內(nèi)存組織、原理與接口(已修改)
2025-01-18 00:16 本頁面
【正文】 第七章 內(nèi)存組成、原理與接口 ? ? ? ? ? 微機(jī)存儲系統(tǒng)概述 ? 除采用磁、光原理的輔存外，其它存儲器主要都是采用半導(dǎo)體存儲器 ? 本章介紹采用半導(dǎo)體存儲器及其組成主存的方法 CPU CACHE 主存（內(nèi)存） 輔存（外存） 2 存儲器的分類 ? 按用途分類 – 內(nèi)部存儲器（內(nèi)存、主存） – 外部存儲器（外存、輔存） ? 按存儲介質(zhì)分類 – 半導(dǎo)體集成電路存儲器 – 磁存儲器 – 光存儲器 3 半導(dǎo)體存儲器的分類與特點(diǎn) ? 按制造工藝 – 雙極型： 速度快 、集成度低、功耗大 – MOS型：速度慢、集成度高、 功耗低 ? 按使用屬性 – 隨機(jī)存取存儲器 RAM： 可讀可寫 、斷電丟失 – 只讀存儲器 ROM：正常只讀、 斷電不丟失 4 半導(dǎo)體存儲器的分類與特點(diǎn) 半導(dǎo)體 存儲器 只讀存儲器 （ ROM） 隨機(jī)存取存儲器 （ RAM） 靜態(tài) RAM（ SRAM） 動態(tài) RAM（ DRAM） 非易失 RAM（ NVRAM） 掩膜式 ROM 一次性可編程 ROM（ PROM） 紫外線擦除可編程 ROM（ EPROM） 電擦除可編程 ROM（ EEPROM） 5 讀寫存儲器 RAM 組成單元 速度 集成度 應(yīng)用 SRAM 觸發(fā)器 快 低 小容量系統(tǒng) DRAM 極間電容 慢 高 大容量系統(tǒng) NVRAM 帶微型電池 慢 低 小容量非易失 6 只讀存儲器 ROM ? 掩膜 ROM： 信息制作在芯片中，不可更改 ? PROM： 允許一次編程，此后不可更改 ? EPROM： 用紫外光擦除，擦除后可編程；并允許用戶多次擦除和編程 ? EEPROM（ E2PROM）： 采用加電方法在線進(jìn)行擦除和編程，也可多次擦寫 ? Flash Memory（閃存）：能夠快速擦寫的EEPROM，但只能按塊（ Block）擦除 返回本章目錄 7 存儲器的主要性能參數(shù) ? 存儲容量 – 對于 M位地址總線、 N位數(shù)據(jù)總線的半導(dǎo)體存儲器芯片的存儲容量則為 2M N位 ? 存取速度 – 存取時間 (Access Time)TA：啟動一次存儲器操作，到完成該操作所經(jīng)歷的時間 – 存儲周期 (Memory Cycle)TMC：為連續(xù)進(jìn)行兩次獨(dú)立的存儲器操作之間所需的最小時間間隔 ? 可靠性 – MTBF(Mean Time Between Failures)，即平均故障間隔時間來衡量， MTBF越長，可靠性越高 ? 性能／價格比 返回本章目錄 8 ① 存儲體 – 存儲器芯片的主要部分，用來存儲信息 ② 地址譯碼電路 – 根據(jù)輸入的地址編碼來選中芯片內(nèi)某個特定的存儲單元 ③ 片選和讀寫控制邏輯 – 選中存儲芯片，控制讀寫操作 返回主目錄 9 半導(dǎo)體存儲器芯片的結(jié)構(gòu) 返回本章目錄 地 址 寄
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