電學半導體三極管(已修改)
2025-07-05 17:21 本頁面
【正文】 半導體三極管結構簡介三極管的基本結構是兩個反向連結的PN接面，如圖1所示，可有pnp和npn 兩種組合。三個接出來的端點依序稱為發(fā)射極（emitter,E）、基極（base,B）和集電極（collector,C），名稱來源和它們在三極管操作時的功能有關。圖中也顯示出 npn與pnp三極管的電路符號，發(fā)射極特別被標出，箭號所指的極為n型半導體， 和二極體的符號一致。在沒接外加偏壓時，兩個pn接面都會形成耗盡區(qū)，將中性的p型區(qū)和n型區(qū)隔開。 pnp和npn三極管的結構及其示意圖三極管的電特性和兩個pn接面的偏壓有關，工作區(qū)間也依偏壓方式來分類，這里 我們先討論最常用的所謂”正向活性區(qū)”（forward active），在此區(qū)EB極間的pn接 面維持在正向偏壓，而BC極間的pn接面則在反向偏壓，通常用作放大器的三極管 都以此方式偏壓。圖2(a）為一pnp三極管在此偏壓區(qū)的示意圖。EB接面的空乏區(qū)由于正向偏壓會變窄，載體看到的位障變小，射極的空穴會注入到基極，基極的電子也會注入到射極；而BC接面的耗盡區(qū)則會變 寬，載體看到的位障變大， 故本身是不導通的。圖2(b）畫的是沒外加偏壓，和偏壓在正向活性區(qū)兩種情形下，空穴和電子的電位能的分布
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