數(shù)字電子基礎(chǔ)康華光(已修改)
2025-05-11 08:28 本頁(yè)面
【正文】 TTL邏輯門(mén) BJT的開(kāi)關(guān)特性 基本 BJT反相器的動(dòng)態(tài)特性 TTL反相器的基本電路 TTL邏輯門(mén)電路 集電極開(kāi)路門(mén)和三態(tài)門(mén) BiMOS門(mén)電路 一 . 二極管的開(kāi)關(guān)特性 二極管符號(hào)： 正極 負(fù)極 ＋ uD － 二極管的伏安特性： I F 0. 5 0. 7 i D ( mA ) u D ( V ) 伏安特性 U BR 0 二極管的單向?qū)щ娦裕?PN結(jié)的基本特性），相當(dāng)于一個(gè)受外加電壓極性控制的開(kāi)關(guān)。 ?導(dǎo)通條件及特點(diǎn) 條件 ： VD 特點(diǎn)：相當(dāng)于 ?截止條件及特點(diǎn) 條件 ： VD 特點(diǎn)：相當(dāng)于完全斷開(kāi)的開(kāi)關(guān) 二極管的靜態(tài)開(kāi)關(guān)特性： D IvRL i o t1 t VF VR i IF IR ts t? 二極管從正向?qū)ǖ浇刂褂? 有一個(gè)反向恢復(fù)過(guò)程 二極管的反向恢復(fù)時(shí)間限制了二極管的開(kāi)關(guān)速度。 ?ttt sre ?? 稱(chēng)為反向恢復(fù)時(shí)間 其中 st 為存儲(chǔ)時(shí)間， ?t 為渡越時(shí)間 二極管的反向恢復(fù)過(guò)程是由于電荷存儲(chǔ)效應(yīng)引起的，反向恢復(fù)時(shí)間就是存儲(chǔ)電荷消失的時(shí)間。 正向?qū)〞r(shí)，非平衡少數(shù)載流子 積累的現(xiàn)象叫電荷存儲(chǔ)效應(yīng)。 動(dòng)態(tài)特性 BJT的開(kāi)關(guān)特性 iB?0， iC?0， vO＝ VCE≈VCC， c、 e極之間近似于開(kāi)路 , vI=0V時(shí) : iBIBS， iC ? VCC/RC， vO＝ VCE≈， c、 e極之間 vI=5V時(shí) : 近似于短路 . ＋ － Rb Rc +VCC b c e ＋ － 截止?fàn)顟B(tài) 飽和狀態(tài) iB≥IBS ui=UIL uo=+VCC ui=UIH uo= ＋ － Rb Rc +VCC b c e ＋ － ＋ ＋ － － Q 2 u i i B e R b b i C ( mA) 直流負(fù)載線(xiàn) V CC R c 0 + V CC i C u o 工作原理電路 輸出特性曲線(xiàn) 80 μ A 60 μ A 40 μ A 20 μ A i B =0 0 U CES V CC u CE (V) 0 u BE ( V ) 輸入特性曲線(xiàn) i B ( μ A ) Q 1 Q R c c 飽和區(qū) 截止區(qū) 放 大 區(qū) iC＝ ICS≈ VRCCc很小，約為數(shù)百歐，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合 可變 很大，約為數(shù)百千歐，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi) c、 e間等效內(nèi)阻 VCES ≈ ~ V VCE＝ VCC－ iCRc VCEO ≈ VCC 管壓降 且不隨 iB增加而增加 ic ≈ ?iB iC ≈ 0 集電極電 流 發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為正偏 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏 發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為反偏 偏置情況 工作特點(diǎn) iB iB≈0 條件 飽 和 放 大 截 止 工作狀態(tài) BJT的開(kāi)關(guān)條件
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