[工學]微機原理與接口第6章_存儲器ram及rom(已修改)
2024-10-28 18:31 本頁面
【正文】 第 6章 半導體存儲器 第 6章 半導體存儲器 主要內(nèi)容 : – 存儲器及半導體存儲器的分類 – 隨機讀寫存儲器（ RAM） – 只讀存儲器（ ROM） – 存儲器的擴展 第 6章 半導體存儲器 存儲器及半導體存儲器的分類 存儲器是計算機用來存儲信息的部件。 存儲器的分類 按存取速度和用途可把存儲器分為兩大類：內(nèi)存儲器和外存儲器。 內(nèi)存： 把通過系統(tǒng)總線直接與 CPU相連的存儲器稱為內(nèi)存儲器，簡稱內(nèi)存。 特點： 具有一定容量、存取速度快，且掉電數(shù)據(jù)將丟失。 作用： 計算機要執(zhí)行的程序和要處理的數(shù)據(jù)等都必須事先調(diào)入內(nèi)存后方可被 CPU讀取并執(zhí)行。 第 6章 半導體存儲器 外存： 把通過接口電路與系統(tǒng)相連的存儲器稱為外存儲器，簡稱外存，如硬盤、軟盤和光盤等。 特點： 存儲容量大而存取速度較慢，且掉電數(shù)據(jù)不丟失。 作用： 外存用來存放當前暫不被 CPU處理的程序或數(shù)據(jù)，以及一些需要永久性保存的信息。 通常將外存歸入計算機外部設備，外存中存放的信息必須調(diào)入內(nèi)存后才能被 CPU使用。 早期的內(nèi)存使用磁芯。 隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展，半導體存儲器集成度大大提高，成本迅速下降，存取速度大大加快，所以在微型計算機中，目前內(nèi)存一般都使用半導體存儲器。 第 6章 半導體存儲器 寄存器 Cache 主存儲器 輔助存儲器 (磁盤 ) 大容量存儲器 (磁帶 ) 外存儲器 內(nèi)存儲器 存儲系統(tǒng)的層次結(jié)構 外存平均訪問時間 ms級 硬盤 9~10ms 光盤 80~120ms 內(nèi)存平均訪問時間 ns級 SRAM Cache1~5ns SDRAM內(nèi)存 7~15ns EDO內(nèi)存 60~80ns EPROM存儲器 100~400ns 第 6章 半導體存儲器 半導體存儲器的分類 從應用角度可將半導體存儲器分為兩大類：隨機存取存儲器 RAM(Random Access Memory)和只讀存儲器 ROM(Read Only Memory)。 RAM是可讀、可寫的存儲器， CPU可以對 RAM的內(nèi)容隨機地讀寫訪問， RAM中的信息斷電后即丟失。 ROM的內(nèi)容只能隨機讀出而不能寫入，斷電后信息不會丟失，常用來存放不需要改變的信息(如某些系統(tǒng)程序 )，信息一旦寫入就固定不變了。 第 6章 半導體存儲器 根據(jù)制造工藝的不同，隨機讀寫存儲器 RAM主要有 雙極型 和 MOS型 兩類。 雙極型存儲 器存取速度快、集成度較低、功耗較大、成本較高等特點，適用于對速度要求較高的高速緩沖存儲器 ,低阻抗、電流控制的器件 ； MOS型存儲器具 有集成度高、功耗低、價格便宜等特點，適用于內(nèi)存儲器， 高輸入阻抗、電壓控制的器件 。 MOS型存儲器按信息存放方式又可分為靜態(tài)RAM(Static RAM，簡稱 SRAM)和動態(tài) RAM(Dynamic RAM，簡稱 DRAM)。 第 6章 半導體存儲器 只讀存儲器 ROM在使用過程中，只能讀出存儲的信息而不能用通常的方法將信息寫入存儲器。目前常見的有： 掩膜式 ROM，用戶不可對其編程，其內(nèi)容已由廠家設定好，不能更改； 可編程 ROM(Programmable ROM，簡稱 PROM)，用戶只能對其進行一次編程，寫入后不能更改； 可擦除的 PROM(Erasable PROM，簡稱 EPROM)，其內(nèi)容可用紫外線擦除，用戶可對其進行多次編程； 電擦除的 PROM(Electrically Erasable PROM，簡稱EEPROM或 E2PROM)，能以字節(jié)為單位擦除和改寫。 第 6章 半導體存儲器 靜態(tài) RAM 動態(tài) RAM MOS型 雙極型 不可編程掩膜 存儲器 MROM 可編程存儲器 PROM 可擦除、可再 編程存儲器 紫外線擦除的 EPROM 電擦除的 E
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