單元2--smt生產(chǎn)中的靜電防護技術(shù)-powerpoi(已修改)
2025-01-09 14:59 本頁面
【正文】 SMT 生產(chǎn)中的靜電防護技術(shù) 廣東科學技術(shù)職業(yè)學院 學習情境 13 1 靜電和靜電的危害 靜電 (Electrostatic )—— 是物體表 面過?；虿蛔愕撵o止電荷。是一種電能，它存留于物體表面；是 正負 電荷在局部范圍內(nèi)失去平衡的結(jié)果，是通過電子或離子的轉(zhuǎn)換 而形 成的。靜電現(xiàn)象是電荷在產(chǎn)生和消失過程中產(chǎn)生的電現(xiàn)象的總稱。如摩檫起電、人體起電等現(xiàn)象。 隨著科技發(fā)展，靜電現(xiàn)象已在靜電噴涂、靜電紡織、靜電分選、靜電成像等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。 但在另一方面，靜電在許多領(lǐng)域帶來重大危害和損失。 例如第一個阿波羅載人宇宙飛船由于靜電放電（ ESD ）導致爆炸，使三名宇航員喪生；在火藥制造過程中由于靜電放電，造成機毀人亡的事故時有發(fā)生； 在電子工業(yè)中，隨著集成度越來越高集成電路的內(nèi)絕緣層越來越薄，互連導線寬度與間距越來越小。例如CMOS器件絕緣層的典型厚度約為 m，其相應(yīng)耐擊穿電壓在 80~100V； VMOS器件的絕緣層更薄，擊穿電壓在30V； 而在電子產(chǎn)品制造中以及運輸、存儲等過程中所產(chǎn)生的靜電電壓遠遠超過 MOS 器件的擊穿電壓，往往會使器件產(chǎn)生硬擊穿或軟（器件局 部損 傷）擊穿現(xiàn)象。使其失效或嚴重影響產(chǎn)品的可靠性。 為了控制和消除 ESD ，美國、西歐和日本等發(fā)達國家均制定了國家、軍用或企業(yè)標準或規(guī)定。從靜電敏感元器件的設(shè)計、制造、購買、入庫、檢驗、倉儲、裝配、 調(diào)試 、半成品與成品的包裝、運輸?shù)染邢鄳?yīng)規(guī)定，對靜電防護器 材的 制造使用和管理也有較嚴格的規(guī)章制度要求。我國也參照國際 標準 制定了軍用和企業(yè)標準。例如有航天部、機電部、石油部等標準。 2 靜電敏感元器件（ SSD ） 對靜電反應(yīng)敏感的元器件稱為靜電敏感元器件（ SSD ）。 靜電敏感元器件主要是指超大規(guī)模集成電路，特別是金屬化膜半導體（ MOS 電路）。 根據(jù) SSD 能夠承受而且 不至于損壞的靜電極限電壓值（也可稱為靜電敏感度）將靜電敏感元器件分為三級。 針對不同級別的 SSD 器件，應(yīng)采取不同的靜電防護措施。 靜電敏感元器件的分級表 級別和靜電敏感度范圍 元器件類型 1 級 0~1999V 微波器件（肖特基墊壘二極管、點接觸二極管等）、離散型 MOSFET器件、聲表面波（ SAW）器件、結(jié)型場效應(yīng)晶體管 （ JFETs）、電偶合器件（ CCDS）、精密穩(wěn)壓二極管（加載電壓穩(wěn)壓度＜ %） 、 運算放 大器（ OPAMPs）、薄膜電阻器、 MOS集成電路（ IC）、使用 1 級 元器件的混合電路、超高速集成 電路（ UHSIC）、可控硅整流 器 2 級 2023~3900V 由試驗數(shù)據(jù) 確定為 2 級的元器件和微電路、離散型MOSFET器件、結(jié)型場效應(yīng)晶體管（ JFETs）、運算放大器（ OPAMPs）、集成電 路（ IC）、超高速集成電路（ UHSIC）、使用 2級的元器件的混合 電路、精密電阻網(wǎng)絡(luò)（ RZ）、低功率雙極型晶體管 3 級 4000~15000V 由試驗數(shù)據(jù)確定為 3級的元器件和微電路、 離散型 MOSFET器件、運算放大器（ OPAMPs）、集成電路（ IC）、超高速集成電路 （ UH
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