銷(xiāo)售會(huì)議led路燈培訓(xùn)(已修改)
2025-03-01 15:24 本頁(yè)面
【正文】 LED路燈知識(shí)培訓(xùn) （ 202 4 ） 二 . LED路燈與傳統(tǒng)路燈的比較 三 .LED路燈主要技術(shù)參數(shù)與應(yīng)用實(shí)例 一 . LED光源介紹 四 . 太陽(yáng)能 LED路燈 五 . 維護(hù)和常見(jiàn)問(wèn)題分析 LED照明產(chǎn)業(yè)鏈 基層 (吸收或透明 ) N結(jié)層 窗口層 P結(jié)層 + n p 導(dǎo)帶 P結(jié) 光 無(wú)偏置電壓 價(jià)帶 能隙 偏置電壓 N結(jié) LED又稱發(fā)光二極管，它利用固體半導(dǎo)體芯片作為發(fā)光材料，當(dāng)兩端加上正向電壓，半導(dǎo)體中的載流子發(fā)生復(fù)合，放出過(guò)剩的能量而引起光子發(fā)射產(chǎn)生可見(jiàn)光。 1964 年首先出現(xiàn)紅色發(fā)光二極管，之后出現(xiàn)黃色 LED。 1994 年藍(lán)色、綠色 LED研制成功。 1996 年由日本日亞公司成功開(kāi)發(fā)出白光 LED。 LED發(fā)光原理 白光 LED 藍(lán)光芯片 +YAG熒光粉 R、 G、 B三基色芯片 外延、芯片及封裝 外延片工藝流程 以 GaN和 GaAs為基的半導(dǎo)體材料，禁帶寬度~，發(fā)光波長(zhǎng)覆蓋紫外和整個(gè)可見(jiàn)光區(qū) LED外延層主要分為：緩沖層、非摻雜的 GaN層、 n型摻雜 GaN層、多量子阱（ MQW）層、 p型摻雜 GaN層、電極接觸層 通過(guò) MOCVD在高溫、高壓下逐層生長(zhǎng) 正裝芯片工藝流程 LED芯片及封裝結(jié)構(gòu) 藍(lán)寶石襯底 正裝 水平電極 45Mil芯片 LED芯片及封裝結(jié)構(gòu) 硅襯底 正裝 垂直電極 LED芯片及封裝結(jié)構(gòu) LED芯片及封裝結(jié)構(gòu) Lumiled Rebel 晶科 LED光源品牌 美國(guó)科銳光電 XlampXPE 60120lm/W XlampXPG 120139lm/W XML 160lm/W Rebel 80110lm/W 飛利浦流明 Rebel ES 100130lm/W LED光源品牌 歐司朗 OSLON 100130lm/W 晶科電子 LLLE 100110lm/W Estar 110130lm/W 極限參數(shù)的意義 允許功耗 Pm: 允許加于 LED兩端正向直流電壓與流過(guò)它的電流之積的最大值。 超過(guò)此值， LED發(fā)熱、損壞。 最大正向直流電流 Ifm： 允許加的最大的正向直流電流，超過(guò)此值可能損壞 LED。 最大反向電壓 VRm： 所允許加的最大反向電壓，超過(guò)此值， LED可能被擊穿、損壞。 工作環(huán)境 topm: LED可正常工作的環(huán)境溫度范圍。 低于或高于此溫度范圍， LED將 不能正常工作，效率大大降低。 LED的基本光電參數(shù) Junction Temperature（節(jié)溫 Tj） 結(jié)溫 150oC LED在工作時(shí) PN節(jié)間溫度超過(guò)一個(gè)極限值，該 LED就會(huì)迅速地失效。就現(xiàn)行的 LED芯片而言，節(jié)間溫度的上限為 150176。 。 因此對(duì)于 LED的照明應(yīng)用，處理好散熱是非常關(guān)鍵的！ Substrate (absorbing or transparente) ndop. layer Window layer pdop. laye
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