半導體中的非平衡過剩載流子(已修改)
2025-05-31 01:07 本頁面
【正文】 第 6章 半導體中的非平 衡過剩載流子 1 第 6章半導體中的非平衡過剩載流子 ? 6． 1載流子的產(chǎn)生與復合 ? 6． 2過剩載流子的性質(zhì) ? 6． 3雙極輸運 ? 6． 4準費米能級 ? *6． 5過剩載流子的壽命 ? *6． 6表面效應 2 ? 平衡狀態(tài)下產(chǎn)生率等于復合率 產(chǎn)生是電子和空穴的生成過程 復合是電子和空穴的消失過程 3 平衡態(tài)半導體的標志就是具有統(tǒng)一的費米能級EF，此時的平衡載流子濃度 n0和 p0唯一由 EF決定。平衡態(tài)非簡并半導體的 n0和 p0乘積為 稱 n0p0=ni2為非簡并半導體平衡態(tài)判據(jù)式。 g 20 0 c v iEn p N N e x p ( ) nkT? ? ?4 半導體的平衡態(tài)條件并不總能成立，如果某些外界因素作用于平衡態(tài)半導體上，如圖所示的一定溫度下用光子能量 hν≥Eg的光照射 n型半導體，這時平衡態(tài)條件被破壞，樣品就處于偏離平衡態(tài)的狀態(tài)，稱作 非平衡態(tài) 。 非平衡態(tài) 5 光照前半導體中電子和空穴濃度分別是 n0和 p0，并且n0p0。 光照后的非平衡態(tài)半導體中電子濃度 n=n0+δ n ，空穴濃度 p=p0+δ p ，并且 δ n=δ p 。 比平衡態(tài)多出來的這部分載流子 δ n和 δ p就稱為 過剩載流子 。 n型半導體中稱 δ n為過剩電子， δ p為 過剩空穴 非平衡載流子的產(chǎn)生：6 一般來說： n型半導體中： δ n n0， δ p n0。
畢業(yè)設計相關推薦
鄂ICP備17016276號-1