內(nèi)存組織、原理與接口-預覽頁
【正文】 8086的高 8位數(shù)據(jù)總線 D15—D8 – 地址總線的 Al9—A1與兩個存儲體中的地址線 Al8—A0連接 – 最低位地址線 A0和 8086的“總線高允許” (BHE*)信號用來選擇存儲體 37 8086系統(tǒng)內(nèi)存的分體結(jié)構(gòu) 38 80386/486微機內(nèi)存分體 D23D16 D15D8 D7D0 譯碼器 2號體 0號體 D31D24 3 2 1 0 DB AB A1 A0 3號體 1號體 32位 CPU的內(nèi)存分體 39 內(nèi)存空間分配 ? 常規(guī)內(nèi)存 – 地址從 00000H—9FFFFH的 640KB的 RAM區(qū)，又稱為“ 基本內(nèi)存 ” 、傳統(tǒng)內(nèi)存 ” 、 “ 實存 ” 等 – 用來存放操作系統(tǒng)的核心程序、系統(tǒng)工作參數(shù)和一些應用程序，其最底端的 00000H—003FFH為中斷向量表 ? 保留內(nèi)存 – A0000H—BFFFFH為 128KB的視頻緩沖區(qū) – C0000H—DFFFFH為 128KB的 ROM擴充區(qū)，用于視頻圖像 ROM、擴充卡緩存和存放 EMS頁面幀等 – E0000H—EFFFFH為 64KB的保留區(qū) – F0000H—FFFFFH為 64KB的系統(tǒng) ROM區(qū)，存放開機引導程序、診斷程序和系統(tǒng) BIOS 40 內(nèi)存空間分配圖 41 。有效時，數(shù)據(jù)進入芯片中 – 該控制端對應系統(tǒng)的寫控制線 12 靜態(tài) RAM 返回本章目錄 ? SRAM的基本存儲單元是 6管靜態(tài) MOS電路 ? 每個基本存儲單元存儲二進制數(shù)一位 ? 許多個基本存儲單元形成行列存儲矩陣 ? SRAM一般采用“字結(jié)構(gòu)”存儲矩陣： – 每個存儲單元存放多位（ 16等） – 每個存儲單元具有一個地址 13 動態(tài) RAM 返回本章目錄 ? DRAM的基本存儲單元是單個場效應管及其極間電容 ? 必須配備“讀出再生放大電路”進行刷新 ? 每次同時對一行的存儲單元進行刷新 ? 每個基本存儲單元存儲二進制數(shù)一位 ? 許多個基本存儲單元形成行列存儲矩陣 ? DRAM一般采用“位結(jié)構(gòu)”存儲體： – 每個存儲單元存放一位 – 需要 8個存儲芯片構(gòu)成一個字節(jié)單元 – 每個字節(jié)存儲單元具有一個地址 14 隨機存取存儲器 返回本章目錄 ? 靜態(tài) RAM ? SRAM 2114 ? SRAM 6264 動態(tài) RAM DRAM 4116 DRAM 2164 15 只讀存儲器 ? EPROM ? EPROM 2716 ? EPROM 2764 EEPROM EEPROM 2717A EEPROM 2864A 16 6管 SRAM存儲單元 返回本章目錄 字或行選線 A B T5 T6 T1 T2 T3 T4 D* D ? 寫“ 1”， A點為高電平， B點為低電平，使 T4截止， T3導通。有效時，芯片內(nèi)數(shù)據(jù)輸出 – 該控制端對應系統(tǒng)的讀控制線 ? 寫 WE* – 控制寫操
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