foundry工廠專(zhuān)業(yè)名詞解釋—chapter1(已修改)
2025-05-25 22:25 本頁(yè)面
【正文】 Foundry工廠專(zhuān)業(yè)名詞解釋—chapter1 1 Active Area 有源區(qū)（工作區(qū)） 有源晶體管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的區(qū)域即所謂的有源區(qū)（ACTIVE AREA）。在標(biāo)準(zhǔn)之MOS制造過(guò)程中ACTIVE AREA是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之后的局部場(chǎng)區(qū)氧化所形成的，而由于利用到局部場(chǎng)氧化之步驟，所以ACTIVE AREA會(huì)受到鳥(niǎo)嘴（BIRD’S BEAK）之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區(qū)域來(lái)的小，’S BEAK存在，也就是說(shuō)ACTIVE 。 2 ACETONE 丙酮 1. 丙酮是有機(jī)溶劑的一種，分子式為CH3COCH3。2. 性質(zhì)為無(wú)色，具刺激性及薄荷臭味之液體。3. 在FAB內(nèi)之用途，主要在于黃光室內(nèi)正光阻之清洗、擦拭。4. 對(duì)神經(jīng)中樞具中度麻醉性，對(duì)皮膚黏膜具輕微毒性，長(zhǎng)期接觸會(huì)引起皮膚炎，吸入過(guò)量之丙酮蒸汽會(huì)刺激鼻、眼結(jié)膜及咽喉黏膜，甚至引起頭痛、惡心、嘔吐、目眩、意識(shí)不明等。5. 允許濃度1000PPM。 3 ADI 顯影后檢查 ：After Developing Inspection ：檢查黃光室制程；光阻覆蓋→對(duì)準(zhǔn)→曝光→顯影。發(fā)現(xiàn)缺點(diǎn)后，如覆蓋不良、顯影不良…等即予修改，以維護(hù)產(chǎn)品良率、品質(zhì)。：利用目檢、顯微鏡為之。 4 AEI 蝕刻后檢查 1. 定義：AEI即After Etching Inspection，在蝕刻制程光阻去除前及光阻去除后，分別對(duì)產(chǎn)品實(shí)施全檢或抽樣檢查。：21提高產(chǎn)品良率，避免不良品外流。22達(dá)到品質(zhì)的一致性和制程之重復(fù)性。23顯示制程能力之指針24阻止異常擴(kuò)大，非必要時(shí)很少作修改，因?yàn)橹厝パ趸瘜踊蛑亻L(zhǎng)氧化層可能造成組件特性改變可靠性變差、缺點(diǎn)密度增加，生產(chǎn)成本增高，以及良率降低之缺點(diǎn)。 5 AIR SHOWER 空氣洗塵室 進(jìn)入潔凈室之前，需穿無(wú)塵衣，因在外面更衣室之故，無(wú)塵衣上沾著塵埃，故進(jìn)潔凈室之前，需經(jīng)空氣噴洗機(jī)將塵埃吹掉。 6 ALIGNMENT 對(duì)準(zhǔn) 1. 定義：利用芯片上的對(duì)準(zhǔn)鍵，一般用十字鍵和光罩上的對(duì)準(zhǔn)鍵合對(duì)為之。2. 目的：在IC的制造過(guò)程中，必須經(jīng)過(guò)6~10次左右的對(duì)準(zhǔn)、曝光來(lái)定義電路圖案，對(duì)準(zhǔn)就是要將層層圖案精確地定義顯像在芯片上面。3. 方法：、電組合代替人眼，即機(jī)械式對(duì)準(zhǔn)。 7 ALLOY/SINTER 熔合 Alloy之目的在使鋁與硅基(Silicon Substrate)之接觸有Ohmic特性，即電壓與電流成線(xiàn)性關(guān)系。Alloy也可降低接觸的阻值。 8 AL/SI 鋁/硅 靶 此為金屬濺鍍時(shí)所使用的一種金屬合金材料利用Ar游離的離子，讓其撞擊此靶的表面，把Al/Si的原子撞擊出來(lái)，而鍍?cè)谛酒砻嫔?，一般使用之組成為Al/Si (1%)，將此當(dāng)作組件與外界導(dǎo)線(xiàn)連接。 9 AL/SI/CU 鋁/硅 /銅 金屬濺鍍時(shí)所使用的原料名稱(chēng)，通常是稱(chēng)為T(mén)ARGET，﹪銅，1﹪﹪鋁，一般制程通常是使用99﹪鋁1﹪硅，后來(lái)為了金屬電荷遷移現(xiàn)象（ELEC TROMIGRATION）﹪銅，以降低金屬電荷遷移。 10 ALUMINUN 鋁 此為金屬濺鍍時(shí)所使用的一種金屬材料，利用Ar游離的離子，讓其撞擊此種材料做成的靶表面，把Al的原子撞擊出來(lái)，而鍍?cè)谛酒砻嫔?，將此?dāng)作組件與外界導(dǎo)線(xiàn)之連接。 11 ANGLE LAPPING 角度研磨 Angle Lapping 的目的是為了測(cè)量Junction的深度，所作的芯片前處理，這種采用光線(xiàn)干涉測(cè)量的方法就稱(chēng)之Angle Lapping。公式為Xj=λ/2 NF即Junction深度等于入射光波長(zhǎng)的一半與干涉條紋數(shù)之乘積。但漸漸的隨著VLSI組件的縮小，準(zhǔn)確度及精密度都無(wú)法因應(yīng)。如SRP(Spreading Resistance Prqbing)也是應(yīng)用Angle Lapping的方法作前處理，采用的方法是以表面植入濃度與阻值的對(duì)應(yīng)關(guān)系求出Junction的深度，精確度遠(yuǎn)超過(guò)入射光干涉法。 12 ANGSTRON 埃 是一個(gè)長(zhǎng)度單位，其大小為1公尺的百億分之一，約為人的頭發(fā)寬度之五十萬(wàn)分之一。此單位常用于IC制程上，表示其層（如SiO2，Poly，SiN….）厚度時(shí)用。 13 APCVD（ATMOSPRESSURE） 常壓化學(xué)氣相沉積 APCVD為Atmosphere(大氣)，Pressure(壓力)，Chemical(化學(xué))，Vapor(氣相)及Deposition(沉積)的縮寫(xiě)，也就是說(shuō)，反應(yīng)氣體（如SiH4(g)，B2H6(g)，和O2(g)）在常壓下起化學(xué)反應(yīng)而生成一層固
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