光電檢測(cè)技術(shù)知識(shí)點(diǎn)(已修改)
2025-06-30 20:07 本頁面
【正文】 光電效應(yīng)應(yīng)按部位不同分為內(nèi)光電效應(yīng)和外光電效應(yīng)，內(nèi)光電效應(yīng)包括（光電導(dǎo)）和（光生伏特效應(yīng)）。真空光電器件是一種基于（外光電）效應(yīng)的器件，它包括（光電管）和（光電倍增管）。結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是有一個(gè)真空管，其他元件都放在真空管中光電導(dǎo)器件是基于半導(dǎo)體材料的（光電導(dǎo)）效應(yīng)制成的，最典型的光電導(dǎo)器件是（光敏電阻）。硅光電二極管在反偏置條件下的工作模式為（光電導(dǎo)），在零偏置條件下的工作模式為（光生伏特模式）。變象管是一種能把各種（不可見）輻射圖像轉(zhuǎn)換成為可見光圖像的真空光電成像器件。固體成像器件（CCD）主要有兩大類，一類是電荷耦合器件（CCD），另一類是（SSPD）。CCD電荷轉(zhuǎn)移通道主要有：一是SCCD（表面溝道電荷耦合器件）是電荷包存儲(chǔ)在半導(dǎo)體與絕緣體之間的界面，并沿界面?zhèn)鬏?；二是BCCD稱為體內(nèi)溝道或埋溝道電荷耦合器件，電荷包存儲(chǔ)在離半導(dǎo)體表面一定深度的體內(nèi)，并沿著半導(dǎo)體內(nèi)一定方向傳輸光電技術(shù)室（光子技術(shù)）和（電子技術(shù)）相結(jié)合而形成的一門技術(shù)。場(chǎng)致發(fā)光有（粉末、薄膜和結(jié)型三種形態(tài)。常用的光電陰極有正電子親合勢(shì)光電陰極（PEA）和負(fù)電子親合勢(shì)光電陰極（NEA），正電子親和勢(shì)材料光電陰極有哪些（AgOCs,單堿銻化物，多堿銻化物）。根據(jù)襯底材料的不同，硅光電二極管可分為（2DU）型和（2CU）型兩種。1像增強(qiáng)器是一種能把微弱圖像增強(qiáng)到可以使人眼直接觀察的真空光電成像器件，因此也稱為（微光管）。1光導(dǎo)纖維簡(jiǎn)稱光纖，光纖有（纖芯）、（包層）及（外套）組成。1光源按光波在時(shí)間，空間上的相位特征可分為（相干）和（非相干）光源。1光纖的色散有材料色散、（波導(dǎo)色散）和（多模色散）。1光纖面板按傳像性能分為（普通OFP）、（變放大率的錐形OFP）和（傳遞倒像的扭像器）。1光纖的數(shù)值孔徑表達(dá)式為 ，它是光纖的一個(gè)基本參數(shù)、它反映了光纖的（集光）能力，決定了能被傳播的光束的半孔徑角1真空光電器件是基于（外光電）效應(yīng)的光電探測(cè)器，他的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是有一個(gè)（真空管），其他元件都置于（真空管）。1根據(jù)襯底材料的不同，硅光電電池可分為2DR（以P型硅作基底）型和（2CR）型兩種。1根據(jù)襯底材料的不同，硅光點(diǎn)二、三級(jí)管可分為2CU和2DU、3CU和3
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