【正文】
中級(jí)電工培訓(xùn)講義 邏輯門電路 邏輯門電路 ? 基本邏輯門電路 ? 集成邏輯門電路 ? 單元測(cè)試題 第一節(jié) 基本邏輯門電路 一、二極管的開關(guān)特性 由二極管的伏安特性知: ①外加正向電壓 uI, 使二極管兩端電壓 VD大于(硅管為~,鍺 管為 ~)時(shí),二極管導(dǎo)通 , i 變化時(shí),vD=(對(duì)于硅管 )不變, 此時(shí)將 vD,如同一個(gè)具有 壓降的閉合的開關(guān) 。 D u I R ② 外加反相電壓 uI,使二極管 VD的電 壓小于(硅管 ~,鍺管為 ~)二極管截止, i 很小(反向電流)。 此時(shí)將 vD, 如同一個(gè)斷開的開關(guān)iD≈0 D u I R ③ 如果二極管是一個(gè)理想的開關(guān),波形圖見下圖 a。但實(shí)際上 二極管由導(dǎo)通(開關(guān)閉合)到截止(開關(guān)斷開)經(jīng)過一段反向恢復(fù)時(shí)間tre( ns)圖 b。 tre= ts + tt ts為存儲(chǔ)時(shí)間, tt為渡越時(shí)間。 u I V F t V R i I F I R t 圖 a u I V F t V R i I F 0 . 1 I R I R t t s t t 圖 b 負(fù)跳變瞬間 1→0,反向電流 IR= – , 經(jīng)一段反向恢復(fù)時(shí)間 tre后 , 反相電流趨于 0( IR≈0) 。 RUR注意:輸入電壓的 f↑→負(fù)半周時(shí)間 tre時(shí) →二極管失去單向?qū)щ娦阅堋?tre↑→開關(guān)速度 ↓, ∴ 希望 tre↓,為 ns級(jí) ④ 二極管由截止(開關(guān)斷開)到導(dǎo)通(開關(guān)閉合)所需時(shí)間為開通時(shí)間。 這個(gè)時(shí)間同反向恢復(fù)時(shí)間相比很短。 對(duì)開關(guān)速度的影響很小,可忽略不計(jì)。 影響開關(guān)速度的主要是反相恢復(fù)時(shí)間 tre, tre越小,開關(guān)的速度越快。 二、 三極管的開關(guān)特性 三極管有三個(gè)區(qū):截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)。 飽和區(qū)的 VCE很小 ≈0,截止區(qū)的 IC 、 IB很小 ≈0 V CC i C R C U O R B U I V i B CCCCC E SCCCS RVRVVI ???CCCCSBS RVII?? ?? 三極 管作為開關(guān)用時(shí),只工作在截止區(qū)、飽和區(qū)。 1. 三極管飽和導(dǎo)通條件: 假如三極管飽和 , 則有: VCE = VCES IC = ICS IB = IBS (硅管 VCES=) IBIBS時(shí) , 三極管飽和 IBIBS= CCCCCESCCCSRVRVVI?????? c + b + 0. 3v 0. 7v e 在數(shù)字電路中,三極管飽和導(dǎo)通的條件是: 三極管飽和導(dǎo)通時(shí),三極管的 CE間如同一個(gè)具有 的閉合的開關(guān) . 三極管截止時(shí) , 如同斷開的開關(guān) 。 c + b + e V CC i C R C U O R B U I V i B 2. 截止條件 : VBE(硅管 ) IB=0 IC=0 延遲時(shí)間 td 上升時(shí)間 tr 存儲(chǔ)時(shí)間 ts 下降時(shí)間 tf ton= td + tr 基區(qū)電荷的建立時(shí)間 tof= ts +tf 基區(qū)電荷的消散時(shí)間 toffton 時(shí)間為 ns級(jí) 主要是 ts 影響開關(guān)速度 3. 開關(guān)時(shí)間: 三極管由截止 →飽和需要一定的時(shí)間 ton( 開啟時(shí)間 ) 三極管由飽和 →截止需要