微機原理第5章期末復習(已修改)
2025-05-11 06:42 本頁面
【正文】 1 第 5章 存儲器 系統(tǒng) 2 主要內容： ? 存儲器系統(tǒng)的概念 ? 半導體存儲器的分類及其特點 ? 半導體存儲芯片的外部特性及其與系統(tǒng)的連接 ? 存儲器接口設計（存儲器擴展技術） ? 高速緩存 3 167。 概 述 主要內容： ? 存儲器系統(tǒng)及其主要技術指標 ? 半導體存儲器的分類及特點 ? 兩類半導體存儲器的主要區(qū)別 4 一、存儲器系統(tǒng) 5 1. 存儲器系統(tǒng)的一般概念 ? 將兩個或兩個以上速度、容量和價格各不相同 的存儲器用硬件、軟件或軟硬件相結合的方法 連接起來 ? 系統(tǒng)的存儲速度接近最快的存儲器，容量接近 最大的存儲器。 構成存儲系統(tǒng)。 6 2. 兩種存儲系統(tǒng) ? 在一般計算機中主要有兩種存儲系統(tǒng)： Cache存儲系統(tǒng) 主存儲器 高速緩沖存儲器 虛擬存儲系統(tǒng) 主存儲器 磁盤存儲器 7 Cache存儲系統(tǒng) ? 對程序員是透明的 ? 目標： ? 提高存儲速度 Cache 主存儲器 8 虛擬存儲系統(tǒng) ? 對應用程序員是透明的。 ? 目標： ? 擴大存儲容量 主存儲器 磁盤存儲器 9 3. 主要性能指標 ? 存儲容量 （ S） （字節(jié)、千字節(jié)、兆字節(jié)等） ? 存取時間 （ T） （與系統(tǒng)命中率有關） ? 命中率（ H） ? T=H*T1+（ 1H） *T2 ? 單位容量價格（ C） ? 訪問效率（ e） 10 4. 微機中的存儲器 通用寄存器組及 指令、數(shù)據(jù)緩沖棧 高速緩存 主存儲器 聯(lián)機外存儲器 脫機外存儲器 片內存儲部件 內存儲部件 外存儲部件 11 二、半導體存儲器 12 1. 半導體存儲器 ? 半導體存儲器由能夠表示二進制數(shù)“ 0”和“ 1”的、具有記憶功能的半導體器件組成。 ? 能存放一位二進制數(shù)的半導體器件稱為一個存 儲元。 ? 若干存儲元構成一個存儲單元。 13 2. 半導體存儲器的分類 ? 內存儲器 隨機存取存儲器（ RAM） 只讀存儲器（ ROM） 14 隨機存取存儲器 （ RAM） ? RAM 靜態(tài)存儲器（ SRAM） 動態(tài)存儲器（ DRAM） 15 只讀存儲器 （ ROM） ? 只讀存儲器 掩模 ROM 一次性可寫 ROM EPROM EEPROM 16 3. 主要技術指標 ? 存儲容量 ? 存儲單元個數(shù) 每單元的二進制數(shù)位數(shù) ? 存取時間 ? 實現(xiàn)一次讀 /寫所需要的時間 ? 存取周期 ? 連續(xù)啟動兩次獨立的存儲器操作所需間隔的最小時間 ? 可靠性 ? 功耗 17 167。 隨機存取存儲器 掌握： ? SRAM與 DRAM的主要特點 ? 幾種常用存儲器芯片及其與系統(tǒng)的連接 ? 存儲器擴展技術 18 一、靜態(tài)存儲器 SRAM 19 1. SRAM的特點 ? 存儲元由雙穩(wěn)電路構成，存儲信息穩(wěn)定。 p196 20 2. 典型 SRAM芯片 掌握： ? 主要引腳功能 ? 工作時序 ? 與系統(tǒng)的連接使用 21 典型 SRAM芯片 SRAM6264： ? 容量： 8K X 8b ? 外部引線圖 22 6264芯片的主要引線 ? 地址線： A0A12； ? 數(shù)據(jù)線： D0D7； ? 輸出允許信號： OE； ? 寫允許信號： WE； ? 選片信號： CS1， CS2。 23 6264的工作過程 ? 讀操作 ? 寫操作 工作時序 24 3. 8088總線信號 8088 總 線 A19A0 A15A0 MEMR、 MEMW IOR、 IOW 存儲器 輸入 /輸出 RD、 WR 25 4.
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