20xx半導(dǎo)體期末考試試卷-zhujun-文庫吧
2025-07-20 08:11 本頁面
【正文】 D、Eg； E、Ei。6如果溫度升高，半導(dǎo)體中的電離雜質(zhì)散射概率和晶格振動(dòng)散射概率的變化分別是（C）。A、變大，變大 B、變小，變小 C、變小，變大 D、變大，變小最有效的復(fù)合中心能級(jí)的位置在（D ）附近，最有利于陷阱作用的能級(jí)位置位于（C ）附近，并且常見的是（ E ）陷阱。A、EA B、EB C、EF D、Ei E、少子 F、多子一塊半導(dǎo)體壽命τ=15181。s，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30181。s后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（ C ）。A、1/4 B、1/e C、1/e2 D、1/2半導(dǎo)體中載流子的擴(kuò)散系數(shù)決定于該材料中的（ A ）。A、散射機(jī)構(gòu)； B 、復(fù)合機(jī)構(gòu)； C、雜質(zhì)濃度梯度； C、表面復(fù)合速度。1下圖是金屬和n型半導(dǎo)體接觸能帶圖，圖中半導(dǎo)體靠近金屬的表面形成了（D ）。A、n型阻擋層 B、p型阻擋層 C、p型反阻擋層 D、n型反阻擋層1歐姆接觸是指（ D ）的金屬－半導(dǎo)體接觸。A、Wms=0 B、Wms＜0C、Wms＞0 D、阻值較小并且有對(duì)稱而線性的伏－安特性1MOS器件中SiO2層中的固定表面電荷主要是（ B ），它能引起半導(dǎo)體表面層中的能帶（ C ）彎曲,要恢復(fù)平帶，必須在金屬與半導(dǎo)體間加（ F ）。A．鈉離子； B硅離子.；；；E. 正電壓；F. 負(fù)電壓
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