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正文內(nèi)容

icpaes分析技術(shù)ppt課件(已修改)

2025-05-17 13:02 本頁面
 

【正文】 ICP原子發(fā)射光譜 分析 技術(shù) 內(nèi) 容 ① ICPAES分析原理及特點 ② ICPAES儀器 ③ ICPAES分析方法 ④ 儀器的維護和保養(yǎng) ⑤ ICP光譜法的新進展 ICPAES分析 性能及特點 ICPAES的發(fā)展歷程 20世紀 60年代提出、 70年代迅速發(fā)展 1975年推出第一臺 ICP同時型 (多道 )商品儀器 80~90年代儀器的性能得到迅速提高成為元素分析常規(guī)手段 固態(tài)成像檢測器和中階梯光柵應(yīng)用于新一代的ICP光譜儀 等離子體 (Plasma) ? 等離子體( Plasma) — 一般指電離度超過%被電離了的氣體,這種氣體不僅含有中性原子和分子,而且含有大量的電子和離子,且電子和正離子的濃度處于平衡狀態(tài),從整體來看是出于中性的。 ? “ 高溫 下電離氣體 ( Ionized gas) ” “ 離子狀態(tài) ” “ 陽離子和電子數(shù)幾乎相等 ” 等離子體 磁力線 高頻耦合線圈 樣品 粒子 ICP:Inductively Coupled Plasma 電感耦合等離子體 ? “ 炬管 ” “ 工作氣體 Ar”“高頻電流經(jīng)感應(yīng)線圈產(chǎn)生高頻電磁場 ” “ 電子、離子源 ” ? 引入樣品 元素 被激發(fā) ( 發(fā) 光源) → ICP發(fā)射光譜 分析 (溫度 6000~7000 ?C, 惰性 ) 線性范圍寬: 105 、 靈敏 (ppb) 、 化學(xué)干擾少 等離子火炬與頻率關(guān)系 等離子體光源的分區(qū) 1. NAZ分析區(qū) 2. PHZ預(yù)熱區(qū) 3. 尾焰 4. IRZ 初始 輻 射 區(qū) ?ICPAES(OES) ICP Atomic Emission Spectrometry (Optical Emission Spectrometry) ICP發(fā)射光譜 分析法 ?元素分析 ?溶液進樣 10 原子離子 ? 發(fā)射光譜的產(chǎn)生 E1 E2 離子化 ( 游離 ) 激發(fā)狀態(tài) 頻率 ν 電子 原子核 E0 離子 能級 エ ネ ルギ- E2 E 1 1 2 h ν ΔE 離子化 ◆ 在等離子體中元素原子化、離子化 ◆ 在等離子體中元素發(fā)射特征波長的光 ICP發(fā)射光譜分析的基本原理 ICP發(fā)射光譜分析過程主要分為三步 , 即激發(fā)、分光和檢測 . 1. 利用等離子體激發(fā)光源( ICP) 使試樣蒸發(fā)汽化 , 離解或分解為原子狀態(tài),原子可能進一步電離成離子狀態(tài),原子及離子在光源中激發(fā)發(fā)光。 2. 利用光譜儀器將光源發(fā)射的光分解為按波長排列的光譜。 3. 利用光電器件檢測光譜,按測定得到的光譜波長對試樣進行定性分析,按發(fā)射光強度進行定量分析 I = Nmhν=K’NmN0eEm/ kT (1) 在一定的實驗條件下 : I = aC
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