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fpga-cpld基本結(jié)構(gòu)及原理(已修改)

2025-06-25 06:51 本頁(yè)面
 

【正文】 2022/7/11 1 第二講 FPGA/CPLD基本結(jié)構(gòu)及原理 信息與通信學(xué)院:謝躍雷 2022/7/11 2 從電路設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō),可將設(shè)計(jì)好的電路“寫(xiě)入”芯片 (PLD母片),使之成為專(zhuān)用集成電路;有些 PLD可以多次“編程(邏輯重構(gòu))”,這就特別適合新產(chǎn)品試制或小批量生產(chǎn)。 PLD的編程技術(shù)有下列幾種工藝。 一、 PLD的編程技術(shù) 如何 “ 編程 ” ? 2022/7/11 3 熔絲編程技術(shù) 是用熔絲作為開(kāi)關(guān)元件,這些開(kāi)關(guān)元件平時(shí)(在未編程時(shí))處于連通狀態(tài),加電編程時(shí),在不需要連接處將熔絲熔斷,保留在器件內(nèi)的熔絲模式?jīng)Q定相應(yīng)器件的邏輯功能。 反熔絲編程技術(shù) 也稱(chēng)熔通編程技術(shù),這類(lèi)器件是用逆熔絲作為開(kāi)關(guān)元件。這些開(kāi)關(guān)元件在未編程時(shí)處于開(kāi)路狀態(tài),編程時(shí),在需要連接處的逆熔絲開(kāi)關(guān)元件兩端加上編程電壓,逆熔絲將由高阻抗變?yōu)榈妥杩?,?shí)現(xiàn)兩點(diǎn)間的連接,編程后器件內(nèi)的反熔絲模式?jīng)Q定了相應(yīng)器件的邏輯功能。 ( 1)熔絲 (Fuse)和反熔絲 (Antifuse)編程技術(shù) 2022/7/11 4 熔絲結(jié)構(gòu) 2022/7/11 5 反熔絲結(jié)構(gòu)示意 導(dǎo) 電 層 絕 緣 層導(dǎo) 電 層 導(dǎo) 電 通 道( a ) 未 編 程( b ) 已 編 程Actel的 FPGA器件 ?體積小,集成度高,速度高,易加密,抗干擾,耐高溫 ?只能一次編程,在設(shè)計(jì)初期階段不靈活 2022/7/11 6 ( 2)浮柵型電可寫(xiě)紫外線擦除編程技術(shù) 浮柵管相當(dāng)于一個(gè)電子開(kāi)關(guān),如 N溝浮柵管,當(dāng)浮柵中沒(méi)有注入電子時(shí),浮柵管導(dǎo)通;當(dāng)浮柵中注入電子后,浮柵管截止。浮柵管的浮柵在原始狀態(tài)沒(méi)有電子,如果把源極和襯底接地,且在源 漏極間加電壓脈沖產(chǎn)生足夠強(qiáng)的電場(chǎng),使電子加速躍入浮柵中,則使浮柵帶上負(fù)電荷,電壓脈沖消除后,浮柵上的電子可以長(zhǎng)期保留;當(dāng)浮柵管受到紫外光照射時(shí),浮柵上的電子將流向襯底,擦除所記憶的信息,而為重新編程做好準(zhǔn)備。 2022/7/11 7 浮柵型紫外線擦除熔絲結(jié)構(gòu) n n+ +S DG1 G2SiO 2早期 PROM器件采用此工藝 ?可反復(fù)編程 ?不用每次上電重新下載,但相對(duì)速度慢,功耗較大 2022/7/11 8 ( 3)浮柵型電可寫(xiě)電擦除編程技( E2PROM) 此類(lèi)器件在 CMOS管的浮柵與漏極間有一薄氧化層區(qū),其厚度為 10μm~ 15μm,可產(chǎn)生隧道效應(yīng)。編程(寫(xiě)入)時(shí), 漏極接地,柵極加 20V的脈沖電壓 ,襯底中的電子將通過(guò)隧道效應(yīng)進(jìn)入浮柵,浮柵管正常工作時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài),脈沖消除后,浮柵上的電子可以長(zhǎng)期保留;若將其 控制柵極接地,漏極加 20V的脈沖電壓 ,浮柵上的電子又將通過(guò)隧道效應(yīng)返回襯底,則使該管正常工作時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài),達(dá)到對(duì)該管擦除的目的。 編程和擦除都是通過(guò)在漏極和控制柵極上加入一定幅度和極性的電脈沖來(lái)實(shí)現(xiàn),可由用戶(hù)在“現(xiàn)場(chǎng)”用編程器來(lái)完成。 2022/7/11 9 浮柵型電可擦除熔絲結(jié)構(gòu) n n+ +G1S DG2 SiO 2大多數(shù) CPLD器件采用此工藝 ?可反復(fù)編程 ?不用每次上電重新下載,但相對(duì)速度慢,功耗較大 2022/7/11 10 ( 4) SRAM編程技術(shù) 與浮柵型熔絲結(jié)構(gòu)基本相同。 SRAM編程技術(shù)是在 FPGA器件中采用的主要編程工藝之一。 SRAM型的FPGA是易失性的,斷電后其內(nèi)部編程數(shù)據(jù)(構(gòu)造代碼)將丟失,需在外部配接 ROM存放 FPGA的編程數(shù)據(jù)。 ?可反復(fù)編程,實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)功能的動(dòng)態(tài)重構(gòu) ?每次上電需重新下載,實(shí)際應(yīng)用時(shí)需外掛 EEPROM用于保存程序 2022/7/11 11 二、復(fù)雜可編程邏輯器件( CPLD)的基本原理 現(xiàn)在一般把所有超過(guò)某一集成度(如 1000門(mén)以上)的 PLD器件都稱(chēng)為 CPLD。 CPLD由可編程邏輯的功能塊圍繞一個(gè)可編程互連矩陣構(gòu)成。由固定長(zhǎng)度的金屬線實(shí)現(xiàn)邏輯單元之間的互連,并增加了 I/O控制模塊的數(shù)量和功能。可以把 CPLD的基本結(jié)構(gòu)看成由 可編程邏輯陣列( LAB) 、 可編程 I/O控制模塊和可編程內(nèi)部連線( PIA)等三部分組成。 2022/7/11 12 LAB LAB LAB LAB LAB LAB LAB LAB LAB LAB LAB LAB LAB LAB LAB LAB I/O控制模塊 P I A MAX7123的結(jié)構(gòu) 2022/7/11 13 1.可編程邏輯陣列( LAB) 可編程邏輯陣列又若干個(gè)可編程邏輯宏單元( Logic Macro C
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