模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第四章-1雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)(已修改)
2025-01-13 04:14 本頁面
【正文】 半導(dǎo)體三極管 放大電路的分析方法 放大電路靜態(tài)工作點的穩(wěn)定問題 共集電極放大電路和共基極放大電路 共射極放大電路的工作原理 組合放大電路 放大電路的頻率響應(yīng) 半導(dǎo)體三極管 BJT的結(jié)構(gòu)簡介 放大狀態(tài)下 BJT的工作原理 BJT的 V－ I特性曲線 BJT的主要參數(shù) BJT的結(jié)構(gòu)簡介(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管 半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示。它有兩種類型:NPN型和 PNP型。 BJT的結(jié)構(gòu)簡介(a) NPN型管結(jié)構(gòu)示意圖(b) PNP型管結(jié)構(gòu)示意圖(c) NPN管的電路符號(d) PNP管的電路符號集成電路中典型 NPN型 BJT的截面圖 BJT的結(jié)構(gòu)簡介 三極管的放大作用是在一定的外部條件控制下，通過載流子傳輸體現(xiàn)出來的。外部條件： 發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏 放大狀態(tài)下 BJT的工作原理1. 內(nèi)部載流子的傳輸過程發(fā)射區(qū)：發(fā)射載流子集電區(qū)：收集載流子基區(qū)：傳送和控制載流子 （以 NPN為例） 由于三極管內(nèi)有兩種載流子 (自由電子和空穴 )參與導(dǎo)電，故稱為雙極型三極管或 BJT (Bipolar Junction Transistor)。 IC= InC+ ICBOIE=IB+ IC放大狀態(tài)下 BJT中載流子的傳輸過程2. 電流分配關(guān)系根據(jù)傳輸過程可知 IC= InC+ ICBO通常 IC ICBO ? 為電流放大系數(shù)。它只與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān)，與外加電壓無關(guān)。一般 ? = ? 。IE=IB+ IC放大狀態(tài)下 BJT中載流子的傳輸過程 ? 是另一個電流放大系數(shù)。同樣，它也只與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān)，與外加電壓無關(guān)。一般 ? 1 。根據(jù) IE=IB+ IC IC= InC+ ICBO且令 ICEO= (1+ ? ) ICBO （穿透電流）2. 電流分配關(guān)系3. 三極管的三種組態(tài)共集電極接法 ，集電極作為公共電極，用 CC表示。共基極接法 ， 基極作為公共電極，用 CB表示；共發(fā)射極接法 ，發(fā)射極作為公共電極，用 CE表示；BJT的三種組態(tài)共基極放大電路4. 放大作用若 ?vI = 20mV電壓放大倍數(shù)使 ?iE = 1 mA，則 ?iC = ? ?iE = mA， ?vO = ?iC? RL = V，當(dāng) ? = 時， 綜上所述，三極管的放大作用，主要是依靠它的發(fā)射極電流能夠通過基區(qū)傳輸，然后到達(dá)集電極而實現(xiàn)的。實現(xiàn)這一傳輸過程的兩個條件是：（ 1） 內(nèi)部條件： 發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，且基區(qū)很薄。（ 2） 外部條件： 發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置。 BJT的 VI 特性曲線 iB=f(vBE)? vCE=const(2) 當(dāng) vCE≥1V時， vCB= vCE vBE0，集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài)，開始收 集電子
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