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正文內(nèi)容

電力電子技術(shù)外文翻譯(已修改)

2025-01-18 17:19 本頁面
 

【正文】 畢業(yè)論文(設(shè)計) 外文翻譯 題 目 : 電力電子技術(shù)二 系部名稱: 專業(yè)班級: 學生姓名: 學 號: 指導教師: 教師職稱 : 20 年 3 月 15日 電力電子技術(shù)(二) A 部分 晶閘管 在晶閘管的工作狀態(tài),電流從陽極流向陰極。在其關(guān)閉狀態(tài),晶閘管可以阻止正向 導電,使其不能運行。 可觸發(fā) 晶閘管能使導通狀態(tài)的正向電流在短時間內(nèi)使設(shè)備處于阻斷狀態(tài)。 使正向電壓下降到只有導通狀態(tài)的幾伏(通常為 1 至 3 伏電壓依賴于阻斷電壓的速度)。 一旦設(shè)備開始進行,閘極電流將被隔離。晶閘管不可能被閘關(guān)閉,但是可以作為一個二極管。在電路的中,只有當電流處于消極狀態(tài),才能使晶閘管處于關(guān)閉狀態(tài),且電流降為零。在設(shè)備運行的時間內(nèi),允許閘在運行的控制狀態(tài)直到 器件 在 可控時間再次進入正向阻斷狀態(tài)。 在逆向偏置電壓低于反向擊穿電壓 時 ,晶閘管有微乎其微的漏電流。通常晶閘管的正向額定電壓和反向阻斷電壓是相同的。晶閘管額定電流是在最大 范圍指定 RMS 和它是有能力進行平均電流。同樣的對于二極管,晶閘管在分析變流器的結(jié)構(gòu)中可以作為理想的設(shè)備。 在一個阻性負載電路中的應(yīng)用中,可以控制運行中的電流瞬間傳至源電壓的正 半周期。當晶閘管嘗試逆轉(zhuǎn)源電壓變?yōu)樨撝禃r,其理想化二極管電流立刻變成零。 然而,按照數(shù)據(jù)表中指定的晶閘管,其反向電流為零。在設(shè)備不運行的時間中,電流為零, 重要的參數(shù)變 也 為零 ,這是 轉(zhuǎn)彎時間區(qū)間從零交叉電流電壓的參考。晶閘管必須保持在反向電壓 , 只有在這個時間 , 設(shè)備 才 有能力阻止它 不是處于 正向電壓導通狀態(tài)。 如果一個正向電壓 應(yīng)用于 晶閘管的這段時間 已過 , 設(shè)備可能 因為 過早地啟動并 有 可能導致設(shè)備和電路損害。數(shù)據(jù)表指定晶閘管通過的反向電壓在這段期間 和 超出這段時間外的 一個指定的 電壓上升率 。這段期間有時被稱為晶閘管 整流電路的 周期 。 根據(jù)使用要求 , 各種類型的晶閘管是可得到的 。 在除了電壓和電流的 額定 率 ,轉(zhuǎn)彎時間 , 和前方的電壓降 以及其他必須考慮的特性包括電流導通的上升率和在關(guān)閉狀態(tài)的下降率。 1。控制晶閘管 階段 。 有時 稱為晶閘管轉(zhuǎn)換器,這些都是用來要是整頓階段,如為直流和交流電機驅(qū)動器和高壓直流輸電線路應(yīng)用 的 電壓和電流 的驅(qū)動 。主要設(shè)備要求 是在 大電壓 、 電流 導通狀態(tài) 或 低通態(tài)壓降 中 。這類型的晶閘管的生產(chǎn)晶圓直徑到 10 厘米,其中平均 電流 目前大約是 4000A,阻斷電壓為 5 之 7KV。 2。逆變級的晶閘管。 這些 設(shè)計有小關(guān)斷時間 , 除了低導通狀態(tài)電壓, 雖然在設(shè)備導通狀態(tài)電壓值較 小, 可 設(shè)定為 2500V 和 1500A。 他們的關(guān)斷時間通常在幾微秒范圍 到 100μs 之間, 取決于其阻斷電壓 的速率 和通態(tài)壓降。 3。光 控 晶閘管 。這 些會 被一束 脈沖光纖觸發(fā) 使其 被引導到一個特殊的敏感的 晶閘管 地區(qū)。光化的晶閘管觸發(fā) ,是 使用在適當波長的光的對硅產(chǎn)生多余的電子空穴。這些晶閘管的主要用途是應(yīng)用 在 高 電 壓 , 如高壓直流系統(tǒng) , 有許多 晶閘管 被 應(yīng)用在 轉(zhuǎn)換器閥門 上 。 光控 晶閘管 已經(jīng)發(fā)現(xiàn)的等級 ,有 4kV 的 3kA, 導通狀態(tài)電壓 2V、 光觸發(fā) 5 毫瓦的功率要求。 還有其它一些晶閘管,如輔助型關(guān)斷晶閘管(關(guān)貿(mào)總協(xié)定),這些晶閘管其他變化,不對稱硅可控( ASCR)和反向進行,晶閘管( RCT)的。這些都是應(yīng)用。 B 部分 功率集成電路 功率集成電路的種類 現(xiàn)代半導體功率控制相當數(shù)量的電路驅(qū)動,除了電路功率器件本身。 這些控制電路通常由微處理器控制,其中包括邏輯電路。這種在同一芯片上包含或作為功率器件來控制和驅(qū)動電路 將大大簡化了整個電路的設(shè)計和擴大潛在的應(yīng)用范圍。這樣的整合將會產(chǎn)生一個更便宜和更可靠的電源控制系統(tǒng)??偟膩碚f,將減少復(fù)雜性(較少獨立電路和使用這類功率集成電路系統(tǒng)組件)。 這樣的整合已經(jīng)被證明有很多應(yīng)用。 這里有三個類功率積體電路包括所謂 的智能或智能開關(guān),高電壓集成電路( HVIC 能夠)和離散模塊。功率集成電路領(lǐng)域,特別是智能交換機和 HVIC,被認為是 500100 A 和目前的水平相差約 1000伏或更少。 離散模塊 涵蓋更廣泛的電壓電流范圍。 智能 開關(guān)垂直 電 力 及 其他組件的設(shè)備,而無需動力裝置的垂直 過程的順序是可行的。 如片上的過流和過溫傳感器,以及驅(qū)動部分 都是可用的 ,可以包含例子 。 PN 結(jié)形成的 N 漂移 地區(qū)和 P 區(qū)域始終是反向偏置,如果垂直功率 場效應(yīng)管 的漏極是相對于 電 源,從而積極 為 這個路口提供了電氣隔離 之間的橫向和縱向的 場效應(yīng)管 。 高電壓( HVIC)集成電路都采用傳統(tǒng)的邏輯設(shè)備制造過程,但一些修改,使橫向高電壓設(shè)備也可 兼容低電壓的設(shè)備。 兩個 簡單的例子,每個在其中的各種設(shè)備之間實現(xiàn)了電氣隔離的方式不相同 , HVIC 有 更多的復(fù)雜性。 離散模塊是由多個芯片安裝在一個共同的絕緣基板 , 密封成一個包 。他不包括 各種芯片垂直器件,驅(qū)動電路芯片和控制電路芯片(甚至一個 PWM 控制器),以及其他可能的功能。 盡管 這種方法并不是一個完全集成制造 方 法, 但是 我們有潛力,因為它目前廣泛應(yīng)用 在 智能開關(guān)或 HVIC。 石化商業(yè)化所面臨的挑戰(zhàn) 使用 整合的 電力電子電路面臨幾個經(jīng)濟和技術(shù)方面的挑戰(zhàn)。技術(shù)問題包括 : 1。電氣隔離從低電壓元件高壓元件。 2。熱管理功率器件,通常工作在更高的溫度下的成套設(shè)備。 3。高壓導線上的互連芯片運行在低電壓設(shè)備或低電壓地區(qū)。 4。制造過程中必須提供的設(shè)備和組件的完整范圍 除了晶體管二極管、電阻、電容此外,功 率集成電路使用面臨許多經(jīng)濟問題。 這些包括: 1。大量的前期開發(fā)成本之前,任何生產(chǎn)運行。 2。成本差異的三種類型。 3。需要大批量應(yīng)用到恢復(fù)大開發(fā)費用。 在解決挑戰(zhàn)的研究進展 低壓設(shè)備與來自 高壓 元素 , 也可以實現(xiàn)介電分離、 PN 結(jié)分離、或 自己分離 。介質(zhì)隔離能實現(xiàn)兩種方式。隔離主要由蝕刻切片或晶圓片 上面 生長著一層二氧化 矽。其次 , 把 矽沉積在 二氧化硅中 。沉積下來的硅退火后的 , 高溫 ,在 再結(jié)晶過程 中 , 可以用于制作低壓設(shè)備。介質(zhì)隔離是免費的寄生設(shè)備 , 如二極管 。 C 部分 硅控整流器( SCR) SCR 已成為大功率電器的重要組成 部分和信號調(diào)理控制 的一部分。 在某些方面 , 它是一個固態(tài)繼電器 的替換品 ,雖然 在某些方面還有一些差距 。 在理想中的標準二極管 ,是 一個 單向傳導電流的器件 。在理想的意義上可控硅 整流器 ,就像是一個二極管不會在任何一個方向進行,直到它被打開或 關(guān)閉 。注相似一個二極管 , 但添加了終端 , 叫做門。如果 SCR 是向前偏見 , 否則就無法行為?,F(xiàn)在,假設(shè)一個電壓,就放在陰極門。會有一些積極的電壓值 觸發(fā)電壓 其中可控硅將開始進行陽極陰極和行為像一個正常的 二極管。即使 門電壓拿走,它 也 會繼續(xù)進行這樣一個二極管,這是,一旦打開,將 為零 ,無論 門。只有這樣,才能把可控硅回 “ 關(guān) ” 是有正向偏壓條件下帶走。這意味著電壓必須跌破的可控硅的正向壓降,使低于最低值,電流下降稱為維持電流,或從陽極陰極必須實際極性相反。認為可控硅不能輕易被關(guān)閉的事實限制了它在直流應(yīng)用到那些下面的一些減少持有正向電流值的方法可以提供案件。在交流電路中,可控硅 整流器 自動打開時,在每半個周期的交流電壓施加到可控硅 的極性就會相反 。 可控硅的特點及規(guī)格如下。 1。最大正向電流。有一個最大電流可控硅可以放在正向電流中,不會損壞。此值各不相同,從幾百毫安還有千余毫安放大器,大型工業(yè)類型。 2。反向峰值電壓。一個二極管,有一個額外相反偏差電壓電壓那能適用于控硅整流器無損害。他們的值不同,幾個伏特到幾千伏特。 3。觸發(fā)電壓。最低柵極電壓來驅(qū)動不同的可控硅導通類型之間的大小,從幾伏到 40V。 4。觸發(fā)電流。有一個最低的觸發(fā)電流,在提供電壓源前必須 SCR 可以被關(guān)閉。幾個值有所不同,從幾毫安到
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