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正文內(nèi)容

電子專業(yè)(畢業(yè)小論文外文資料及翻譯譯文(已修改)

2024-12-19 20:51 本頁(yè)面
 

【正文】 附件1:外文資料翻譯譯文恒流源電流源是電氣或電子裝置,可提供或吸收電流。一個(gè)電流源是一個(gè)電壓源雙。術(shù)語(yǔ)恒流源有時(shí)用來(lái)從一個(gè)負(fù)電壓電源饋來(lái)源。圖1顯示了一個(gè)理想的電流源驅(qū)動(dòng)的電阻負(fù)載的原理圖。圖1理想電流源理想電流源在電路理論,理想電流源電路元件的電流通過(guò)時(shí)與其兩端的電壓無(wú)關(guān)。這是一個(gè)數(shù)學(xué)模型。如果通過(guò)一個(gè)理想的電流源電流可以指定獨(dú)立于任何其他變量的電路,它被稱為一個(gè)獨(dú)立的電流源。相反,如果其他一些電壓或電路中的電流通過(guò)一個(gè)理想電流源的電流決定,它被稱為從屬或控制的電流源。這些源符號(hào),如圖2所示。圖2各種電流源符號(hào)一個(gè)獨(dú)立的電流源與零電流是相同的理想開(kāi)路?;谶@個(gè)原因,一個(gè)理想電流源內(nèi)阻是無(wú)限的。在一個(gè)理想的電流源的電壓是完全取決于它的連接電路。當(dāng)連接到短路,存在零電壓,從而零功率交付。當(dāng)連接到負(fù)載電阻兩端的電壓接近源的負(fù)載電阻接近無(wú)窮大(開(kāi)路)。因此,一個(gè)理想的電流源可提供無(wú)限的能量將代表無(wú)限的能源來(lái)源。連接的理想開(kāi)路理想非零電流源是無(wú)效的,在電路的電路方程分析將是自相矛盾的,例如,5 = 0。沒(méi)有真正的電流源是理想的(不存在無(wú)限的能源),并且所有的有限的內(nèi)部電阻(沒(méi)有人能提供無(wú)限的電壓)。然而,內(nèi)部電阻電流源建模的有效結(jié)合電路分析與理想電流源非零并聯(lián)電阻(諾頓等效電路)。電阻電流源最簡(jiǎn)單的電流源包括一個(gè)與一個(gè)電阻器系列電壓源。目前從這樣的來(lái)源可以是由兩端的電壓源電壓比電阻器的電阻提供。對(duì)于一個(gè)幾近完美的電流源,這個(gè)電阻值應(yīng)該是非常大的,但是這意味著,在規(guī)定的電流,電壓源必須是非常大的。因此,效率低(由于功率的電阻損耗),它通常是不切實(shí)際的建好這樣的電流源。盡管如此,在很多情況下,這種電路將提供足夠的性能時(shí)指定的電流和負(fù)載電阻小。例如,(177。 5%),以在50至450歐姆負(fù)載電阻范圍。 主動(dòng)電流源主動(dòng)電流源在電子電路中的許多重要的應(yīng)用。 (電流)穩(wěn)定電阻電流源通常用于在模擬集成電路的歐姆電阻的地方產(chǎn)生的電流而不會(huì)導(dǎo)致一個(gè)在信號(hào)路徑的電流源連接點(diǎn)的衰減。一個(gè)雙極晶體管的集電極,一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或一個(gè)真空管自然表現(xiàn)為(或匯漏電流源盤(pán))當(dāng)正確連接到外部的能源來(lái)源(如電力供應(yīng)),因?yàn)檩敵鲞@些設(shè)備的高阻抗,自然是當(dāng)電流源配置中使用。 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和N FET電流源一款JFET可作為一所捆綁的大門(mén),它的源電流源。目前則是流動(dòng)的FET的IDSS的。這些就可以買(mǎi)到這個(gè)已經(jīng)在此設(shè)備被稱為電流穩(wěn)壓二極管或恒定電流二極管或限流二極管(CLD)的案件有關(guān)。一個(gè)增強(qiáng)型N溝道MOSFET,可用于下列電路簡(jiǎn)單晶體管電流源圖3顯示了一個(gè)典型的恒定電流源(CCS)的。 DZ1是一個(gè)齊納二極管,當(dāng)這種反向偏置(所示電路),它有一個(gè)恒定的電壓上,不論是流經(jīng)它的電流下降。因此,只要齊納電流(輸出型)超過(guò)一定水平(稱為維持電流),對(duì)面的齊納二極管(VZ)的電壓將保持不變。電阻R1用品齊納電流和基極電流(IB)的的NPN晶體管(Q1)。恒定納電壓是適用于整個(gè)Q1和發(fā)射極電阻R2基地。電路的操作如下:R2的(VR2)電壓由下式給出VE VBE中,在VBE中是Q1基地發(fā)射極下降。Q1的發(fā)射極電流,也是經(jīng)過(guò)R2的電流由下式給出圖3典型恒流源由于VE不變,VBE中也(大約)某一溫度恒定,可以得出VR2是恒定的,所以IE也不變。由于晶體管的作用,發(fā)射極電流IE是非常接近等于集電極電流的晶體管集成電路(反過(guò)來(lái),是當(dāng)前通過(guò)負(fù)載)。因此,負(fù)載電流為常數(shù)(忽略了晶體管,由于早期的效果輸出電阻)和電路作為一個(gè)恒定電流源的運(yùn)作。只要溫度保持不變(或變化不大),負(fù)載電流將是電源電壓,R1和晶體管的增益無(wú)關(guān)。 R2的允許負(fù)載電流在任何可取的值集,并計(jì)算或, V的硅器件(IR2也是發(fā)射極電流,并假設(shè)作為收藏家或負(fù)載所需的電流,同時(shí)提供HFE的足夠大)。阻力在電阻,其中,K= (使R1是足夠低,以確保有足夠的IB), 是最低的,特別是可以接受的類型正在使用的晶體管的電流增益。簡(jiǎn)單晶體管電流源與二極管補(bǔ)償溫度的變化會(huì)改變輸出電流由圖3電路交付因?yàn)閂BE對(duì)溫度很敏感。溫度補(bǔ)償?shù)囊蕾嚳梢杂脠D4電路,包括一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)(作為晶體管的半導(dǎo)體材料相同)與齊納二極管系列二極管D為在圖像顯示在左側(cè)。該二極管壓降(VD)的追蹤VBE中由于溫度變化和溫度,從而大大抵消了對(duì)CCS的依賴。電阻,由于VD= VBE中= ,因此, ,R1的計(jì)算方法 圖4補(bǔ)償電路這種方法是最有效的齊納二極管, V或以上評(píng)級(jí)。 V時(shí),補(bǔ)償二極管故障二極管通常不是必需的,因?yàn)閾舸C(jī)理是溫度依賴并不像它在上述這個(gè)電壓擊穿二極管的。簡(jiǎn)單晶體管電流源與LED另一種方法是取代輕齊納二極管的發(fā)光二極管LED1,如圖5。 LED的電壓降(VD)現(xiàn)在用于推導(dǎo)恒壓,也有額外的跟蹤優(yōu)勢(shì)(補(bǔ)償)VBE中溫度引起的變化。 R2的計(jì)算公式為, R1的計(jì)算公式為,其中ID是LED電流。 圖5 LED1代替DZ1 圖6反饋電路另一種常見(jiàn)的方法是使用反饋來(lái)設(shè)置當(dāng)前和消除對(duì)晶體管的VBE中的依賴。圖6顯示了一個(gè)非常普遍的使用方法與非反相在上面的例子中輸入連接到一個(gè)電壓源和反相輸入端連接到的電阻和晶體管的發(fā)射極相同的節(jié)點(diǎn)。這種方式產(chǎn)生的電壓是電阻兩端,而不是兩個(gè)電阻器和晶體管。 (詳見(jiàn)上的理想運(yùn)算放大器的文章 在零器。)電流鏡上的文章討論的另一個(gè)這些所謂的收益,例如,提高了電流鏡。反饋也被用于兩個(gè)晶體管發(fā)射極電流鏡變性。反饋是在某些電流鏡使用諸如維德拉電流源和威爾遜電流源,多晶體管的基本特征。其他實(shí)際來(lái)源在運(yùn)放電路的情況下,有時(shí)候是理想的注入電流精確已知的反相輸入(作為一個(gè)信號(hào),例如輸入偏移量)和源之間的電壓和反相輸入端連接一個(gè)電阻將接近理想值為電流源V/R。電感式電流源除其他應(yīng)用中,圖7電路采用LM317穩(wěn)壓器是用來(lái)向一個(gè)不斷在E級(jí)電流(開(kāi)關(guān)源)的電子放大器。 圖7電感式電流源當(dāng)前及電壓源比較 大部分的電能的來(lái)源(主要電力,電池,...)是最好的建模為電壓源。這種來(lái)源提供恒定的電壓,這意味著只要當(dāng)前從源頭上得出的數(shù)額在源的能力,但是它的輸出電壓保持不變。一個(gè)理想的電壓源規(guī)定,如果是由開(kāi)路加載沒(méi)有能源(即一個(gè)無(wú)限阻抗),但方法無(wú)限的功率和電流時(shí),負(fù)載電阻趨近于零(短路)。這種理論的設(shè)備將有一個(gè)與源系列零歐姆的輸出阻抗。一個(gè)真正的世界電壓源具有非常低的,但不為零輸出阻抗:通常遠(yuǎn)小于
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