研究生入學考試復習大綱(已修改)
2025-06-19 21:26 本頁面
【正文】 研究生入學考試復習大綱“半導體物理與器件物理”(801)一、 總體要求“半導體物理與器件物理”（801）由半導體物理、半導體器件物理二部分組成，半導體物理占60%（90分）、器件物理占40%（60分）。 “半導體物理”要求學生熟練掌握半導體的相關(guān)基礎理論，了解半導體性質(zhì)以及受外界因素的影響及其變化規(guī)律。重點掌握半導體中的電子狀態(tài)和帶、半導體中的雜質(zhì)和缺陷能級、半導體中載流子的統(tǒng)計分布、半導體的導電性、半導體中的非平衡載流子等相關(guān)知識、基本概念及相關(guān)理論，掌握半導體中載流子濃度計算、電阻(導)率計算以及運用連續(xù)性方程解決載流子濃度隨時間或位置的變化及其分布規(guī)律等。“器件物理”要求學生掌握MOSFET器件物理的基本理論和基本的分析方法，使學生具備基本的器件分析、求解、應用能力。要求掌握MOS基本結(jié)構(gòu)和電容電壓特性；MESFET器件的基本工作原理；MOSFET器件的頻率特性；MOSFET器件中的非理想效應；MOSFET器件按比例縮小理論；閾值電壓的影響因
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