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太陽(yáng)能電池及相關(guān)技術(shù)簡(jiǎn)介-wenkub

2023-05-23 10:49:17 本頁(yè)面
 

【正文】 缺限制了傳統(tǒng)單晶或多晶硅基太陽(yáng)電池的發(fā)展,也是阻礙太陽(yáng)電池降價(jià)和普及的重要因素之一。 ?因此,比較便宜的玻璃為基板的薄膜硅太陽(yáng)電池,或其他種類的電池,逐步受到大家的重視。 襯底選擇 ? 非硅襯底 : 可以大幅度降低成本,但是所獲得的多晶硅薄膜晶粒小,工藝要求比較高。 3. 化學(xué)氣相沉積法( CVD)就是將襯底加熱到適當(dāng)溫度,然后通以反應(yīng)氣體(如 SiH2Cl SiH3Cl、 SiCl SiH4等),在一定保護(hù)氣氛下反應(yīng)生成硅原子并沉積在襯底表面。 制備方法 ? 目前制備多晶硅薄膜電池多采用 等離子化學(xué)氣相沉積法( PECVD)、液相外延法( LPPE)、化學(xué)氣相沉積法( CV
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