ch雙極型三極管ppt課件(已修改)
2025-05-17 12:03 本頁(yè)面
【正文】 第 2章 半導(dǎo)體三極管及基本放大電路 又稱半導(dǎo)體 三極管 、 晶體管 ， 或簡(jiǎn)稱為三極管 。 (Bipolar Junction Transistor 或 BJT) 三極管的外形如下圖所示 。 三極管按結(jié)構(gòu)分有兩種類型： NPN型 和 PNP 型 。 這里主要以 NPN 型為例進(jìn)行討論 。 圖 三極管的外形和管腳排列 雙極型三極管 第 2章 半導(dǎo)體三極管及基本放大電路 一、 三極管的結(jié)構(gòu) 國(guó)產(chǎn)的三極管 ， 目前最常見(jiàn)的結(jié)構(gòu)有硅平面管和鍺合金管兩種類型 。 圖 三極管的結(jié)構(gòu) (a)平面型 (NPN) (b)合金型 (PNP) N e c N P b 二氧化硅 b e c P N P e 發(fā)射極 ，b 基極 ， c 集電極 。 第 2章 半導(dǎo)體三極管及基本放大電路 圖 NPN 型 三極管結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào) e c b 符號(hào) 集電區(qū) 集電結(jié) 基區(qū) 發(fā)射結(jié) 發(fā)射區(qū) 集電極 c 基極 b 發(fā)射極 e N N P 第 2章 半導(dǎo)體三極管及基本放大電路 集電區(qū) 集電結(jié) 基區(qū) 發(fā)射結(jié) 發(fā)射區(qū) 集電極 c 發(fā)射極 e 基極 b c b e 符號(hào) N N P P N 圖 PNP 型 三極管結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào) 第 2章 半導(dǎo)體三極管及基本放大電路 以 NPN 型三極管為例討論 圖 三極管中的兩個(gè) PN 結(jié) c N N P e b b e c 表面看 若要使三極管實(shí)現(xiàn)放大，必須由 三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu) 和 外部所加電源的極性 兩方面的條件來(lái)保證。 不具備放大作用 三極管的電流分配與放大原理 第 2章 半導(dǎo)體三極管及基本放大電路 三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)要求： N N P e b c 1. 發(fā)射區(qū)高摻雜 。 2. 基區(qū)做得很薄 。 通常只有幾微米到幾十微米 ， 而且 摻雜較少 。 三極管放大的外部條件 ：外加電源的極性應(yīng)使 發(fā)射結(jié)處于正向偏置 ， 而 集電結(jié)處于反向偏置 狀態(tài) 。 3. 集電結(jié)面積大 。 第 2章 半導(dǎo)體三極管及基本放大電路 b e c Rc Rb 三極管中載流子運(yùn)動(dòng)過(guò)程 I E IB 1. 發(fā)射 發(fā)射區(qū)的電子越過(guò)發(fā)射結(jié)擴(kuò)散到基區(qū) ， 基區(qū)的空穴擴(kuò)散到發(fā)射區(qū) — 形成發(fā)射極電流 IE (基區(qū)多子數(shù)目較少 ， 空穴電流可忽略 )。 2. 復(fù)合和擴(kuò)散 電子到達(dá)基區(qū) ， 少數(shù)與空穴復(fù)合形成基極電流 Ibn， 復(fù)合掉的空穴由 VBB 補(bǔ)充 。 多數(shù)電子在基區(qū)繼續(xù)擴(kuò)散 ， 到達(dá)集電結(jié)的一側(cè) 。 圖 三極管中載流子的運(yùn)動(dòng) 第 2章 半導(dǎo)體三極管及基本放大電路 b e c I E I B Rc Rb 三極管中載流子運(yùn)動(dòng)過(guò)程 3. 收集 集電結(jié)反偏 ，有利于收集基區(qū)擴(kuò)散過(guò)來(lái)的電子而形成集電極電流 I。 其能量來(lái)自外接電源 VCC 。 I C 另外 ， 集電區(qū)和基區(qū)的少子在外電場(chǎng) VCC的作用下將 （ 被吸引過(guò)來(lái) ） 進(jìn)行漂移運(yùn)動(dòng)而形成 反向 飽和
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