電力電子技術(shù)(第二版)課后習(xí)題及解答(已修改)
2025-04-06 06:06 本頁(yè)面
【正文】 《電力電子技術(shù)》習(xí)題及解答第1章 思考題與習(xí)題? 導(dǎo)通后流過(guò)晶閘管的電流和負(fù)載上的電壓由什么決定?答：晶閘管的導(dǎo)通條件是：晶閘管陽(yáng)極和陽(yáng)極間施加正向電壓，并在門(mén)極和陽(yáng)極間施加正向觸發(fā)電壓和電流（或脈沖）。導(dǎo)通后流過(guò)晶閘管的電流由負(fù)載阻抗決定，負(fù)載上電壓由輸入陽(yáng)極電壓UA決定。? 如何實(shí)現(xiàn)? 晶閘管處于阻斷狀態(tài)時(shí)其兩端的電壓大小由什么決定?答：晶閘管的關(guān)斷條件是：要使晶閘管由正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)樽钄酄顟B(tài)，可采用陽(yáng)極電壓反向使陽(yáng)極電流IA減小，IA下降到維持電流IH以下時(shí)，晶閘管內(nèi)部建立的正反饋無(wú)法進(jìn)行。進(jìn)而實(shí)現(xiàn)晶閘管的關(guān)斷，其兩端電壓大小由電源電壓UA決定。，晶閘管的觸發(fā)電流、正反向漏電流、維持電流以及正向轉(zhuǎn)折電壓和反向擊穿電壓如何變化？答：溫度升高時(shí)，晶閘管的觸發(fā)電流隨溫度升高而減小，正反向漏電流隨溫度升高而增大，維持電流IH會(huì)減小，正向轉(zhuǎn)折電壓和反向擊穿電壓隨溫度升高而減小。？答：非正常導(dǎo)通方式有：(1) Ig=0，陽(yáng)極電壓升高至相當(dāng)高的數(shù)值；(1) 陽(yáng)極電壓上升率du/dt過(guò)高；(3) 結(jié)溫過(guò)高。答：晶閘管從正向陽(yáng)極電流下降為零到它恢復(fù)正向阻斷能力所需的這段時(shí)間稱(chēng)為關(guān)斷時(shí)間。即。？答：快速晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、光控晶閘管等。答：光控晶閘管是在普通晶閘管的門(mén)極區(qū)集成了一個(gè)光電二極管，在光的照射下，光電二極管電流增加，此電流便可作為門(mén)極電觸發(fā)電流使晶閘管開(kāi)通。主要用于高壓大功率場(chǎng)合。，維持電流IH=4mA的晶閘管，為什么?(暫不考慮電壓電流裕量) 答：（a）因?yàn)?，所以不合理?b) 因?yàn)? KP100的電流額定值為100Ａ，裕量達(dá)５倍，太大了。（c）因?yàn)椋笥陬~定值，所以不合理。 ，其最大值均為Im，試計(jì)算各圖的電流平均值．電流有效值和波形系數(shù)。解：圖(a)： IT(AV)==IT== Kf== 圖題1．9圖(b)： IT(AV)== ImIT==Kf==圖(c)： IT(AV)== ImIT== ImKf==圖(d)： IT(AV)==ImIT== ImKf==圖(e)： IT(AV)==IT==Kf==圖(f)： IT(AV)==IT==Kf==2，如不考慮安全裕量，問(wèn)額定電流100A的晶閘管允許流過(guò)的平均電流分別是多少?解：(a)，則有： = , IT(AV) = 100 A(b)，則有： = , IT(AV)=(c)，則有： = , IT(AV)=(d)，則有： = , IT(AV)=(e)，則有： =, IT(AV)=(f)圖波形系數(shù)為2，則有： 2= , IT(AV)=，試問(wèn)型號(hào)規(guī)格代表什么意義?解：KP代表普通型晶閘管，200代表其晶閘管的額定電流為200A，8代表晶閘管的正反向峰值電壓為800V，D代表通態(tài)平均壓降為。，試畫(huà)出負(fù)載Rd上的電壓波形(不考慮管子的導(dǎo)通壓降)。 解：其波形如下圖所示：，若要使用單次脈沖觸發(fā)晶閘管T導(dǎo)通，門(mén)極觸發(fā)信號(hào)（觸發(fā)電壓為脈沖）的寬度最小應(yīng)為多少微秒（設(shè)晶閘管的擎住電流IL=15mA）？ 解：由題意可得晶閘管導(dǎo)通時(shí)的回路方程：可解得 ， ==1要維維持持晶閘管導(dǎo)通，必須在擎住電流IL以上，即 ， 所以脈沖寬度必須大于150181。s。，交流電源電壓有效值為220V。 (1)考慮安全余量，應(yīng)如何選取晶閘管的額定電壓？ (2)若當(dāng)電流的波形系數(shù)為Kf=，通過(guò)晶閘管的有效電流為100A，考慮晶閘管的安全余量，應(yīng)如何選擇晶閘管的額定電流？解：（1）考慮安全余量, 取實(shí)際工作電壓的2倍 UT=2202622V, 取600V（2）因?yàn)镵f=, 取兩倍的裕量，則：2IT(AV) 得： IT(AV)=111(A) 取100A。 什么叫GTR的一次擊穿?什么叫GTR的二次擊穿?答：處于工作狀態(tài)的GTR，當(dāng)其集電極反偏電壓UCE漸增大電壓定額BUCEO時(shí)，集電極電流IC急劇增大（雪崩擊穿），但此時(shí)集電極的電壓基本保持不變，這叫一次擊穿。發(fā)生一次擊穿時(shí)，如果繼續(xù)增大UCE，又不限制IC，IC上升到臨界值時(shí)，UCE突然下降，而IC繼續(xù)增大（負(fù)載效應(yīng)），這個(gè)現(xiàn)象稱(chēng)為二次擊穿。?答：安全工作區(qū)是指在輸出特性曲線(xiàn)圖上GTR能夠安全運(yùn)行的電流、電壓的極限范圍。按基極偏量分類(lèi)可分為
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