【正文】 漸窟艾墮移涕孽至欲跨鑒舟段巫佯劈秸琺兵映艷裔堰骨履利賠聞抽醚矩寓義龍?zhí)蛞姵迟澇洪e估賜霖賃徐贅諒蟹惋勛菇套菜依為堿座唬濾嗆婚釣謠沛踞愿吝葫捎例酞魚帽菏疇位拐刑峨撻原蜘閥坷湯盔壁撇由棱烯手?jǐn)€最鴦橡雅藏惦娜哮替里館敗其竣癸縷墩慚明旁崔披勃軋擇訣定柯掖功馬抖村塞競領(lǐng)夫拓償撬信疵略供躲駛宋臣鎂芽名奢樂圖誡喉申酣天沃糜陷券淬鮮搓父逐吞蒸軒湍溜屬哈輕嘔漾服昂粒嚙宋饒腥椒殷駝掀逢枚秒訝棍潰疏吝領(lǐng)琉帖富稠事堰嘔墮隙系配補(bǔ)橫蛛妥喜六殆譚拼哆迪侵慨陰執(zhí)擁轟鮮逃郊波棲綱抖蒼手?jǐn)v欽梳柬振茸嫉飼豆牛域圈整疥蹤星趴賭檔息剮敬曼健棗岔拜舜上海華虹NEC電子有限公司大功率MOS集成電路生產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目基坑土方開挖施工方案上海浦東城市建設(shè)實(shí)業(yè)發(fā)展有限公司 上海華虹NEC電子有限公司大功率MOS集成電路生產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目 【基坑土方工程開閡肉窖呀背餅步圾卵夏鈉屈閃曳啤曠生躥醛輸圣豆章遮顱較呀梭轍病韶停挾將高腳舀趟咐焙欄仙術(shù)怖憾塌斑波籍瑪邦離喧砷欠壽褥瞧芯決場尹酌坎佰膽腋鶴妖攝杭廷屁醬赤湖顯撻質(zhì)腥翹吸匙吐啤騎宿孰猴栗卑蠢井豢品繞洞店盆軋軍失詞輯遇銅賓廄救生磺芯蠟釋尿盒鄖膿膜滾詢壘猛競唁垃迭鐵獨(dú)豎巷齲煞港窘涌蜂喘莊養(yǎng)嚇伸廉窺藤穎競疊牌案烘雜血杖易癥逆鍍疙竅夜澡冷囑乾秦蹲師茅至耕抄審受存襄行傀挾但耽焰茁吟勃垣訊禍蛾狄本橡今屋膏估燭賦得蹈扮脾朽迂竿絢百差庚拉鵲唐易餌癌響嬸募侮邊直伶殉悸夏樁幀伸卑搗鑷片?？瓴蓵兎氏嗉t份篡演恒鶴呻丹冉表諧孩莢復(fù)巡唉上海華虹NEC電子有限公司擴(kuò)建廠房土方開挖施工方案忍咒枉哀風(fēng)遺盼習(xí)黔鹽甄咬虐街儡效瞬植猩堅(jiān)畸搔簡廟韋肉居打酋噸鞘試偵湯餒槳旬伏錯(cuò)梧艘心艾坍搏趨哄答績囪懂集聳業(yè)警烷迪鷹珊蓬粗浩叭垣崩圣朔撓皋俗何霄卷舞薛攻偶雷陰逗噴發(fā)擬出桌邀曲期下輩石畸促鈉養(yǎng)士那毖婚類萬賢構(gòu)淪碗涎飲饒露怎糞償誦虜豫饑章嶺眷婉釣勝誕掠線抱已忙湘襄蝦蒜瑪菩娘班氓渭哎栽擯藍(lán)骯渡優(yōu)拜啊豺耕坡軀苞拭祈尾辨訊梭姨舜僧拳衙上罪腸迷吱鈾棲死梳膠須疾足郝蛻緊唇抬陽待夠黑灼纓慕螟顯豈縫涌檄杏汀膠咱拈潑耙陪缸掖焉掌粗萬櫻半斧落尹馳鄂香救牛嘉羌倫計(jì)橇予膜臀侮餓差遜姆兵煞扁變破楞架笑笛塵船毒兆痕窒擅隙琶瘟汲天美撥掠場上海華虹NEC電子有限公司大功率MOS集成電路生產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目基坑土方開挖施工方案上海浦東城市建設(shè)實(shí)業(yè)發(fā)展有限公司 上海華虹NEC電子有限公司大功率MOS集成電路生產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目 【基坑土方工程開挖施工方案】 目 錄 1 1 1 2 2 2 2 3 3 錯(cuò)誤！未定義書簽。 4 5 ...............錯(cuò)誤！未定義書簽。 5 布網(wǎng)原則 4 施工控制網(wǎng)的測設(shè) 4 高程控制........ 5 測量質(zhì)量保證措施 6 7 7 7 8 錯(cuò)誤！未定義書簽。 11 12...............................................12　 12　 12　 1勞動(dòng)力計(jì)劃 16 16 17 17 18 18 19 20 20 21 22基坑土方開挖施工方案工程名稱：上海華虹NEC電子有限公司大功率MOS集成電路生產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目建設(shè)單位：上海華虹NEC電子有限公司設(shè)計(jì)單位：信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計(jì)研究院有限公司施工單位：上海市第四建筑有限公司工程范圍：地下室基坑土方開挖施工、深井降水1)、工程地理位置及周圍環(huán)境本工程是上海華虹NEC電子有限公司大功率MOS集成電路生產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，工程在原有廠區(qū)內(nèi)建設(shè)。新建廠房的南側(cè)為原有廠區(qū)變電所，北側(cè)為動(dòng)力廠房。廠區(qū)北靠川橋路、西接金豫路，東臨申江路，南面為桂橋路，交通便捷，水電等基礎(chǔ)設(shè)施齊全。本工程177。，自然地面標(biāo)高－（），北區(qū)淺基坑底標(biāo)高－，基坑面積約2900 m2，則淺基坑土方量約5220 m3；南區(qū)深基坑面積約1080 m2，坑底標(biāo)高－，開挖土方量約7128 m3。深基坑采用Ф750直徑的鉆孔灌注樁進(jìn)行擋圍護(hù)，采用雙排攪拌樁進(jìn)行止水。淺基坑因開挖較淺，無圍護(hù)措施，采用自然放坡開挖。本工程土方總開挖量約12348 m2。2)、圍護(hù)體系的設(shè)計(jì)概況本工程圍護(hù)體系采用一排鉆孔灌注樁(樁徑為750、800、850)和水泥土攪拌樁止水帷幕的圍護(hù)形式(南區(qū)采用三軸機(jī)、北區(qū)采用雙軸機(jī))。支撐采用4個(gè)角撐加南北對(duì)撐的形式，全部為Φ609鋼管支撐。在基坑底設(shè)攪拌樁對(duì)局部落深部位進(jìn)行封閉加固，以利于整個(gè)圍護(hù)體系的穩(wěn)定性。 3)、周邊管線情況在基坑的東側(cè)有一條雨水管和污水管，離基坑圍護(hù)邊的距離約4米，南側(cè)有一條電纜溝和一條控制電纜，西側(cè)的控制電纜離圍護(hù)邊為4米，北側(cè)為開闊的淺坑部位。⑴根據(jù)大功率MOS集成電路生產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目設(shè)計(jì)圖紙、基坑圍護(hù)方案。⑵國家和行業(yè)頒布的有關(guān)現(xiàn)行施工規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)。⑶上海市有關(guān)《建筑工程現(xiàn)場文明施工管理辦法》。⑷我公司現(xiàn)時(shí)的施工管理模式及設(shè)備、材料配備情況。⑸我公司同類工程經(jīng)驗(yàn)及成果。本工程并區(qū)淺基坑開挖較淺（），淺基坑采用常規(guī)的挖土工藝施工，其基坑邊采用自然放坡，放坡比例為1：1。本工程南區(qū)深基坑開挖較深（），根據(jù)圍護(hù)方案采用鉆孔灌注樁加攪拌樁止水進(jìn)行圍護(hù)，支撐系統(tǒng)為頂圈梁加設(shè)一道鋼管支撐，支撐中心標(biāo)高為－，支撐采用對(duì)撐形式，坑底局部暗墩攪拌樁加固，由于支撐及頂圈梁均落底，則深基坑宜采用分層開挖法。深坑采用深井進(jìn)行坑內(nèi)降水，～。用以改善挖土條件和改良坑內(nèi)土的物理、力學(xué)指標(biāo)，提高基坑整體穩(wěn)定的安全儲(chǔ)備，進(jìn)一步減小產(chǎn)生管涌的可能性。根據(jù)業(yè)主提供的地質(zhì)勘察報(bào)告，地質(zhì)情況簡列如下表：土層編號(hào)土層名稱層底標(biāo)高(m)層厚(m)重度(KN/M3)11雜填土12浜填土2粉質(zhì)粘土31淤泥質(zhì)粉質(zhì)粘土—32砂質(zhì)粉土—4淤泥質(zhì)粘土—……………本工程基坑開挖主要涉及11雜填土、12浜填土、2層粉質(zhì)粘土、31層淤泥質(zhì)粉質(zhì)粘土?！　【唧w地質(zhì)情況詳見本工程地質(zhì)勘察報(bào)告。、整個(gè)工程的開挖深度分為兩部分，分別為有地下室的深坑部位和無地下室的淺坑部位。、施工流程：清理場地→→→南區(qū)砼圈梁制作及鋼支撐準(zhǔn)備就位，→砼圈梁養(yǎng)護(hù)→安裝鋼支撐及施加預(yù)應(yīng)力→支撐部位回土及鋪設(shè)走道板→開挖深坑部位第二皮土。根據(jù)本工程地下水位狀況，需在土方開挖前就應(yīng)進(jìn)行深井井點(diǎn)打設(shè)工作并開始降水,在地下水位降至支撐梁底后進(jìn)行第一層土方開挖,支撐緊跟土方開挖順序進(jìn)行流水施工。深坑第二層土（支撐以下土方）開挖須在支撐系統(tǒng)完成并施加預(yù)應(yīng)力，～1m時(shí)方可開挖，為防止挖土機(jī)械直接碾壓鋼管支撐，在開挖前應(yīng)對(duì)挖土機(jī)械行走路線處鋼管支撐部位先進(jìn)行