微電子技術(shù)應(yīng)用基礎(chǔ)第二章集成電路的制造工藝(已修改)
2025-01-09 04:40 本頁面
【正文】 第二章 集成電路的制造工藝 ? 第一節(jié) 雙極型集成電路的工藝流程 ? 第二節(jié) MOS集成電路的工藝流程 ? 第三節(jié)外延工藝 ? 第四節(jié)氧化工藝 ? 第五節(jié) 化學(xué)汽相淀積 (CVD)方法 ? 第六節(jié) 摻雜技術(shù) ? 第七節(jié)光刻工藝 ? 第八節(jié) 刻蝕技術(shù) 第二章 集成電路的制造工藝 ? 第九節(jié) 淀積工藝 ? 第十節(jié) 表面鈍化技術(shù) ? 第十一節(jié) 隔離技術(shù) ? 第十二節(jié) 微電子技術(shù)的加工工藝環(huán)境 ? 第十三節(jié) 襯底材料 第一節(jié) 雙極型集成電路的工藝流程 PN結(jié)隔離方法制造雙極型集成電路的典型工藝流程 。 圖 1 第二節(jié) MOS集成電路的工藝流程 N溝道鋁柵 NMOS晶體管的制造工藝流程 圖 1 CMOS集成電路工藝流程 CMOS反相器 圖 2 CMOS主要工藝流程圖 圖 3 第三節(jié) 外延工藝 ① 利用外延技術(shù)可以提高高頻大功率晶體管的頻率和功率特性 。 ② 在雙極型集成電路的制造工藝中 ， 采用外延技術(shù)容易實現(xiàn)隔離 。 ③ 利用外延技術(shù)可以根據(jù)需要方便地控制薄層單晶的電阻率 、 電導(dǎo)類型 、 厚度及雜質(zhì)分布等參數(shù) 。 增大了工藝設(shè)計和器件制造的靈活性 。 外延生長的方法和原理 (1) 圖 (2) 汽相外延生長的方法 (3) 汽相外延生長原理 (4) (5) 液相外延：液相外延是一種在溶液中生長晶體的方法。液相外延的優(yōu)點是可以得到高純度的外延層。 (6) 分子束外延：分子束外延實際上是一種直接淀積技術(shù)。 分子束外延的優(yōu)點是：能精確控制外延層的化學(xué)配比，雜質(zhì)分布和外延 層厚度。 第四節(jié) 氧化工藝 1 (1) ① 二氧化硅是理想的電絕緣材料 ， 實驗表明 ， 二氧化硅在室溫附近相當(dāng)寬的溫度范圍內(nèi)性能穩(wěn)定 ， 電阻率很高 。 ② 二氧化硅的化學(xué)特性非常穩(wěn)定 ， ③ 實驗證明某些雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)比在 Si中的要小 ， 因而可以用二氧化硅
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