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正文內(nèi)容

[計(jì)算機(jī)硬件及網(wǎng)絡(luò)]chapter6放大器的頻率特性(已修改)

2024-10-31 03:57 本頁面
 

【正文】 第 6章 放大器的頻率特性 2021/11/10 CMOS模擬集成電路 2 主要內(nèi)容 ? 密勒定理 ? 極點(diǎn)與結(jié)點(diǎn)的關(guān)聯(lián) ? 共源級 ? 源跟隨器 ? 共柵極 ? 共源共柵極 ? 差動(dòng)對 2021/11/10 CMOS模擬集成電路 3 密勒定理 VAZZ?? 11密勒定理 : 如果圖 (a)的電路可以轉(zhuǎn)換成圖 (b)的電路 ,則 12 1 ???VAZZ ,其中 . , XYV VVA ?2021/11/10 CMOS模擬集成電路 4 證明 : 通過阻抗 Z由 X流向 Y的電流等于 .由于這兩個(gè)電路等效 ,必定有相等的電流流過 : ? ?ZVV YX ?1ZVZVV XYX ??XYVVZZ???11YXVVZZ???12類似有 2ZVZVV YYX ???2021/11/10 CMOS模擬集成電路 5 什么條件下可以利用密勒定理進(jìn)行上述轉(zhuǎn)換呢 ? a. 若阻抗 Z在 X和 Y點(diǎn)之間只有一個(gè)信號通路 ,則轉(zhuǎn)換往往不成立 . Z與信號主通路并聯(lián)的情況下 ,密勒定理可能成立 . 2021/11/10 CMOS模擬集成電路 6 練習(xí) :計(jì)算電路的輸入電阻 . ? ? ombmV rggA ??? 1? ?? ? ??????????? mbmmbmmbmombmoin ggggggrggrR 111112021/11/10 CMOS模擬集成電路 7 極點(diǎn)與結(jié)點(diǎn)的關(guān)聯(lián) 考慮幾個(gè)放大器的簡單級聯(lián)電路 ,如下圖所示 . A1,A2 是理想的電壓放大器 。 R1,R2 是每級的輸出電阻 。 Cin,CN 表示每級的輸入電容 。 CP 表示負(fù)載電容 . 如何寫該電路的傳輸函數(shù) ? 2021/11/10 CMOS模擬集成電路 8 sCRsCRAsCRAsCRsCAsCRsCAsCRsCVVVVVVVVVVVVsHPNinSinSinNNPPininino u to u tinino u to u to u tino u t21211122111122221111111111???????????????????? )(2021/11/10 CMOS模擬集成電路 9 極點(diǎn)的確定 : 由相應(yīng)一個(gè)結(jié)點(diǎn)到地 ” 看到的 ” 總電容乘以從這個(gè)結(jié)點(diǎn)到地看到的總電阻 ,得到了時(shí)間常數(shù) ,于是可以得到一個(gè)極點(diǎn)的頻率 . 電路中的每一個(gè)結(jié)點(diǎn)對傳輸函數(shù)貢獻(xiàn)一個(gè)極點(diǎn) . 在許多電路中 ,我們可以利用這種極點(diǎn)與結(jié)點(diǎn)之間的聯(lián)系估算電路的傳輸函數(shù) . j?jj ??1?2021/11/10 CMOS模擬集成電路 10 例 忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng) ,計(jì)算電路的傳輸函數(shù) . ? ?111111//??????????????????mbmSSBGSin ggRCC?? ?? ? 1??? DDBDGo u t RCC?)1)(1(1)(1)()(o u tinSmbmDmbmino u tssRggRggsVV????????2021/11/10 CMOS模擬集成電路 11 假定 :λ=0 ,M1工作在飽和區(qū) . 共源級 DmVGDVGSin RgACACC ????? ,)1(考慮由有限源電阻 RS所驅(qū)動(dòng)的共源級電路 ,如 . : 從 X點(diǎn)到地看到的總電容為 2021/11/10 CMOS模擬集成電路 12 )(1GDDBDo u t CCR ???DmVGDDBGDVDBo u t RgACCCACC ??????? ? ,)1( 1從輸出點(diǎn)到地看到的總電容為 ])1([1GDDmGSSin CRgCR ????輸入極點(diǎn)的值為 () () 輸出極點(diǎn)的值為 2021/11/10 CMOS模擬集成電路 13 若 RS相對較大時(shí) ,電路簡化成圖 (忽略 RS的影響 ). XeqXGSGDGDmX VsCVCCCgI ?????? 1eqGSGDGDmX
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