mos集成電路的基本制造工藝(已修改)
2025-05-08 12:59 本頁面
【正文】 半導體 集成電路 2. 雙極集成電路中元件結構 2022/5/24 p n+ nepi n+ PSi n+BL C B E S P+ P+ 雙極集成電路的基本工藝 2022/5/24 PSi Tepi C B E p n+ nepi n+ PSi P+ P+ S n+BL Tepi A A’ TBLup tepiox xmc xjc 四層三結結構的雙極晶體管 雙極集成電路中元件結構 2022/5/24 E C B 相關知識點 隱埋層的作用、電隔離的概念、寄生晶體管 MOS集成電路的工藝 P阱 CMOS工藝 BiCMOS集成電路的工藝 N阱 CMOS工藝 雙阱 CMOS工藝 2022/5/24 MOS晶體管的動作 MOS晶體管實質上是一種使 電流時而流過，時而切斷的 開關 n+ n+ P型硅基板 柵極（金屬） 絕緣層（ SiO2） 半 導 體 基 板 漏極 源極 N溝 MOS晶體管的基本結構 源極 (S) 漏極 (D) 柵極 (G) 2022/5/24 silicon substrate source drain gate oxide oxide top nitride metal connection to source metal connection to gate metal connection to drain polysilicon gate doped silicon field oxide gate oxide MOS晶體管的立體結構 2022/5/24 在硅 襯 底上制作 MOS晶體管 silicon substrate 2022/5/24 silicon substrate oxide field oxide 2022/5/24 silicon substrate oxide photoresist 2022/5/24 Shadow on photoresist photoresist Exposed area of photoresist Chrome plated glass mask Ultraviolet Light silicon substrate oxide 2022/5/24 非感光區(qū)域 silicon substrate 感光區(qū)域 oxide photoresist 2022/5/24 Shadow on photoresist silicon substrate oxide photoresist photoresist 顯影 2022/5/24 silicon substrate o
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鄂ICP備17016276號-1