電力電子與電動(dòng)機(jī)(已修改)
2025-06-09 00:27 本頁面
【正文】 目錄 1 電力電子學(xué)為什么很重要？2 電力電子學(xué)的應(yīng)用3 電力電子學(xué)與新能源應(yīng)用4 電力電子技術(shù)的演變5 電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展6 電力電子變換器的發(fā)展7 傳動(dòng)用電機(jī)的發(fā)展1～(略)4 電力電子技術(shù)的演變電力電子技術(shù)的發(fā)展階段:電力電子和電機(jī)傳動(dòng)發(fā)展歷史上的若干重要事件l 1897年 開發(fā)了三相二極管橋式整流器l 1901年 peter cooper hewitt演示了玻璃殼汞弧整流器l 1906年 kramer傳動(dòng)問世l 1907年 scherbins傳動(dòng)問世l 1926年 熱陰極閘流管問世l 1930年 紐約地鐵安裝了用于直流傳動(dòng)的3mw柵控汞弧整流器l 1931年 德國(guó)鐵路上引入了汞弧周波變換器，用于電動(dòng)機(jī)牽引傳動(dòng)l 1934年 充氣閘流管周波變換器—同步電動(dòng)機(jī)(400馬力)安裝于洛根發(fā)電站，用于引風(fēng)機(jī)傳動(dòng)(第一次實(shí)現(xiàn)交流變頻傳動(dòng))l 1948年 貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了晶體管l 1956年 硅功率二極管問世l 1958年 商用半導(dǎo)體晶體閘流管(scr)由通用電氣公司引入市場(chǎng)l 1971年 矢量控制(或磁場(chǎng)定向控制)問世l 1975年 日本東芝公司將大功率的bjt引入市場(chǎng)l 1978年 ir公司將功率moseet引入市場(chǎng)l 1980年 大功率的gto在日本問世l 1981年 二極管箝位的多電平逆變器問世l 1983年 igbt在通用電氣公司問世l 1983年 空間(電壓)矢量pwm技術(shù)問世l 1986年 直接轉(zhuǎn)矩控制技術(shù)(dtc)問世l 1987年 模糊邏輯首次應(yīng)用于電力電子l 1991年 人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)被應(yīng)用于直流電動(dòng)機(jī)傳動(dòng)l 1996年 abb公司將正向阻斷型igct引入市場(chǎng) 5 電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展l 二極管(1955) l 晶閘管(1958) l 雙向晶閘管(triac)(1958) l 門極可關(guān)斷晶閘管(gto)(1980) l 雙極功率晶體管(bjt或gtr)(1975) l 功率mosfet(1975) l 絕緣門極雙極性晶體管(1985) l 絕緣柵雙極晶體管(igbt)(1985) l 靜電感應(yīng)晶體管(sit)(1985) l 集成門極換流晶閘管(igct)(1996) l 碳化硅器件 器件功率—頻率趨勢(shì)如圖3所示。igbt概述l 自1983年問世之后發(fā)展得非?？靗 簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)—簡(jiǎn)單的加工過程l 不對(duì)稱的和對(duì)稱的阻斷型器件均已問世l 可構(gòu)成靈巧功率集成電路(smart power)l 市場(chǎng)化器件達(dá)3500v，1200a()l 智能功率模塊達(dá)到1200v，800a(供250馬力電動(dòng)機(jī)用)l 具有方形安全工作區(qū)—無吸收緩沖器運(yùn)行的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)l 具有溝槽柵的第四代igbt器件(通態(tài)壓降有可能降低一半)l 在大功率條件下，pwm開關(guān)頻率可達(dá)1khzl 在三電平逆變器中逆變器容量可達(dá)1mw或更高igct概述l 1996
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