電子技術基礎(模擬部分)試卷二及答案(已修改)
2025-06-12 12:20 本頁面
【正文】 試卷二系別 學號 姓名 成績 考試課程 模擬電子技術基礎 考試日期 2002 年 １２ 月１２日題號一二三四五六七八九總分分數(shù)得分核分人閱卷人1．單項選擇題(在每一小題的四個備選答案中，選出一個正確的答案，并將其序號寫在題干后的( )內(nèi)。每小題2分，共20分)(1)雜質(zhì)半導體中的少數(shù)載流子濃度取決于( )。 A．摻雜濃度 B．工藝 D．晶體缺陷(2)硅穩(wěn)壓管在穩(wěn)壓電路中穩(wěn)壓時，工作于( )。①2V②8V③ A．正向?qū)顟B(tài) B．反向電擊穿狀態(tài) C．反向截止狀態(tài) D．反向熱擊穿狀態(tài)(3)測得一放大電路中的三極管各電極相對于“地”的電壓如圖1所示，A．NPN型硅管 B．NPN型鍺管 C．PNP型鍺管 D．PNP型硅管(4)溫度上升時，半導體三級管的( )。 A．β和ICBO增大，UBE下降 B．β和UBE增大，ICBO減小 C．β減小，ICBO和UBE增大 D．β、ICBO和UBE均增大 (圖1)(5)在共射極、共基極、共集電極、共漏極四種基本放大電路中，ｕｏ與ｕｉ相位相
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