【正文】 模 擬 電 子 技 術(shù) 復 習 題 一、判斷題（在正確的論斷前的括號內(nèi)填入“√”，否則填入“”。） 第二章 （ ） 1. 運算電路中一般引入正反饋。 （ √ ） 2. 凡是運算電路都可利用“虛短”和“虛斷”的概念求解運算關(guān)系。 第三章 （ ） 1. 因為 N 型半導體的多子是自由電子，所以它帶負電。 （ ） 2. 因為 P 型半導體的多子是 空穴 ，所以它帶 正 電。 （ ） 3. 穩(wěn)壓二極管在穩(wěn)壓工作時，只要反向擊穿，不需要限流。 （ √ ） 4. N 型半導體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為 P 型半導 體。 （ ） 5. 二極管的正向偏置電壓升高時，其正向電阻增大。 （ √ ） 6. PN 結(jié)中的空間電荷區(qū)是由帶電的正負離子形成的，因而它的電阻率很高。 （ ） 7. 未加外部電壓時， PN 結(jié)中電流從 P 區(qū)流向 N 區(qū) 。 第四章 （ √ ） 1. 放大電路必須加上合適的直流電源才能正常工作。 （ √ ） 2. 直接耦合多級放大電路各級的 Q 點相互影響。 （ ） 3. 晶體管的參數(shù)不隨溫度變化。 （ √ ） 4. 放大電路沒有直流偏置不能正常工作。 （ ） 5. 多級放大電路總的電壓放大倍數(shù)，等于各級空載電壓放大 倍數(shù)的乘積。 （ √ ） 6. 放大電路的直流分析，要依據(jù)直流通路圖；放大電路的交流小信號分析計算，要依據(jù)交流通路圖。 （ ） 7. 只有電路既放大電流又放大電壓，才稱其有放大作用。 （ ） 8. 放大電路在低頻信號作用時，放大倍數(shù)下降的原因是半導體管的非線性特性。 （ ） 9. 射極跟隨器的放大倍數(shù)為 1， 因此在電路不起任何作用。 （ ） 10. 只要將晶體管的靜態(tài)工作點設(shè)置在 BJT特性曲線的放大區(qū)，則不論輸入什么信號都不會產(chǎn)生非線性失真。 （ ） ，其放大倍數(shù)越大，且 其通頻帶越寬。 （ √ ） 12. 射 極輸出器的輸入電流是 Bi ，輸出電流是 Ei ，因此具有較高的電流放大倍數(shù) 。 第五章 （ ） 1. 場效應管都可分為增強型和耗盡型兩種。 （ √ ） 2. MOSFET 的輸入電阻比 BJT 高 。 第六章 （ √ ） 1. 運放的共模抑制比CVDVCMR AAK ? 。 （ ） 2. 通用型集成運放的輸入級采用差分放大電路，這是因為它的電壓放大倍數(shù)大。 （ ） 3. 某差動放大電路的差模電壓放大倍數(shù) Avd=1000，共模電壓放大倍數(shù) Avc=10，則其共模抑制比 KCMR=100dB。 （ √ ） 4. 在集成電路中各級電路間采用直接耦合方式。 （ √ ） 5. 產(chǎn)生零點漂移的原因主要是晶體管參數(shù)受溫度的影響。 第七章 （ √ ） 1. 負反饋放大電路可能產(chǎn)生自激振蕩。 （ ） ，那么必然穩(wěn)定輸出電壓。 （ ） 3. 若放大電路的放大倍數(shù)為負，則引入的反饋一定是負反饋。 （ ） 4. 某一放大電路中引入了直流負反饋和交流電壓串聯(lián)負反 饋，這些反饋能夠穩(wěn)定輸出電 流 。 （ ） 5. 要穩(wěn)定放大電路靜態(tài)工作點，可以引入交流負反饋。 第八章 （ √ ） 1. 功率放大電路的轉(zhuǎn)換效率VOPP?? 。 （ ） 2. 在功率放大電路中，輸出功率越大，功放管的管耗功率就越大。 （ √ ） 3. 通常采用圖解法分析功率放大電路 。 （ √ ） 4. 功率放大電路工作在大信號狀態(tài)，要求輸出功率大，且轉(zhuǎn)換效率高。 第九章 （ √ ） 1. 負反饋放大電路在一定條件下可能轉(zhuǎn)化為正反饋 。 （ √ ） 2. 欲使振蕩電路能自行建立振蕩 ，起振時應滿足 1AF? 的條件 。 （ √ ） 3. RC 正弦波振蕩電路產(chǎn)生的信號頻率可通過改變 RC 串并聯(lián)網(wǎng)絡中電阻 R和電容 C的值來調(diào)節(jié) 。 （ ） 4. 正弦波振蕩電路中只能引入正反饋，不允許出現(xiàn)負反饋。 （ √ ） 5. 在采用正反饋方框圖的條件下，如果正弦波振蕩電路反饋網(wǎng)絡的相移為 ?f， 放大電路的相移為 ?a，那么只有 φa+φf=2nπ，才滿足相位平衡條件。 （ √ ） 6. 從結(jié)構(gòu)上來看，正弦波振蕩電路是一個沒有輸入信號的帶選頻網(wǎng)絡的正反饋放大器。 第十章 （ √ ） 1. 整流電路可將正弦電壓變?yōu)?單方向的 脈動電壓。 （ √ ） 2. 直流電源是一種能量轉(zhuǎn)換電路，它將交流能量轉(zhuǎn)換為直流能量。 二、填空題 第二章 1. 為使運放電路穩(wěn)定地工作在線性區(qū)，應在電路中引入深度 負 反饋。 2. 工作在線性區(qū)的理想運放器，兩個輸入端的輸入電流均約等于零稱為虛 斷 。 第三章 1. 穩(wěn)壓管穩(wěn)壓時是讓其工作在 反向擊穿 狀態(tài)。 2. 某放大電路中，測得三極管的三個極靜態(tài)電位分別為 10V， 6V， ，則這只三極管是 PNP 型鍺管 。 （寫出三極管的類型 NPN 型還是 PNP 型 ，是硅管還是鍺管。 ） 3. 齊納二極管是一種特殊二極管，常利用它在 反向擊穿 狀態(tài)下的恒壓特性來構(gòu)成簡單的穩(wěn)壓電路。 第四章 4. 晶體管是溫度的敏感元件，當溫度升高時其參數(shù) ICBO將變 大 （大；?。?。 ，要依據(jù) 直流 通路圖；放大電路的動態(tài)分析，要在 交流 通路圖的基礎(chǔ)上畫出 小信號等效電路 圖。 6. 多級放大電路總的電壓放大倍數(shù)，等于各級有載電壓放大倍數(shù)的 積 ，總的輸入電阻等于 第一級放大電路的輸 入電阻 。 7. 單管共集電極放大電路如下 圖所示，當 Rb太小 時，將產(chǎn)生 飽和 失真，其輸出電壓的 ___頂部 ___波形會被削掉。 8. 單管共射放大電路中，若輸入電壓為正弦波， 在中頻通帶內(nèi) ou 和 iu 的相位 相 反 （ 同；反 ） 。 9. 放大電路靜態(tài)工作點不穩(wěn)定的原因主要是由于受 溫度 的影響。 10. 晶體管是溫度的敏感元件，當溫度升高時其參數(shù) β 將變 大 （大；小）。 11. 放大電 路靜態(tài)工作點設(shè)置過高輸出波形易產(chǎn)生 飽和 失真。 12. 晶體管是溫度的敏感元件， 如果溫度升高三極管的輸出特性曲線將向 __上 __（上；下） 移動 。 13. 放大電路靜態(tài)工作點設(shè)置過低輸出波形易產(chǎn)生 截止 失真。 14. 下 圖為某放大電路 vA? 的對數(shù)幅頻特性圖，則該電路的上限截止頻率為 810HZ ，下限截止頻率為 210HZ 。 dB20 l g /vA ? / H Zf2 04 06 01210 410610 8101010+ 2 0 d B / 十 倍 頻 程 2 0 d B / 十 倍 頻 程 15. 用示波器觀察 NPN 管共射單管放大器的輸出電壓波形如下圖所示，判斷該波形屬于 截止 失真。 16. 下圖是放大管的不完整的符號，根據(jù)圖中所給數(shù)據(jù)和電流方向，判斷它的類型為 NPN 型。 題 15圖 題 16 圖 第五章 1. 下 圖 所 示的是某管子的轉(zhuǎn)移特性曲線，則它是 N 溝道耗盡型 MOSFET 管。 2． NMOS 增強型場效應管 在 放大區(qū) 的電流控制關(guān)系是 2D n GS T()i K v V??。 第六章 電流源電路的特點是直流電阻小，動態(tài)輸出電阻 大 。 第七章 1. 為減小放大電路的輸出電阻，應引入 并聯(lián) 負反饋。 2. 為了穩(wěn)定靜態(tài)工作點，應引入 直流 負反饋。 3. 在反饋電路中，若∣ 1+AF∣ 1，則為 ___負 ___反饋；若∣ 1+AF∣ 1 時 ,則為 __正 ____反饋。 4. 下 圖 所 示電路的反饋極性是 正反饋 。 5. 為了穩(wěn)定放大電路的輸出電壓，應引入 電壓 負反饋；為了增大放大電路的輸入電阻，應引入 串聯(lián) 負反饋。 第八章 1. 雙電源互補對稱電路工作在乙 類時，每只 BJT 的最大允許管耗 CMP 必須大于 omP 。 2. 下 圖功放電路中 VCC＝ 12V， RL=6Ω，則最大輸出功率 POM＝ 12 W ，最高轉(zhuǎn)換效率為 % 。 第九章 1. 希望獲取頻率為 100HZ— 500HZ 的 有用信號 ，應選用 帶通 濾波電路。 2. 正弦波振蕩電路主要有 RC 和 LC 型振蕩電路兩大類 , RC 型振蕩電路一般用來產(chǎn)生 低 頻信號， LC 型振蕩電路一般用來產(chǎn)生 高 頻信號。 3. 在 RC 橋式正弦波振蕩電路中，若 RC 串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡中的電阻均為 R ，電容均為 C ，則其振蕩頻率 of? 12 RC? 。 4. 正弦波振蕩器主要由放大電路、反饋網(wǎng)絡 、 選頻 網(wǎng)絡 和穩(wěn)壓電路四 部分組成。 第十章 在電子系統(tǒng)中，經(jīng)常需要將交流電網(wǎng)電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定 的直流電壓，為此要用整流、 濾波 和穩(wěn)壓等環(huán)節(jié)來實現(xiàn)。 三、 單項選擇題（每題 2 分 ,共 20 分） 第一章 1. 要使 電壓 放大器具有較強的帶負載能力，應減小放大器的哪個參數(shù)（ C ）。 A. VA B. iR C. oR D. LR 第三章 1． N型半導體是在本征半導體中加入以下物質(zhì)后形成的（ D ）。 A. 電子 B. 空穴 C. 三價元素 D. 五價元素 2. 當溫度升高時，二極管的反向飽和電流將（ A ）。 A. 增大 B. 不變 C. 減小 D. 不能確定 3. 晶體二極管具有 （ A ） 特性。 A. 單向?qū)щ? B. 集電極電壓飽和 C. 雙向?qū)щ? D. 集電極電流截止 4． PN 結(jié)加正向電壓時，空間電荷區(qū)將（ A ）。 A. 變窄 B. 基本不變 C. 變寬 D. 無法確定 5． 二極管的端電壓為 U，則二極管的電流方程是（ C ）。 A. ISeU B. Se TUnUI C. S(e 1)TU nUI － D. S(e 1)TU nUI ? 6. 二極管兩端加上正向電壓后有一段 死區(qū)電壓 。鍺管為 （ A ） V 伏 。 A. 7. 穩(wěn)壓管穩(wěn)壓是利用它的 特性，所以必須給穩(wěn)壓管外加 電壓。（ C ） ，反向 ，正向 ，反向 ，正向 8. 硅二極管的正向?qū)▔航当孺N二極管的 （ A ） 。 第四章 1. 在單級共射放大電路中，若輸入電壓為正弦波形， 在中頻通帶范圍內(nèi) oV 和 iV 的相位 （ B ）。 90 度 2. 晶體管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應為（ B ）。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏 3. 一個三極管放大電路， Bi =60μA ， Ci = 2mA,β 值 為 50，這個三極管工作在（ D ）狀態(tài)。 B. 擊穿 D. 飽和 4. 電路如圖 1 所示，二極管為理想二極管，對二極管工作狀態(tài)的判斷及輸出電壓大小的確定均正確的是（ B ）。 A. 二極管 D 截止 V0o1?U B. 二極管 D導通 V2o1?U C. 二極管 D 導通 V0o1?U D. 二極管 D截止 V2o1?U 圖 1