20xx半導(dǎo)體期末考試試卷-zhujun(已修改)
2025-08-16 08:11 本頁面
【正文】 學(xué)院 姓名 學(xué)號 任課老師 選課號 ………密………封………線………以………內(nèi)………答………題………無………效……電子科技大學(xué)二零零 六 至二零零 七 學(xué)年第 一 學(xué)期期 末 考試一、選擇填空（含多選題）（220=40分）鍺的晶格結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)分別是（ C ）。A. 金剛石型和直接禁帶型 B. 閃鋅礦型和直接禁帶型C. 金剛石型和間接禁帶型 D. 閃鋅礦型和間接禁帶型簡并半導(dǎo)體是指（ A ）的半導(dǎo)體。A、(ECEF)或(EFEV)≤0 B、(ECEF)或(EFEV)≥0 C、能使用玻耳茲曼近似計算載流子濃度D、導(dǎo)帶底和價帶頂能容納多個狀態(tài)相同的電子在某半導(dǎo)體摻入硼的濃度為1014cm3, 磷為1015 cm3，則該半導(dǎo)體為（ B?。┌雽?dǎo)體；其有效雜質(zhì)濃度約為（ E ）。A. 本征， B. n型， C. p型， D. 1015cm3, E. 91014cm3當半導(dǎo)體材料處于熱平衡時，其電子濃度與空穴濃度的乘積為（ B ），并且該乘積和（E、F ）有關(guān)，而與（ C、D ）無關(guān)。A、變化量； B、常數(shù)； C、雜質(zhì)濃度； D、雜質(zhì)類型； E、禁帶寬度； F、溫度在一定溫度下，對一非簡并n型半導(dǎo)體材料，減少摻雜濃度，會使得（ C ）靠近中間能級Ei； 如果增加摻雜濃度，有可能使得（ C ）進入（ A ），實現(xiàn)重摻雜成為簡并半導(dǎo)體。 A、Ec； B、Ev； C、EF；
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