yīng)用。 典型代表為 NaCo2O4化合物。 梯度熱電材料的每層之間只有真正實(shí)現(xiàn)連
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