電力電子技術(第二版)課后習題及解答-文庫吧在線文庫
【正文】 相比，IGBT管有何特點?答：IGBT的開關速度快，其開關時間是同容量GTR的1/10，IGBT電流容量大，是同容量MOS的10倍；與VDMOS、GTR相比，IGBT的耐壓可以做得很高，最大允許電壓UCEM可達4500V，IGBT的最高允許結(jié)溫TJM為150℃，而且IGBT的通態(tài)壓降在室溫和最高結(jié)溫之間變化很小，具有良好的溫度特性；通態(tài)壓降是同一耐壓規(guī)格VDMOS的1/10，輸入阻抗與MOS同。答：功率MOSFET驅(qū)動電路的特點是：輸入阻抗高，所需驅(qū)動功率小，驅(qū)動電路簡單，工作頻率高。使得其保護電路簡化，ＭＣＴ的開關速度超過ＧＴＲ，且開關損耗也小。，在流過負載電流平均值相同的情況下，哪一種負載的晶閘管額定電流應選擇大一些?答：帶大電感負載的晶閘管額定電流應選擇小一些。解：采用由220V交流直接供電當時： Udo== =99V 由變壓器降壓到60V供電當時：Ud== =27V因此，只要調(diào)節(jié) 都可以滿足輸出0~24V直流電壓要求。時的輸出電壓Ud、電流id的波形，比較與單相全控橋式整流電路是否相同。和20176。 三相半波相控整流電路帶大電感負載，Rd=10Ω，相電壓有效值U2=220V。解：這三種情況下的波形圖如下所示： (a) (b) (c)、單相橋式、三相半波三種整流電路帶電阻性負載，負載電流Id都是40A，問流過與晶閘管串聯(lián)的熔斷器的平均電流、有效電流各為多大?解：設單相半波：IdT=Id=40A (Kf=)單相橋式：IdT=Id=20A三相半波：IdT=Id=當時 Ud= U=Ud/時 ，負載電阻Rd=4Ω，要求Ud從0~220V之間變化。解：電流平均值為：IdT=Id=40/3= 電流有效值為：設電動機的反電勢為ED，則回路方程為：而 所以 ，已知變壓器二次電壓為100V，變壓器每相繞組折合到二次側(cè)的漏感L1為100μH，負載電流為150A，求： (1)由于漏抗引起的換相壓降； (2)該壓降所對應整流裝置的等效內(nèi)阻及α=0176。無源逆變電路的交流側(cè)直接接到負載，將直流電逆變成某一頻率或可變頻率的交流供給負載。 試簡述BuckBoost電路同Cuk電路的異同。庫克電路也屬升降壓型直流變換電路，但輸入端電流紋波小，輸出直流電壓平穩(wěn)，降低了對濾波器的要求。輸出電壓為 試分析全橋式變換器的工作原理。解：＝由于Ｌ和Ｃ的值都比較大， 有一開關頻率為50kHz的庫克變換電路，假設輸出端電容足夠大，使輸出電壓保持恒定，并且元件的功率損耗可忽略，若輸入電壓Ud=10V，輸出電壓U0調(diào)節(jié)為5V不變。 有一開關頻率為50kHz的Buck變換電路工作在電感電流連續(xù)的情況下，L=，輸入電壓Ud=15V，輸出電壓U0=10V(1) 求占空比D的大小；(2) 求電感中電流的峰峰值ΔI；(3) 若允許輸出電壓的紋波ΔU0/U0=5%，求濾波電容C的最小值。根據(jù)變壓器對應端的極性，可得次級N2中的感應電動勢為下正上負，二極管D截止，次級N2中沒有電流流過。它主要用于直流穩(wěn)壓電源和直流直流電機的調(diào)速。 試比較Buck電路和Boost電路的異同。 什么是有源逆變？有源逆變的條件是什么？有源逆變有何作用？答：如果將逆變電路交流側(cè)接到交流電網(wǎng)上，把直流電逆變成同頻率的交流電，反送到電網(wǎng)上去稱為有源逆變。，作為Ubb的削波穩(wěn)壓管兩端如并接濾波電容，電路能否正常工作?如穩(wěn)壓管損壞斷開，電路又會出現(xiàn)什么情況? 答：在穩(wěn)壓管兩端如并接濾波電容后，電路能否正常工作。時，畫出下列故障情況下的ud波形。時，不能觸發(fā)晶閘管， ud=0。（2）其波形如下圖所示，與單相全控橋式整流電路相同。解：（1）單相半波時,晶閘管的最大電流有效值 晶閘管額定電流為 IT(AV)12(A) 晶閘管承受最大電壓為 =1885V 取2倍安全裕量，晶閘管的額定電壓、額定電流分別為4000V和30A。解：設α=0，T2被燒壞，如下圖： ，負載電阻上的Ud與Id的乘積是否等于負載有功功率，為什么?帶大電感負載時，負載電阻Rd上的Ud與Id的乘積是否等于負載有功功率，為什么?答：相控整流電路帶電阻性負載時，負載電阻上的平均功率不等于負載有功功率。開通緩沖電路是對di/dt抑制的電路，用于抑制器件開通時的電流過沖和di/dt，減小器件的開通損耗。答：其結(jié)構在SIT的結(jié)構上再增加一個P+層形成了
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