半導(dǎo)體化學(xué)(已修改)
2025-08-13 17:58 本頁面
【正文】 半導(dǎo)體化學(xué) Doctor 湯 Lattice Power (Jiangxi) Corporation 1什么是半導(dǎo)體化學(xué) ?研究半導(dǎo)體材料的制備、分析以及半導(dǎo)體器件和集成電路生產(chǎn)工藝中的特殊化學(xué)問題的化學(xué)分支學(xué)科。 Lattice Power (Jiangxi) Corporation 半導(dǎo)體材料 ?元素半導(dǎo)體， 如硅（ Si）、鍺（ Ge）； ?二元化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵 (GaAs)、銻化銦（ InSb）； ?三元化合物半導(dǎo)體，如 GaAsAl、 GaAsP； ?固溶體半導(dǎo)體，如 GeSi、 GaAsGaP；玻璃半導(dǎo)體 (又稱非晶態(tài)半導(dǎo)體），如非晶硅、玻璃態(tài)氧化物半導(dǎo)體； ?有機(jī)半導(dǎo)體，如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。 Lattice Power (Jiangxi) Corporation ?半導(dǎo)體化學(xué)的研究對象 半導(dǎo)體化學(xué)是在 1948年發(fā)明晶體管之后逐漸形成的，是一門交叉學(xué)科，涉及到無機(jī)化學(xué)、有機(jī)化學(xué)、分析化學(xué)、物理化學(xué)、高分子化學(xué)、晶體化學(xué)、配位化學(xué)和放射化學(xué)等許多領(lǐng)域的理論和內(nèi)容。 Lattice Power (Jiangxi) Corporation 半導(dǎo)體化學(xué)的研究對象主要是高純物 質(zhì)，在半導(dǎo)體技術(shù)中，隨著半導(dǎo)體朝高頻、大功率、高集成化方向發(fā)展，對半導(dǎo)體材料以及在制作半導(dǎo)體器件、集成電 路過程中所用的各種試劑的純度 ， 提出 了 越來越 高的要求，有害雜質(zhì)含量不超過 106％～ 108％， 有的甚至要求雜質(zhì)含量109％～ 1010％。 Lattice Power (Jiangxi) Corporation ?半導(dǎo)體化學(xué)的內(nèi)容可以概括為： ①硅、鍺、砷化鎵 等半體材料的物理化學(xué)性質(zhì)及其提純精制的化學(xué)原理，完整單體的制取、完整單晶層的生長以及微量雜質(zhì)有控制地?fù)饺敕椒ā? ②半導(dǎo)體器件和集成電路制造技術(shù)如清洗、氧化、外延、制版、光刻、腐蝕、擴(kuò)散等主要工藝過程及化學(xué)反應(yīng)原理。 ③半導(dǎo)體器件及集成電路制造工藝中所用摻雜材料、化學(xué)試劑、高純氣體、高純水的化學(xué)性質(zhì)、制備原理及純度標(biāo)準(zhǔn)。 ④超純物質(zhì)分析及結(jié)構(gòu)鑒定方法，如質(zhì)譜分析、放射化分析、紅外光譜分析等。 Lattice Power (Jiangxi) Cor
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