光電檢測技術(shù)知識點(完整版)
【正文】 一端，發(fā)射出的二次電子因電場加速轟擊另一端，再發(fā)射二次電子，連續(xù)發(fā)射二次可得約10的四次方的增益。光注入：攝像器件采取的唯一注入方法。2從傳輸模式角度考慮，光纖分為：多模光纖和單模光纖。光電子發(fā)射過程的三步驟：(1) 物體吸收光子后體內(nèi)的電子被激發(fā)到高能態(tài)；(2) 被激發(fā)電子向表面運動，在運動中因碰撞損失部分能量；(3) 克服表面勢壘逸出金屬表面。（2） 盒柵式：特點光電子收集率高，均勻性和穩(wěn)定性較好，但時間響應(yīng)稍慢些。1光纖的數(shù)值孔徑表達(dá)式為 ，它是光纖的一個基本參數(shù)、它反映了光纖的（集光）能力，決定了能被傳播的光束的半孔徑角1真空光電器件是基于（外光電）效應(yīng)的光電探測器，他的結(jié)構(gòu)特點是有一個（真空管），其他元件都置于（真空管）。場致發(fā)光有（粉末、薄膜和結(jié)型三種形態(tài)。光電效應(yīng)應(yīng)按部位不同分為內(nèi)光電效應(yīng)和外光電效應(yīng)，內(nèi)光電效應(yīng)包括（光電導(dǎo)）和（光生伏特效應(yīng)）。常用的光電陰極有正電子親合勢光電陰極（PEA）和負(fù)電子親合勢光電陰極（NEA），正電子親和勢材料光電陰極有哪些（AgOCs,單堿銻化物，多堿銻化物）。1根據(jù)襯底材料的不同，硅光電電池可分為2DR（以P型硅作基底）型和（2CR）型兩種。（4）百葉窗式，特點：管子均勻性好，輸出電流大并且穩(wěn)定，響應(yīng)時間較慢。2簡述SiPIN光電二極管的結(jié)構(gòu)特點，并說明SiPIN管的頻率特性為什么比普通光電二極管好？p692簡述常用像增強器的類型？并指出什么是第一、第二和第三代像增強器，第四代像增強器在在第三代基礎(chǔ)上突破的兩個技術(shù)是什么？p130答：1)類型： 級聯(lián)式像增強器、 第2代像增強器（微通道板像增強器） 、第3代像增強器 、X射線像增強器。根據(jù)折射率變化規(guī)律分為階躍型和梯度型3什么是負(fù)電子親和勢光電陰極？具有哪些優(yōu)點？NEA是指：將半導(dǎo)體表面做處理是表面區(qū)域能彎曲，真空能級降到導(dǎo)帶之下，從而使有效地電子親和勢能變?yōu)樨?fù)值。（P148）光注入過程如下：攝像時光照射到光敏面上，光子被敏元吸收產(chǎn)生電子一空穴對，多數(shù)載流子進(jìn)入耗盡區(qū)以外的的襯底，然后通過接地消失，少數(shù)載流子便被收集到勢阱中成為信號電荷。4什么是微通道板（MCP）的自飽和效應(yīng)？二代像增強器利用該效應(yīng)解決了什么問題？p130在近聚焦式的MCP位增益中，級間電壓為150V，
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