czt的定向切割與研拋-wenkub
2023-05-22 21:19:46 本頁面
【正文】 3 碲鋅鎘晶體的磨拋工藝 4 Company Logo 碲鋅鎘的晶體結(jié)構(gòu) Cd1xZnxTe晶體屬于立方晶系，面心立方點陣， 43m點群， F空間群。化學(xué)機械拋光是一種用于半導(dǎo)體晶片拋光的成熟工藝，是已知的唯一能使平坦化后具有低斜率的整體平坦化技術(shù)。 Company Logo X射線的反射定律 布拉格定律 nλ = 2dsinθ λ: 波長 d : 晶間距 θ: 光子入射角 Company Logo 利用 X射線單晶定向儀來定向 ?首先將待測晶體放到定向儀的載物臺上，使計數(shù)管固定在所待測晶體（ hkl）面的 2θ位置上，使手搖轉(zhuǎn)軸固定在上述柱面的 θ角位置上，然后將晶體沿軸向 360176。 Company Logo CZT的 (211)面 Company Logo 硒化鎘晶體定向切割方法 ?根據(jù)硒化鎘 (CdSe)晶體結(jié)構(gòu)的特點 ,發(fā)展了一種簡便、快捷、準(zhǔn)確的定向方法。切割完成后整體侵入丙酮數(shù)分鐘以去除粘結(jié)物，用高純酒精清洗晶片，涼干，然后裝入編號的專用晶元盒中，以備后用。研磨之前，先用細砂紙對晶片進行倒角，用石蠟把倒角后的晶片粘在研磨壓塊上。粗磨后的晶片表面比較光整，刀痕損傷完全去除，但在光學(xué)顯微鏡下可以觀察到金剛石磨料引起的細劃痕。 Company Logo 化學(xué)拋光 ?經(jīng)機械拋光以后的晶片，在光學(xué)顯微鏡下仍可觀察到由機械損傷引起的微劃痕。 Company Logo a、 研磨后晶片表面存有細劃痕； b、 機械拋光后晶片表面仍存有微劃痕； c、 化學(xué)拋光后晶片表面光亮無痕 Co
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