提高led發(fā)光效率的若干方法_yyb-wenkub
2023-05-26 05:55:05 本頁面
【正文】 到 自 由 空 間 的 光 子 數(shù)注 入 的 電 子 數(shù)外量子效率： 由于 MOCVD外延生長技術(shù)和多量子阱結(jié)構(gòu) (MQW)的引入，使 LED的內(nèi)量子效率超過80%，提高的空間不大。反而在光提取效率方面，由于內(nèi)部全反射，提取效率一直非常低（低于 20%），成為抑制發(fā)光效率的主要原因。 此外有源區(qū)更靠近熱沉，熱量可以快速通過基板傳遞出去。 這兩種過程能同時減小光在內(nèi)部傳播的路程。 不同電極形狀 （中山大學(xué)半導(dǎo)體照明系統(tǒng)研究中心） 表面粗化 表面粗化原理示意圖 降低 LED內(nèi)部光全反射的一個最常用、行之有效的方法就是在LED表面進行粗化，減少內(nèi)反射，從而提高出光效率。 ③ 掩膜的選擇 ：金屬 Pt或 Ni在高溫下退火形成的金屬小球、光刻膠、聚苯乙烯小球等。 表面粗化的特點： ① 粗化的部位 ：粗化 pGaN層、粗化 nGaN層、粗化透明電極層。 合理設(shè)
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