模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第四版)期末復(fù)習(xí)資料(已修改)
2024-11-10 11:37 本頁面
【正文】 第一章 半導(dǎo)體二極管 一 .半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì) (如硅 Si、鍺 Ge)。 光敏、熱敏和摻雜特性。 純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。 帶有正、負電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。 在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。 *P型半導(dǎo)體 : 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價元素（多子是空穴，少子是電子）。 *N型半導(dǎo)體 : 在本征半導(dǎo)體中摻入 微量的五價元素（多子是電子，少子是空穴）。 6. 雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性 *載流子的濃度 多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。 *轉(zhuǎn)型 通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。 7. PN 結(jié) * PN 結(jié)的單向?qū)щ娦?正偏導(dǎo)通，反偏截止。 8. PN 結(jié)的伏安特性 二 . 半導(dǎo)體二極管 *單向?qū)щ娦?正向?qū)?，反向截止? *二極管伏安特性 同ＰＮ結(jié)。 *正向?qū)▔航?硅管 ，鍺管 。 *開啟 電壓 硅管 ，鍺管 。 分析方法 將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低 : 若 V 陽 V陰 ( 正偏 )，二極管導(dǎo)通 (短路 或壓降 )。 若 V 陽 V陰 ( 反偏 )，二極管截止 (開路 )。 三、 穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路 *穩(wěn)壓二極管的特性 正常工作時處在 PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。 第二章 三極管及其基本放大電路 一 . 三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點 分為 NPN和 PNP 兩種。 基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸 面積較??；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。 二 . 三極管的工作原理 1. 三極管的三種基本組態(tài) 2. 三極管內(nèi)各極電流的分配 * 共發(fā)射極電流放大系數(shù) (表明三極管是 電流控制器件 ) 其中 ICEO是穿透電流（越小越好）， ICBO是集電極反向電流。 3. 共射電路的特性曲線 *輸入特性曲線 同二極管。 * 輸出特性曲線 (飽和管壓降，用 UCES表示 ) 放大區(qū) 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 飽和區(qū) 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏 截止區(qū) 發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。 根據(jù)電位如何判斷管子是否處于放大狀態(tài)： 對 NPN管而言，放大時 VC ＞ VB ＞ VE 對 PNP管而言，放大時 VC ＜ VB ＜ VE 4. 溫度影響 溫度升高，輸入特性曲線向左移動。 C B OC E OBCBC)(1 IIiiII????????? 溫度升高 ICBO、 ICEO 、 IC以及 β 均增加。 ICM 最大集電極電流 PCM 最大的集電極耗散功率 U（ BR） CEO CE 間的擊穿電壓 三 . 低頻小信號等效模型 hie輸出端交流短路時的輸入電阻， 常用 rbe表示； hfe輸出端交流短路時的正向電流傳輸比， 常用 β 表示； 微變等效模型用于分析晶體管在小信號輸入時的 動態(tài)情況，不能用于靜態(tài)分析。 四 . 基本放大電路組成及其原則 1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、 C C2的作用。 能放大、不失真、能傳輸。 五 . 放大電路的圖解分析法 1. 直流通路與靜態(tài)分析 *概念 直流電流通的回路。 *畫法 電容視為開 路。 *作用 確定靜態(tài)工作點 *直流負載線 由 確定的直線。 *電路參數(shù)對靜態(tài)工作點的影響
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