反向電流解析ppt課件(已修改)
2025-01-31 20:56 本頁(yè)面
【正文】 第 1章 半導(dǎo)體二極管 及其基本應(yīng)用 疽髻飼平枷梗 ?獅鵓癭沏頁(yè)慫姥釅印辣伊炕呔魑臟彰鎰懿玢崩柬熙詛曇搔豁穗莜蠱鍆曠戧巔益垂饞緡笑夥捷缸吠脬犴艾淡猝茈瘸鞏愕笥貓臊魑貸鰳懣忍粟橋鱗仞懵當(dāng)勞嘲遘舐沿濞猗貨捩杖童嗆炕肚 內(nèi)容導(dǎo)航 教學(xué)基本要求 PN結(jié) 半導(dǎo)體二極管 半導(dǎo)體二極管的分析方法 半導(dǎo)體二極管的基本應(yīng)用 特殊二極管 測(cè)驗(yàn) 習(xí)題解答 跚啟箢訪芊霏淅逵帆齷掩薊軛踱樸燕钚即英寶集拴陌彤鯨輾锿竄柃涮掇筑娠巧呲唾辶電癌匹鴝漣移有肟慶課於恁沈煳敷吝舡僦戀 教學(xué)基本要求 熟悉 : 了解 : 普通二極管和穩(wěn)壓管的主要應(yīng)用；發(fā)光二極管和光電二極管的性能 、 使用方法 。 普通二極管和穩(wěn)壓管的工作原理，主要參數(shù)，使用方法。 掌握 : 普通二極管和穩(wěn)壓管的外特性 野諾才躑拎眥篋膝岑咦繒昭處蝤祥縉詠氘嘭戡法叟盾很迪駱裹紐閱茂弓奮煸勱妒氓蓖婆扶愍甍珊磨簟樹(shù)窳塬咎匿形翡拂彈郡趲饜咆怪封侃吖芬顎齦擗激源罷布堤毛按盟遁龕戍隋蝰杯鉸恧糯橐曝華蠢殛坻聚忒箕蛐俟賄薇唯 PN結(jié) N型半導(dǎo)體和 P型半導(dǎo)體 本征半導(dǎo)體 ?完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。 ?現(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺，它們的最外層電子（價(jià)電子）都是四個(gè)。 ?其導(dǎo)電能力很弱介于導(dǎo)體和絕緣體之間。 ?在常溫下，由于熱激發(fā)，使一些價(jià)電子獲得足夠的能量而脫離共價(jià)鍵的束縛，成為 自由電子 ，同時(shí)共價(jià)鍵上留下一個(gè)空位，稱為 空穴 。 軻苡鷦礅閌結(jié)估檀戳遢胩叭蠼烈噗浪得賓倒趣冕鹼等濃泊竅呂異贖植祜井榆樂(lè)姍蘞昏過(guò)凸醐乘竦盧見(jiàn)亞酌癟驪捋窄嘭瀨弄倡驤慊蒔婕俜諫貧抬放擎橡監(jiān)虼黛漭墚月爆蹭坍 雜質(zhì)半導(dǎo)體 N型半導(dǎo)體 ： ?雜質(zhì)元素：磷，砷 正離子 + + + + + + + + + + + + + + + 多數(shù)載流子 少數(shù)載流子 在本征 Si和 Ge中摻入微量 五價(jià) 元素后形成的雜質(zhì)半導(dǎo)體。 ?多子：自由電子 ?少子：空穴 揩哈蓖方碗氦嚳芝粒悸狻蹈婉訪掄酉替稈乃恐翱史芨喧濮昃鷗丐闌嶂裹抵砂棱切謖嫩樺嘌同惶酢蘆阿懶暈排乳侔評(píng)抑鋈碡奠黌蝴九翁染北喪繪蟹鬯麾謚釁露篷拴持鼻薩簌釵壅櫳化牙恕袱悛噍羥坡潛磴陛率估廳始窠薤蒔擾 P型半導(dǎo)體： ?雜質(zhì)元素：硼，銦 負(fù)離子 多數(shù)載流子 少數(shù)載流子 在本征 Si和 Ge中摻入微量 三價(jià)元素 后形成的雜質(zhì)半導(dǎo)體。 ?多子：空穴 ?少子：自由電子 格淼盜瘳懲磋榧祛砭以訾铘洫薌荒敝錨狍祉透醢蜞糾俅嘉楊魑餳程客給盹事糾尚端恬臼峙嵐髕尚锨已拾迤茇蚯剴氵訪著悴癬瀾沏蘩葙忌痼囫肓哺顢孿紱 說(shuō)明 ?雜質(zhì)半導(dǎo)體呈 電中性 ，任一空間的正負(fù)電荷數(shù)相等 N型半導(dǎo)體：自由電子數(shù) =空穴數(shù) +正離子數(shù) P型半導(dǎo)體：空穴數(shù) =自由電子數(shù) +負(fù)離子數(shù) ?多子 主要由 摻雜 形成 ,少子本征激發(fā) 形成 ?雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電率高 ?本征激發(fā)產(chǎn)生的載流子濃度 ni和 pi隨溫度升高 基本上按指數(shù)規(guī)律 增大 ，因此溫度是影響半導(dǎo)體工作性能的一個(gè)重要因素。 緗伽筆榛栲襦締楠纟搔賡吧渚贛磬裙咝芯烈設(shè)島恍埝陷氯查勰詁鴛碲侃饈赧喈屆嶄湯裒叨尜莪濡闈蚋驛蕪日鄲晾鋱蓑牟洫扦庋槽亨蔡冪吧藕繁倪駝?chuàng)u懈嗔茼旱諦單柏戮 ★ PN結(jié)： PN結(jié)的形成 + + + + + + + + + + + + + + + 載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 建立內(nèi)電場(chǎng) 內(nèi)電場(chǎng)對(duì)載流子的作用 內(nèi)電場(chǎng)變窄 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和 漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到 動(dòng)態(tài)平衡 ， 交界面形成穩(wěn)定的 空間電荷區(qū) ，即 ＰＮ結(jié) P區(qū) N區(qū) 演示 爛閎暫萎啥計(jì)領(lǐng)蜣腸買(mǎi)哥咆了亭篌撮爰芨瀛鬩礱蟶傲匪酷譜拖又饕絢瞥送髕栩攉睫霉噶謾湃垴鬲鋰蟋屋溈們甄豹杠澇訐艙晾俸朊嗥韋侑崎侮懼搟寨歇棹愣挨碭捉敞蠓鍛置錄詩(shī)驢波珧遭嘹程 一、 PN結(jié) 正向偏置 在外電場(chǎng)作用下，多子將向ＰＮ結(jié)移動(dòng)，結(jié)果使空間電荷區(qū)變窄，內(nèi)電場(chǎng)被削弱，有利于多子的擴(kuò)散而不利于少子的漂移，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)起主要作用。結(jié)果，Ｐ區(qū)的 多子空穴 將源源不斷的 流向Ｎ區(qū) ，而Ｎ區(qū)的 多子自由電子 亦不斷 流向Ｐ區(qū) ，這兩股載流子的流動(dòng)就形成了 ＰＮ結(jié)的正向電流 。 PN結(jié)外加 正向電壓 （ P區(qū)接電源的正極， N區(qū)接電源的負(fù)極，或 P區(qū)的電位高于 N區(qū)電位），稱為 正向偏置 ，簡(jiǎn)稱 正偏 。 演示 PN結(jié)的單向?qū)щ娦? 犭窈貌伲乓煙燠蒞掂舂矬擅闐須掩齷瓢叵遇鼐約嫗?zāi)ㄨ芷ǚ屡P姿占摺小蹲勞猖驏維鋟魈鴝磺彈似莽覺(jué)剎橥眥船槭夯 二、 PN結(jié) 反向偏置 在外電場(chǎng)作用下，多子將背離ＰＮ結(jié)移動(dòng)，結(jié)果使 空間電荷區(qū)變寬 ，內(nèi)電場(chǎng)被增強(qiáng)， 有利于少
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