高電壓總復(fù)習(xí)ppt課件(已修改)
2025-05-19 12:09 本頁面
【正文】 高 電 壓 技 術(shù) 總 復(fù) 習(xí) 高 電 壓 技 術(shù) ?第一篇 各類電介質(zhì)在高電場下的電氣特性 ?第二篇 電氣設(shè)備的絕緣試驗(yàn) ?第三篇 電力系統(tǒng)內(nèi)部過電壓與絕緣配合 第一篇 電介質(zhì)在高電場下的特性 ?電介質(zhì)在電氣設(shè)備中作為絕緣材料使用，按其物質(zhì)形態(tài)，可分為： ? 氣體介質(zhì) ? 液體介質(zhì) ? 固體介質(zhì) ?在電氣設(shè)備中 : ?外絕緣 : 一般由氣體介質(zhì) (空氣 )和固體介質(zhì) (絕緣子 )聯(lián)合構(gòu)成 ?內(nèi)絕緣 :一般由固體介質(zhì)和液體介質(zhì)聯(lián)合構(gòu)成 Ⅰ 氣體介質(zhì)的電氣特性 ?一、非自持放電和自持放電 ? ： 當(dāng)施加電壓 UUc時，電流值很小，這個電流值需要外界電離因素才能維持，這樣的放電稱非自持放電。 ? 當(dāng) UUo時，電流劇增，氣隙中的電離過程只靠外施電壓就可以維持，不再需要外部電離因素，稱自持放電。 二、湯遜理論 ? 實(shí)質(zhì)： 放電的主要原因是電子碰撞電離，二次電子來源于正離子撞擊陰極表面溢出電子，溢出電子是維持氣體放電的必要條件。 ? 自持放電條件： ? 適用范圍： 低氣壓短氣隙， pd cm pd過大時湯遜理論無法解釋： ?放電時間：很短 ?放電外形：具有分支的細(xì)通道 ?擊穿電壓：與理論計算不一致 ?陰極材料：無關(guān) 1)1( ??de ??三、流注理論 ?流注發(fā)展過程 初始電子崩（電子崩頭部電子數(shù)達(dá)到一定數(shù)量） → 電場畸變和加強(qiáng) → 電子崩頭部正負(fù)空間電荷復(fù)合 → 放射大量光子 → 光電離 → 崩頭處二次電子（光電子） → （向正空間電荷區(qū)運(yùn)動）碰撞游離 → 二次電子崩 → （二次電子崩電子跑到初崩正空間電荷區(qū)域）流注發(fā)展到陰極，氣隙被擊穿 流注的形成過程 ? 1）在光照下，電子在強(qiáng)電場的作用下，形成電子崩，初崩發(fā)展到陽極時，電子迅速與陽極中和； ? 2）離子的速度較慢，暫留的正離子加強(qiáng)了正離子與陰極之間的電場，并使之畸變，同時放出大量的光子； ? 3）光子又電離了附近的氣體，形成二次電子崩，二次電子崩的電子迅速移向陽極方向，在正電荷區(qū)域內(nèi)形成正負(fù)帶電粒子混合通道，這個電離通道稱流注 。流注端部又有二次電子崩留下的正電荷，進(jìn)一步加強(qiáng)了電場，促使更多的新電子崩相繼產(chǎn)生并與之匯合，使流注向前發(fā)展； ? 4）最后，流注發(fā)展到陰極，將兩極接通，導(dǎo)致氣隙空氣被擊穿。 三、流注理論 ?流注形成條件： ?電子崩發(fā)展到 足夠的程度 后，電子崩中的空間電荷足以使原電場 明顯畸變 ，大大加強(qiáng)電子崩崩頭和崩尾處的電場； ?電子崩中電荷密度很大，復(fù)合頻繁，放射出的光子在這部分很強(qiáng)，電場區(qū)很容易成為引發(fā)新的空間光電離的輻射源，二次電子主要來源于 空間光電離 ； ?氣隙
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