銷售會議led路燈培訓(xùn)-展示頁
2025-02-27 15:24本頁面
【正文】 Lm）：在 25℃ 條件下點燃 1000h后的燈具光通 量（ 90%≤ Φ ≤120% ） 初始光效： ≥ 90Lm/W 額定相關(guān)色溫： ≤3500K 3500≤ 額定相關(guān)色溫 ≤6500K 初始相關(guān)色溫： ≤100K ≤200K 光通維持率 ： 在 25℃ 條件下點燃一定時間后與初始光通量 的比值 3000h ≥ 96% 6000h≥ 92% 10000h ≥ 86% 功率（ W)： 標(biāo)稱功率的 177。支路交口 O L5 支路 O O: 無 風(fēng)險 。 地區(qū)干道 局部干道 . O S4 O CE3 路口、回旋路口 O L4 鄉(xiāng)村路 (B)。 。 LED的基本光電參數(shù) Junction Temperature（節(jié)溫 Tj） 結(jié)溫 150oC LED在工作時 PN節(jié)間溫度超過一個極限值，該 LED就會迅速地失效。 工作環(huán)境 topm: LED可正常工作的環(huán)境溫度范圍。 最大正向直流電流 Ifm： 允許加的最大的正向直流電流，超過此值可能損壞 LED。 LED發(fā)光原理 白光 LED 藍(lán)光芯片 +YAG熒光粉 R、 G、 B三基色芯片 外延、芯片及封裝 外延片工藝流程 以 GaN和 GaAs為基的半導(dǎo)體材料，禁帶寬度~，發(fā)光波長覆蓋紫外和整個可見光區(qū) LED外延層主要分為：緩沖層、非摻雜的 GaN層、 n型摻雜 GaN層、多量子阱（ MQW）層、 p型摻雜 GaN層、電極接觸層 通過 MOCVD在高溫、高壓下逐層生長 正裝芯片工藝流程 LED芯片及封裝結(jié)構(gòu) 藍(lán)寶石襯底 正裝 水平電極 45Mil芯片 LED芯片及封裝結(jié)構(gòu) 硅襯底 正裝 垂直電極 LED芯片及封裝結(jié)構(gòu) LED芯片及封裝結(jié)構(gòu) Lumiled Rebel 晶科 LED光源品牌 美國科銳光電 XlampXPE 60120lm/W XlampXPG 120139lm/W XML 160lm/W Rebel 80110lm/W 飛利浦流明 Rebel ES 100130lm/W LED光源品牌 歐司朗 OSLON 100130lm/W 晶科電子 LLLE 100110lm/W Estar 110130lm/W 極限參數(shù)的意義 允許功耗 Pm: 允許加于 LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的最大值。 1994 年藍(lán)色、綠色 LED研制成功。LED路燈知識培訓(xùn) （ 202 4 ） 二 . LED路燈與傳統(tǒng)路燈的比較 三 .LED路燈主要技術(shù)參數(shù)與應(yīng)用實例 一 . LED光源介紹 四 . 太陽能 LED路燈 五 . 維護(hù)和常見問題分析 LED照明產(chǎn)業(yè)鏈
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